
- •Введение
- •1. Научно-исследовательская часть.
- •1.1. Технические требования
- •1.2. Выбор метода регистрации магнитограмм
- •1.2.1. Метод Биттера
- •1.2.2. Магнитная силовая микроскопия
- •1.2.3. Магнитооптические методы
- •1.2.3.1 Магнитооптический эффект Керра
- •1.2.3.2. Магнитооптический эффект Фарадея.
- •1.2.4. Сравнение выбранного магнитооптического метода с другими методами визуализации.
- •1.3. Математическое описание оэурм
- •1.3.1 Поляризатор.
- •1.3.2 Магнитооптический кристалл
- •1.3.3 Анализатор.
- •Материалы для магнитооптических устройств и их основные характеристики
- •1.4.1 Феррит-гранаты
- •1.4.1.1 Кристаллическая структура и параметры решетки.
- •1.4.1.2 Оптическое поглощение.
- •1.4.1.3 Фарадеевское вращение.
- •1.4.1.4 Магнитооптическая добротность.
- •1.4.1.5 Намагниченность насыщения.
- •1.4.1.6 Магнитная анизотропия.
- •1.4.2 Ортоферриты.
- •1.4.3 Металлические аморфные пленки
- •1.4.3.1 Природа магнитного упорядочения и структура.
- •1.4.3.2 Одноосная анизотропия.
- •1.4.3.3 Магнитооптические свойства.
- •2. Конструкторская часть.
- •2.1 Выбор и обоснование конструкции оптико-электронного устройства регистрации магнитограмм
- •2.2 Крепление оптических элементов.
- •2.3 Крепление светодиода.
- •2.4 Крепление фпзс-матрицы.
- •2.5 Крепление магнитооптического кристалла и постоянного магнита.
- •2.6 Сборка осветительной ветви.
- •2.7 Сборка измерительной ветви.
- •2.9 Установка в общий корпус.
- •4. Технологическая часть
- •4.1 Требования к монокристаллической пленке феррит-граната
- •4.2 Изготовление магнитооптического кристалла.
- •2. Ориентация кристалла
- •4.4 Ориентация кристалла
- •4.5 Механообработка подложки
- •4.5.1 Резка подложки на заготовки
- •4.5.2 Шлифование подложки
- •4.5.3 Полирование подложки
- •4.6 Эпитаксиальное выращивание Bi-содержащих мпфг
- •4.7 Нанесение покрытий
- •4.7.1 Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме
- •Установка вакуумная модели ву-1а
- •4.7.2 Нанесение просветляющего покрытия
- •4.8 Разрезание на заготовки 10x10 мм
- •4.8.1 Лазерное скрайбирование
- •4.8.2 Разламывание пластин на кристаллы
- •4.9 Контроль магнитооптических параметров
- •Анализ технологичности изготовления магнитооптического кристалла.
- •4.11 Вывод.
- •5.2 Определение стоимости проектно-конструкторских работ
- •Расчёт простого срока окупаемости инвестиций
- •Расчёт дисконтированного срока окупаемости инвестиций
- •Охрана труда и экология
- •6.1. Анализ вредных и опасных факторов при производстве магнитооптического кристалла
- •6.2 Микроклимат
- •6.4 Освещение
- •6.5 Требования пожарной безопасности
- •6.6 Рентгеновское излучение.
- •6.7 Защита от травмирования
- •6.8 Вентиляция
- •6.9 Химические факторы
- •6.10 Утилизация производственного брака
- •Заключение.
- •Список литературы
- •Приложение 1. Паспорт на фпзс-матрицу.
- •Приложение 2.
1.3.2 Магнитооптический кристалл
Осуществляет модуляцию по амплитуде, вращает плоскость поляризации (модуляция поляризации) на определенный угол.
Магнитооптические эффекты можно разделить на две основные группы: эффекты, наблюдаемы при прохождении света через магнитооптический материал, и эффекты, при отражении света от поверхности магнитооптического материала. В данной работе применяется эффект первой группы.
Эффекты первой группы связаны с двойным круговым преломлением, т.е. с различием комплексных показателей преломления право- и левополяризованных по кругу волн. Действительная часть двупреломления описывает поворот плоскости поляризации, а мнимая его часть, - превращение линейно поляризованного излучения в эллиптически поляризованный. Если линейно поляризованную волну представить как сумму право- и лево- поляризованных по кругу волн, то первый из упомянутых эффектов будет связан с различием скоростей их распространения, а второй – с различием их коэффициентов поглощения.
Если свет распространяется через магнитооптический материал параллельно вектору его намагниченности, то наблюдается магнитное круговое двупреломление, носящее название эффекта Фарадея. Эффект Фарадея пропорционален пути светового пучка в магнитоупорядоченной среде
,
где
- удельное фарадеевское вращение;
-
длина пути в магнитной пленке
феррит-граната, α – угол между направлением
распространения излучения и вектором
намагниченностиМ.
Таким образом, плоскость поляризации поворачивается на угол:
Магнитную пленку феррит граната можно представить, как фазовую пластину, описываемую матрицей Мюллера:
где
1.3.3 Анализатор.
Анализатор – устройство, предназначенное для анализа характера поляризации света. В данной работе применяется линейный анализатор – служащий, для обнаружения линейно поляризованного света и определения угла наклона его плоскости поляризации.
Рис. 1.14.
Два
поляроида поставлены друг за другом,
так что их оси ОА1
и ОА2
образуют между собой некоторый угол α
(рис. 1.14). Первый поляроид пропустит
свет, электрический вектор Е0
которого параллелен его оси ОА1.
Обозначим через I0
интенсивность этого света. Разложим Е0
на
вектор Е||,
параллельный оси ОА2
второго поляроида, и вектор Е┴,
перпендикулярный к ней (Е0=Е||+Е┴).
Составляющая Е будет задержана вторым
поляроидом. Через оба поляроида пройдет
свет с электрическим вектором ЕЕ||,
длина которого Е= Е0cos
α. Интенсивность света, прошедшего через
оба поляроида, будет
Закон Малюса – для любого поляризатора и анализатора.
Матрица Мюллера имеет вид для анализатора тот же, что и для поляризатора, т.к. применяется точно такой же поляроид:
Нормированный вектор Стокса падающего света в данном случае представляет собой:
Теперь перемножим матрицы Мюллера и вектор Стокса:
Итак, видно, что интенсивность в системе поляризатор-МОК-анализатор составляет 0.637 от интенсивности входного оптического сигнала.
Интенсивность света I* на выходе МО прибора определяется следующим образом [1]:
,
где
C
– коэффициент, учитывающий оптические
потери в поляризаторе и анализаторе, а
также потери на отражение I0
– интенсивность падающего на поляризатор
излучения,
-
коэффициент оптического поглощения МО
среды,h
–
толщина пленки,
- коэффициент, учитывающий неполноту
погасания в системе поляризатор – МО
среда – анализатор,Фпа
– угловое отклонение от положения
погасания в системе поляризатор –
анализатор,
- удельное фарадеевское вращение,
- угол падения излучения.
Контраст изображения K определяется следующим выражением
Оптическая эффективность η определяется по формуле
Приведенные
графики зависимости K(Фпа)
на рис.1.15 (при толщине пленки h
равной
4
мкм), и K(h)
на рис. 1.16 (при Фпа
равным 5 град.) показывают, что контраст
получаемого изображения определяется
отклонением от положения погасания и
достигает максимального значения при
значении
.
Максимальная
чувствительность к управляющему полю
достигается при
равной 45 град., при этом
| ||
Рис.
1.15. Угловая зависимость контраста
изображения при отклонении поляризаторов
от положения скрещивания при различных
значениях
|
Для получения максимальной чувствительности толщина пленки определяется следующей зависимостью
Оптический
КПД тем выше, чем меньше оптическое
поглощение и сильнее эффект Фарадея,
другими словами, чем выше магнитооптическая
добротность
.