Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

рк элтех

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
10.02.2015
Размер:
4.36 Mб
Скачать

WL max LI 2 .

2.6.3. Напряжение на индуктивности в комплексной форме.

Так как напряжение на катушке:

 

 

 

 

u(t) xL Im sin t

2

 

,

 

 

 

 

 

 

 

 

j

 

 

 

 

2

 

то U xL Ie

 

 

 

jxL I

Здесь jxL j L - индуктивное сопротивление в комплексной форме.

 

 

 

 

 

Оператор e j 2 j отражает

дифференцирование напряжения на

индуктивности.

 

 

 

 

Закон Ома в комплексной форме:

 

 

 

 

 

 

 

 

UL jxL I

 

I

U

 

или

jxL

 

 

 

Вектора тока и напряжения на комплексной плоскости приведены на рис. 2.5е.

19. Емкость в цепи синусоидального тока.

Емкость отражает явление накапливания электрического поля и характеризуется зависимостью заряда q от напряжения u : C uq

а)

 

 

б)

x

в) xС

 

Im

 

 

 

 

 

y

 

 

Um

д)

 

W(t)

 

 

CU2

 

CU2

t

2

 

г)

i,u,p

p(t)

 

 

 

u(t)

 

i(t)

 

 

 

t

 

 

 

 

 

Q

е)

jIm

 

 

 

 

Rl

 

 

 

 

 

UC

Рис.2.6

 

 

2.7.1. Мгновенное значение напряжения на конденсаторе:

u(t) C1 i(t)dt

Пусть i(t) Im sin t , тогда напряжение на конденсаторе:

 

 

 

I

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

u

 

(t)

 

sin t

 

 

I

 

x sin t

 

 

C

 

 

 

m

 

 

C

 

 

2

 

 

C

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Um sin t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

Это напряжение отстает от тока на угол 2 .

Векторы тока и напряжения приведены на рис.2.6б.

Закон Ома для емкости:

Im

 

 

 

U

 

I

 

1

I x

или

m

m

 

 

Um C

 

 

C

m C ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

xC

 

1

 

где

 

- емкостное сопротивление, измеряется в омах (Ом).

C

 

 

Емкостное сопротивление уменьшается с ростом частоты. Зависимость xC от частоты приведена на рис. 2.6.в.

2.7.2. Мгновенная мощность на конденсаторе:

 

 

Im sin t

p(t) u(t) i(t) Um sin t

 

 

2

 

Um Im sin 2 t UI sin 2 t Q sin 2 t

2

Q – реактивная мощность конденсатора. Временные диаграммы uC (t) , i (t), p

(t) приведены на рис. 2.6г.

Среднее значение мощности равно нулю, т.е. рассеивание мощности или потери отсутствуют. Энергия электрического поля в конденсаторе равна:

 

 

 

 

T

T

 

 

 

 

 

 

 

 

CuC2

(t)

 

 

W (t) p(t)dt uC

(t) i(t)dt

 

 

 

2

 

 

 

 

0

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CU

m

 

2

 

 

 

 

CU 2

 

 

 

 

 

 

sin

t

 

 

 

 

m

1 cos 2 t

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

2

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

CU

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

1 cos 2 t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

График WC (t) приведен на рис. 2.6д.

 

 

 

 

 

Максимальная энергия электрического поля равна:

 

 

 

 

 

 

 

 

W

 

 

 

 

Cu2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C max

 

 

 

C

 

 

 

2.7.3. Напряжение на емкости в комплексной форме.

 

uC

 

 

 

Так как

(t) xC Im sin t

 

,

 

 

2

 

 

 

 

j

 

 

То

j

e

2

U xC Ie

 

 

 

jxC I .

Здесь jxC - емкостное сопротивление в комплексной форме.

j

Оператор e 2 отражает интегрирование тока в формуле напряжения на емкости.

 

 

 

 

U

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

. Векторы

 

jx

 

Закон Ома в комплексной форме UC

jxC I или

 

 

 

 

 

 

 

C

U C

и I приведены на рис. 2.6е.

 

 

 

 

 

20. Комплексный метод расчета. Преобразования элементов при переходе из временной в комплексную форму.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]