
рк
.pdf
Временные диаграммы i(t), u(t), p(t) приведены на рис.2.4в. Мощность р(t) имеет постоянную составляющую или среднее значение, называемое активной мощностью Р:
1 T
P T 0 p(t)dt UI
Активная мощность Р измеряется в ваттах (Вт).
2.5.3. В комплексной форме напряжение на резисторе записывается в виде
U I r
Векторы тока и напряжения на комплексной плоскости приведены на рис. 2.4г.
18. Индуктивность в цепи синусоидального тока.
Индуктивный элемент учитывает явления накапливания энергии магнитного поля и характеризуется зависимостью потокосцепления от тока i:
L , измеряется в генри (Гн).
i

а) |
|
|
б) |
x |
в)xL |
Um |
|
Im |
|
|
|
|
|
y |
д) |
|
|
|
|
W(t) |
LI2 |
|
LI2 |
t |
2 |
|
г) |
i,u,p |
|
p(t) |
|
|
i(t) |
u(t) |
|
|
|
|
|
|
|
Q |
|
|
|
t |
|
|
|
|
е) |
|
jIm |
|
|
|
||
|
UL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rl |
Рис.2.5
2.6.1. Мгновенное значение напряжения на индуктивности:
uL (t) eL L dtdi
Здесь eL (t) - ЭДС, наводимая изменяющимся во времени магнитным потоком.
Если принять ток в катушке i(t) Im sin t , то напряжение запишется в виде:
u(t) L dtdi L Im sin( t 2 ) Um sin( t 2 ) .
Векторы тока и напряжения показаны на рис. 2.5б. Напряжение опережает
ток в катушке на угол 2 . Закон Ома для индуктивности:
I |
Um |
|
Um |
|
I |
U |
|
||
или |
x , |
||||||||
L |
|
||||||||
m |
|
x |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
L |
|
|
L |

где xL L - индуктивное сопротивление катушки, измеряется в Омах
(Ом). Сопротивление xL - частично зависимая величина, увеличивается с ростом частоты, рис. 2.5в.
2.6.2. Мгновенная мощность:
p(t) u(t) i(t) Um
Um Im sin 2 t
2
|
|
Im sin t |
sin t |
|
|
|
2 |
|
UI sin 2 t Q sin 2 t
Мощность Q UI называется реактивной и измеряется в вольт-амперах реактивных (ВАр). Временные диаграммы w(t), i(t) и p(t) для катушки приведены на рис. 2.5г. Средняя мощность равна нулю, т.е. рассеивание мощности или потери отсутствуют. Энергия магнитного поля катушки равна:
|
|
T |
T |
|
|
Li2 (t) |
|
|
|
|
W (t) p(t) u(t) i(t)dt |
|
|
|
|||||||
2 |
|
|
||||||||
|
|
0 |
0 |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
LIm2 |
sin2 |
t |
LIm2 |
1 cos 2 t |
LI 2 |
1 cos 2 t |
|||
2 |
4 |
2 |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
Временная диаграмма W(t), приведена на рис. 2.5д. Максимальная энергия магнитного поля катушки:
WL max LI 2 .
2.6.3. Напряжение на индуктивности в комплексной форме.
Так как напряжение на катушке:
|
|
|
|
u(t) xL Im sin t |
2 |
|
, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
j |
2 |
|
|
|
|
|||
то U xL Ie |
|
|
|
jxL I |
Здесь jxL j L - индуктивное сопротивление в комплексной форме.

|
|
|
|
|
Оператор e j 2 j отражает |
дифференцирование напряжения на |
|||
индуктивности. |
|
|
|
|
Закон Ома в комплексной форме: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UL jxL I |
|
I |
U |
|
или |
jxL |
|||
|
|
|
Вектора тока и напряжения на комплексной плоскости приведены на рис. 2.5е.
19. Емкость в цепи синусоидального тока.
Емкость отражает явление накапливания электрического поля и характеризуется зависимостью заряда q от напряжения u : C uq
а) |
|
|
|
|
г) |
i,u,p |
p(t) |
|
|
|
|
|
|||
б) |
x |
в) |
xС |
|
|
|
u(t) |
Im |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
i(t) |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
y |
|
|
|
|
t |
|
|
Um |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Q |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
д) |
|
W(t) |
|
|
е) |
jIm |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
CU2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Rl |
|
|
|
CU2 |
t |
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
UC |
Рис.2.6
2.7.1. Мгновенное значение напряжения на конденсаторе:
u(t) C1 i(t)dt

Пусть i(t)
uC (t)
Um
Im sin t , тогда напряжение на конденсаторе: |
|
|||||||||||
|
I |
m |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
sin t |
|
|
I |
|
x sin t |
|
|
|||
|
|
|
m |
|||||||||
|
C |
|
|
2 |
|
|
C |
|
2 |
|
||
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
sin t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Это напряжение отстает от тока на угол 2 .
Векторы тока и напряжения приведены на рис.2.6б.
Закон Ома для емкости:
|
|
Im Um C |
|
1 |
|
||||
|
|
или |
Um Im |
|
Im xC , |
||||
|
|
C |
|||||||
|
xC |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
где |
|
- емкостное сопротивление, измеряется в омах (Ом). |
|||||||
C |
|||||||||
|
|
Емкостное сопротивление уменьшается с ростом частоты. Зависимость xC от частоты приведена на рис. 2.6.в.
2.7.2. Мгновенная мощность на конденсаторе:
|
|
Im sin t |
p(t) u(t) i(t) Um sin t |
|
|
|
2 |
|
Um Im sin 2 t UI sin 2 t Q sin 2 t
2
Q – реактивная мощность конденсатора. Временные диаграммы uC (t) , i (t), p
(t) приведены на рис. 2.6г.
Среднее значение мощности равно нулю, т.е. рассеивание мощности или потери отсутствуют. Энергия электрического поля в конденсаторе равна:
|
|
|
|
T |
T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CuC2 |
(t) |
|
|
|
|
W (t) p(t)dt uC |
(t) i(t)dt |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
2 |
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
0 |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
CU |
m |
|
|
|
|
|
|
|
CU 2 |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
sin 2 |
t |
|
|
|
|
|
m |
1 cos 2 t |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
2 |
|
||||
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
CU |
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
C |
1 cos 2 t |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
График приведен на рис. 2.6д.
Максимальная энергия электрического поля равна:
WC max CuC2
2.7.3. Напряжение на емкости в комплексной форме.
Так как
То
uC |
|
|
|
(t) xC Im sin t |
|
, |
|
|
|
2 |
|
|
|
j |
|
|
j |
e |
2 |
|||
U xC Ie |
|
|
|
jxC I . |
Здесь jxC - емкостное сопротивление в комплексной форме.
j
Оператор e 2 отражает интегрирование тока в формуле напряжения на емкости.
|
|
|
|
U |
|
|
|
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
. Векторы |
|||
|
jx |
|
||||
Закон Ома в комплексной форме UC |
jxC I или |
|
|
|||
|
|
|
|
|
C |
|
U C |
и I приведены на рис. 2.6е. |
|
|
|
|
|
20. Комплексный метод расчета. Преобразования элементов при переходе из временной в комплексную форму.