
- •Введение
- •1. Научно-исследовательская часть.
- •1.1. Технические требования
- •1.2. Выбор метода регистрации магнитограмм
- •1.2.1. Метод Биттера
- •1.2.2. Магнитная силовая микроскопия
- •1.2.3. Магнитооптические методы
- •1.2.3.1 Магнитооптический эффект Керра
- •1.2.3.2. Магнитооптический эффект Фарадея.
- •1.2.4. Сравнение выбранного магнитооптического метода с другими методами визуализации.
- •1.3. Математическое описание оэурм
- •1.3.1 Поляризатор.
- •1.3.2 Магнитооптический кристалл
- •1.3.3 Анализатор.
- •Материалы для магнитооптических устройств и их основные характеристики
- •1.4.1 Феррит-гранаты
- •1.4.1.1 Кристаллическая структура и параметры решетки.
- •1.4.1.2 Оптическое поглощение.
- •1.4.1.3 Фарадеевское вращение.
- •1.4.1.4 Магнитооптическая добротность.
- •1.4.1.5 Намагниченность насыщения.
- •1.4.1.6 Магнитная анизотропия.
- •1.4.2 Ортоферриты.
- •1.4.3 Металлические аморфные пленки
- •1.4.3.1 Природа магнитного упорядочения и структура.
- •1.4.3.2 Одноосная анизотропия.
- •1.4.3.3 Магнитооптические свойства.
- •2. Конструкторская часть.
- •2.1 Выбор и обоснование конструкции оптико-электронного устройства регистрации магнитограмм
- •2.2 Крепление оптических элементов.
- •2.3 Крепление светодиода.
- •2.4 Крепление фпзс-матрицы.
- •2.5 Крепление магнитооптического кристалла и постоянного магнита.
- •2.6 Сборка осветительной ветви.
- •2.7 Сборка измерительной ветви.
- •2.9 Установка в общий корпус.
- •4. Технологическая часть
- •4.1 Требования к монокристаллической пленке феррит-граната
- •4.2 Изготовление магнитооптического кристалла.
- •2. Ориентация кристалла
- •4.4 Ориентация кристалла
- •4.5 Механообработка подложки
- •4.5.1 Резка подложки на заготовки
- •4.5.2 Шлифование подложки
- •4.5.3 Полирование подложки
- •4.6 Эпитаксиальное выращивание Bi-содержащих мпфг
- •4.7 Нанесение покрытий
- •4.7.1 Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме
- •Установка вакуумная модели ву-1а
- •4.7.2 Нанесение просветляющего покрытия
- •4.8 Разрезание на заготовки 10x10 мм
- •4.8.1 Лазерное скрайбирование
- •4.8.2 Разламывание пластин на кристаллы
- •4.9 Контроль магнитооптических параметров
- •Анализ технологичности изготовления магнитооптического кристалла.
- •4.11 Вывод.
- •5.2 Определение стоимости проектно-конструкторских работ
- •Расчёт простого срока окупаемости инвестиций
- •Расчёт дисконтированного срока окупаемости инвестиций
- •Охрана труда и экология
- •6.1. Анализ вредных и опасных факторов при производстве магнитооптического кристалла
- •6.2 Микроклимат
- •6.4 Освещение
- •6.5 Требования пожарной безопасности
- •6.6 Рентгеновское излучение.
- •6.7 Защита от травмирования
- •6.8 Вентиляция
- •6.9 Химические факторы
- •6.10 Утилизация производственного брака
- •Заключение.
- •Список литературы
- •Приложение 1. Паспорт на фпзс-матрицу.
- •Приложение 2.
1.4.3.3 Магнитооптические свойства.
Для считывания информации, записанной на аморфную пленку, используют как эффект Фарадея, так и эффект Керра. Магнитооптические параметры аморфных пленок ряда составов приведены в табл. 1.4.
Коэффициент оптического поглощения аморфных пленок Tb — Fe падает с длиной волны в диапазоне λ<1 мкм, в то время как при λ=1÷3мкм его значение почти не меняется и составляет (5÷6)х105 см -1 .
Температурная зависимость удельного фарадеевского вращения в пленках Tb — Fe с различным содержанием тербия имеет вид, характерный для зависимости Ms (Т), при этом θF уменьшается с ростом содержания Тb.
Характер температурной зависимости керровского вращения в аморфных пленках такой же, как и для θF (Т) . В частности, при увеличении температуры от комнатной до 350 К значение θК в пленках Tb — Fe уменьшается от 0,18° до 0,08°.
Поскольку для считывания информации с МО дисков обычно используют эффект Керра, увеличивают θК за счет введения различных добавок в аморфные пленки Tb — Fe, обладающие относительно низким θК (рис. 1.27, табл. 1.4), но более предпочтительным по другим параметрам для практического использования.
Рис. 1.27. Концентрационные зависимости керровского вращения в некоторых
аморфных пленках:
1 - Tbx (Со0,11Fe0,89)1-x; 2 — (Tb0,85Gd0,15)xFe1-x; 3 - TbxFe1-x
Проводя замещения в обеих подрешетках аморфных пленок Tb — Fe, можно оптимизировать параметры этих материалов. Так, замещение атомов железа кобальтом должно увеличивать Тн, Нс и θК, а добавки в редкоземельную подрешетку сдерживают рост Тн, но сохраняют высокое значение θК. Для системы Tbu-xRxFeυ-yCo;, (R = Dy, Но, Еr) можно получить большое θК в интервалах u= 0,30÷0,33, υ = 0,674÷0,70 и у = 0,05÷0,25. Другой путь повышения θК состоит в нанесении диэлектрических покрытий и отражающих слоев [1].
Таблица 1.4. Параметры аморфных пленок РЗ-ПМ
Состав пленки |
Способ получепия |
h, нм |
Покрытие |
hпокр, нм |
H, kA/m |
ТН, К |
θК, град |
λ, мкм |
Tb0,12Fe0,88 |
Термическое испарение |
15 |
Si02 |
100 |
44 |
— |
1,2 |
— |
Tb0,18Fe0,82 |
То же |
60-80 |
Si02 |
100 |
— |
383 |
— |
— |
Tb0,18Fe0,82 |
Катодное распыление |
|
МПФГ+Tb — Fe + SiO2+ 1200 |
— |
— |
— |
0,5 |
0,5 |
Tb0,21Fe0,79 |
Термическое испарение |
22 |
— |
— |
— |
— |
15 |
0,63 |
Tb0,21Fe0,79 |
Термическое испарение |
22 |
Tb - Fe + +250SiO+ 40 Au |
— |
— |
— |
0,55 |
— |
Tb0,21Fe0,79 |
Катодное сораспыление |
1-10 |
SiO2 |
110 |
— |
— |
0,98 |
0,63 |
Tb0,21Fe0,79 |
Термическое испарение |
100-250 |
|
|
140 |
363 |
0,18 |
0,63 |
Tb0,215Fe0,785 |
Катодное сораспыление |
47 |
SiO |
40—400 |
120 |
— |
0,6 |
0,63 |
Tb0,225Fe0,775 |
То же |
— |
Al+750 SiO2 + +100 Tb-Fe + + 20 SiO2 |
— |
|
|
0,22 |
0,63 |
Tb0,225Fe0,775 |
» » |
— |
AI + 750 Si02 + + 5Tb Fe + + 20 Si02 |
|
|
|
1,72 |
0,63 |
Tb0,23Fe0,77 |
Термическое испарение |
150 |
SiO |
250 |
180 |
393 |
0,3 |
0,63 |
Tb0,25Fe0,75 |
Катодное распыление |
50 |
SiO2 |
90 |
190 |
— |
0,25 |
0,63 |
Tb0,26Fe0,74 |
Термическое испарение |
70 |
— |
— |
56 |
348 |
— |
— |
Tb0,29Fe0,71 |
То же |
60 -80 |
SiO2 |
100 |
|
393 |
|
— |
Вывод
Сравнивая методы регистрации магнитных полей рассеяния, можно определить, что наиболее подходящим методом является магнитооптический метод. Метод Биттера, или метод порошковых фигур, является разрушающим, имеет невысокое разрешение, по сравнению с магнитооптическим методом. Метод магнитной силовой микроскопии трудно реализуем, дорогостоящий, требует наличия габаритных подсистем. Приборы, основанные на магнитооптических эффектах Фарадея и Керра, имеют малые габариты, низкую стоимость, являются неразрушающими и потому широко могут использоваться для снятия магнитной информации и последующего контроля на подлинность ценных бумаг.
Основными параметрами качества магнитооптического прибора являются контраст, оптическая эффективность и разрешающая способность. Наибольшее влияние на значение контраста и эффективности оказывают угловое отклонение от положения погасания в системе поляризатор – анализатор и толщина пленки. В данной работе представлены выражения для оптимальных значений отклонения и толщины, обеспечивающие максимальный контраст.
Пространственное разрешение магнитооптического метода визуализации на пленках феррит-гранатов лежит в пределах от долей до единиц микрон и достигает максимума при минимальном расстоянии между кристаллом и поверхностью носителя, что объясняется быстрым затуханием поля рассеяния при увеличении этого расстояния.
В результате анализа существующих магнитооптических материалов, было установлено, что наиболее подходящим материалом для решения поставленной задачи являются висмутсодержащие пленки феррит-гранатов в силу ряда преимуществ: высокое фарадеевское вращение, позволяющее получить высокий контраст изображения, низкое оптическое поглощение и, как следствие, высокая магнитооптическая добротность.