- •Введение
- •1. Научно-исследовательская часть.
- •1.1. Технические требования
- •1.2. Выбор метода регистрации магнитограмм
- •1.2.1. Метод Биттера
- •1.2.2. Магнитная силовая микроскопия
- •1.2.3. Магнитооптические методы
- •1.2.3.1 Магнитооптический эффект Керра
- •1.2.3.2. Магнитооптический эффект Фарадея.
- •1.2.4. Сравнение выбранного магнитооптического метода с другими методами визуализации.
- •1.3. Математическое описание оэурм
- •1.3.1 Поляризатор.
- •1.3.2 Магнитооптический кристалл
- •1.3.3 Анализатор.
- •Материалы для магнитооптических устройств и их основные характеристики
- •1.4.1 Феррит-гранаты
- •1.4.1.1 Кристаллическая структура и параметры решетки.
- •1.4.1.2 Оптическое поглощение.
- •1.4.1.3 Фарадеевское вращение.
- •1.4.1.4 Магнитооптическая добротность.
- •1.4.1.5 Намагниченность насыщения.
- •1.4.1.6 Магнитная анизотропия.
- •1.4.2 Ортоферриты.
- •1.4.3 Металлические аморфные пленки
- •1.4.3.1 Природа магнитного упорядочения и структура.
- •1.4.3.2 Одноосная анизотропия.
- •1.4.3.3 Магнитооптические свойства.
- •2. Конструкторская часть.
- •2.1 Выбор и обоснование конструкции оптико-электронного устройства регистрации магнитограмм
- •2.2 Крепление оптических элементов.
- •2.3 Крепление светодиода.
- •2.4 Крепление фпзс-матрицы.
- •2.5 Крепление магнитооптического кристалла и постоянного магнита.
- •2.6 Сборка осветительной ветви.
- •2.7 Сборка измерительной ветви.
- •2.9 Установка в общий корпус.
- •4. Технологическая часть
- •4.1 Требования к монокристаллической пленке феррит-граната
- •4.2 Изготовление магнитооптического кристалла.
- •2. Ориентация кристалла
- •4.4 Ориентация кристалла
- •4.5 Механообработка подложки
- •4.5.1 Резка подложки на заготовки
- •4.5.2 Шлифование подложки
- •4.5.3 Полирование подложки
- •4.6 Эпитаксиальное выращивание Bi-содержащих мпфг
- •4.7 Нанесение покрытий
- •4.7.1 Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме
- •Установка вакуумная модели ву-1а
- •4.7.2 Нанесение просветляющего покрытия
- •4.8 Разрезание на заготовки 10x10 мм
- •4.8.1 Лазерное скрайбирование
- •4.8.2 Разламывание пластин на кристаллы
- •4.9 Контроль магнитооптических параметров
- •Анализ технологичности изготовления магнитооптического кристалла.
- •4.11 Вывод.
- •5.2 Определение стоимости проектно-конструкторских работ
- •Расчёт простого срока окупаемости инвестиций
- •Расчёт дисконтированного срока окупаемости инвестиций
- •Охрана труда и экология
- •6.1. Анализ вредных и опасных факторов при производстве магнитооптического кристалла
- •6.2 Микроклимат
- •6.4 Освещение
- •6.5 Требования пожарной безопасности
- •6.6 Рентгеновское излучение.
- •6.7 Защита от травмирования
- •6.8 Вентиляция
- •6.9 Химические факторы
- •6.10 Утилизация производственного брака
- •Заключение.
- •Список литературы
- •Приложение 1. Паспорт на фпзс-матрицу.
- •Приложение 2.
1.2.3.2. Магнитооптический эффект Фарадея.
Эффект Фарадея заключается в том, что при прохождении плоскополяризованного света через вещество, магнитное поле в котором не равно нулю, возникает вращение плоскости поляризации. Очевидно, эффект Фарадея можно использовать лишь для исследования прозрачных сред. При изучении доменной структуры он может быть применен для очень тонких прозрачных ферромагнитных пленок [1].
Направление вращения плоскости поляризации зависит от направления намагниченности в домене. Если при исследовании структуры с антипараллельными доменами поляризатор и анализатор скрещены для доменов одного из направлений намагниченности, т.е. свет от этих доменов не проходит, то для доменов противоположного направления намагничености вследствие различного направления вращения плоскости поляризации свет через анализатор пройдет. Таким образом, доменная структура будет видна в виде темных и светлых полос доменов противоположной намагниченности [10].
Характерно то, что здесь выявляются сами домены, а не границы между доменами, как в случае метода порошковых фигур.
На рисунке 1.13 приведена фотография доменной структуры ферромагнитной пленки толщиной 500Ǻ, выявленная с помощью эффекта Фарадея.

Рис.1.13. Доменная структура тонкой ферромагнитной пленки, выявленная с помощью эффекта Фарадея.
Угол поворота плоскости поляризации может быть вычислен по следующей формуле [11]:
![]()
где d – путь света в веществе, Н – напряженность магнитного поля, V – постоянная Верде, которая зависит от частоты света, свойств вещества и температуры. Принято постоянную Верде измерять в угловых минутах, деленных на эрстед и сантиметр (мин/Э⋅см). В оптической промышленности по значению V определяют состав стекла.
Направление вращения, т.е. знак V зависит от направления магнитного поля и не связано с направлением распространения света. Поэтому фарадеевское вращение условно принято считать положительным для наблюдателя, смотрящего по полю, если плоскость поляризации поворачивается по часовой стрелке (вправо).
Очевидно,
что с феноменологической точки зрения
эффект Фарадея, по аналогии с естественной
активностью объясняется тем, что
показатели преломления n+
и n-
для света, поляризованного право- и
левоциркулярно, становятся различными
при помещении оптически неактивного
вещества в магнитное поле. Детальная
интерпретация эффекта Фарадея возможна
лишь на основе квантовых представлений.
Конкретный механизм явления может быть
несколько различным в разных веществах
и в разных областях спектра. Однако, с
точки зрения классических представлений,
эффект Фарадея всегда связан с влиянием
на дисперсию вещества частоты
,
с которой оптические электроны совершают
ларморовскую прецессию вокруг направления
магнитного поля, и может быть получен
на основе классической теории дисперсии.
В диэлектриках в видимой области спектра
дисперсия определяется связанными
электронами, которые совершают вынужденные
колебания под действием электрического
поля световой волны. Вещество
рассматривается как совокупность таких
классических осцилляторов. Тогда,
записав и решив уравнение движения
электронов отдельно для лево- и
правоциркулярно поляризованной волны,
можно получить выражение для угла
поворота плоскости поляризации в виде
[12]:


здесь е – заряд электрона, m-масса электрона, N – концентрация электронов, ω - частота света, с- скорость света в вакууме, ω0 – собственная частота осциллятора.
Более высокого разрешения (до 100 нм) позволяет достичь микроскопия Керра. В таком микроскопе поворот плоскости поляризации светового пучка происходит не при прохождении магнитооптического кристалла, а при его отражении непосредственно от рабочей поверхности носителя. Однако полученные с помощью микроскопа Керра изображения имеют более низкий контраст, а стоимость оборудования значительно выше, поэтому на практике для исследования магнитных носителей чаще используют магнитооптический метод визуализации на феррит-гранатовых пленках.
Наиболее близким к решению поставленной задачи является способ визуализации магнитного поля, включающий помещение в это поле магнитооптического преобразователя, выполненного в виде нанесенной на прозрачную подложку висмутсодержащей монокристаллической пленки феррит-граната, и регистрацию распределения векторов намагниченности по ее площади с помощью магнитооптического эффекта Фарадея. Для визуализации неоднородного магнитного поля достаточно наблюдать в микроскоп или на экране компьютера магнитооптическое изображение, возникающее в индикаторной магнитной пленке, которое отображает картину полей рассеяния. Такое изображение несет качественную (опосредованную) информацию о распределении (рисунке) магнитного поля и может применяться для идентификации магнитных меток [13].
На сегодняшний день известны и уже успешно применяются для визуализации неоднородного магнитного поля Bi-содержащие пленки ферритов-гранатов. Bi обеспечивает большое магнитооптическое вращение плоскости поляризации (эффект Фарадея) и, соответственно, высокий контраст изображения.
