
- •Введение
- •1. Научно-исследовательская часть.
- •1.1. Технические требования
- •1.2. Выбор метода регистрации магнитограмм
- •1.2.1. Метод Биттера
- •1.2.2. Магнитная силовая микроскопия
- •1.2.3. Магнитооптические методы
- •1.2.3.1 Магнитооптический эффект Керра
- •1.2.3.2. Магнитооптический эффект Фарадея.
- •1.2.4. Сравнение выбранного магнитооптического метода с другими методами визуализации.
- •1.3. Математическое описание оэурм
- •1.3.1 Поляризатор.
- •1.3.2 Магнитооптический кристалл
- •1.3.3 Анализатор.
- •Материалы для магнитооптических устройств и их основные характеристики
- •1.4.1 Феррит-гранаты
- •1.4.1.1 Кристаллическая структура и параметры решетки.
- •1.4.1.2 Оптическое поглощение.
- •1.4.1.3 Фарадеевское вращение.
- •1.4.1.4 Магнитооптическая добротность.
- •1.4.1.5 Намагниченность насыщения.
- •1.4.1.6 Магнитная анизотропия.
- •1.4.2 Ортоферриты.
- •1.4.3 Металлические аморфные пленки
- •1.4.3.1 Природа магнитного упорядочения и структура.
- •1.4.3.2 Одноосная анизотропия.
- •1.4.3.3 Магнитооптические свойства.
- •2. Конструкторская часть.
- •2.1 Выбор и обоснование конструкции оптико-электронного устройства регистрации магнитограмм
- •2.2 Крепление оптических элементов.
- •2.3 Крепление светодиода.
- •2.4 Крепление фпзс-матрицы.
- •2.5 Крепление магнитооптического кристалла и постоянного магнита.
- •2.6 Сборка осветительной ветви.
- •2.7 Сборка измерительной ветви.
- •2.9 Установка в общий корпус.
- •4. Технологическая часть
- •4.1 Требования к монокристаллической пленке феррит-граната
- •4.2 Изготовление магнитооптического кристалла.
- •2. Ориентация кристалла
- •4.4 Ориентация кристалла
- •4.5 Механообработка подложки
- •4.5.1 Резка подложки на заготовки
- •4.5.2 Шлифование подложки
- •4.5.3 Полирование подложки
- •4.6 Эпитаксиальное выращивание Bi-содержащих мпфг
- •4.7 Нанесение покрытий
- •4.7.1 Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме
- •Установка вакуумная модели ву-1а
- •4.7.2 Нанесение просветляющего покрытия
- •4.8 Разрезание на заготовки 10x10 мм
- •4.8.1 Лазерное скрайбирование
- •4.8.2 Разламывание пластин на кристаллы
- •4.9 Контроль магнитооптических параметров
- •Анализ технологичности изготовления магнитооптического кристалла.
- •4.11 Вывод.
- •5.2 Определение стоимости проектно-конструкторских работ
- •Расчёт простого срока окупаемости инвестиций
- •Расчёт дисконтированного срока окупаемости инвестиций
- •Охрана труда и экология
- •6.1. Анализ вредных и опасных факторов при производстве магнитооптического кристалла
- •6.2 Микроклимат
- •6.4 Освещение
- •6.5 Требования пожарной безопасности
- •6.6 Рентгеновское излучение.
- •6.7 Защита от травмирования
- •6.8 Вентиляция
- •6.9 Химические факторы
- •6.10 Утилизация производственного брака
- •Заключение.
- •Список литературы
- •Приложение 1. Паспорт на фпзс-матрицу.
- •Приложение 2.
1.4.1.5 Намагниченность насыщения.
Намагниченность насыщения Ms феррит-гранатов определяется магнитными моментами подрешегок. Магнитные моменты а- и d-подрешеток в первом приближении противоположно направлены, поэтому если в с-подрешетке нет магнитных ионов, то равна разности намагниченностей этих подрешеток, а если в с-подрешетку входят магнитные редкоземельные ионы, то к этой разности добавляется намагниченность с-подрешетки, направленная для всех ионов, кроме Nd3+ и Рr3+, противоположно намагниченности d-под- решетки. Значения Ms для ряда простых феррит-гранатов приведены в табл. 1.2.
Таблица 1.2. Параметры феррит-гранатов R3Fe5О12 (T=300 К)
R |
Ms, кА/м |
Sm |
133,3 |
Еu |
93,3 |
Gd |
4,5 |
Tb |
15,6 |
Dy |
29,9 |
Y |
140,6 |
Но |
70,2 |
Еr |
98,8 |
Тm |
111,1 |
Yb |
123,7 |
Lu |
144,4 |
1.4.1.6 Магнитная анизотропия.
Константа одноосной анизотропии в МПФГ имеет ростовую Kодн.р и Kодн.м магнитострикционную компоненты. Магнитострикционный компонент определяется соотношением :
где
Е — модуль Юнга и νП
— коэффициент Пуассона;
— рассогласование параметров решетки
пленки и подложки в направлении нормали
к пленке.
Ростовый компонент одноосной анизотропии МПФГ в общем случае возникает вследствие нестатистического упорядочения ионов в структуре граната:
- редкоземельных ионов в с-подрешетке (в Sm- и Еu-содержащих МПФГ) Kодн.р > 0, а в Рr- и Nd-содержащих МПФГ Kодн.р <0);
- немагнитных ионов в с-подрешетке, например Bi3+ и РЬ2+ , вызывающих упорядочение ионов Fe3+ в а- и d-подрешетках;
- ионов переходных металлов в а- и d-подрешетках (в Со- и Ir-содержащих МПФГ Kодн.р > 0, а в Ru-содержащих Kодн.р <0);
- немагнитных ионов в а- и d-подрешетках, вызывающих упорядочение ионов Fe3+.
В Bi-содержащих МПФГ доминирует второй из перечисленных механизмов наведенной ростовой анизотропии, причем Kодн.р может достигать 20 кДж/м3. Эти пленки характеризуются одновременно высокими подвижностью доменных стенок, скоростью насыщения и содержанием висмута, что позволяет рассматривать их как лучший материал для быстродействующих МО устройств.
1.4.2 Ортоферриты.
Ортоферриты описываются общей формулой RFeО3, где R — редкоземельные элементы, и относятся к классу слабых ферромагнетиков. Эти материалы близки к антиферромагнетикам, т. е. магнитные моменты подрешеток в них почти полностью скомпенсированы. Намагниченность ортоферритов весьма мала и определяется только слабой неколлинеарностью магнитных моментов подрешеток. В связи с этим энергия полей размагничивания в ортоферритах на два-три порядка меньше энергии анизотропии. Ортоферриты являются орторомбическими кристаллами. Они являются оптически двуосными и обладают большим двупреломлением. Если падающая на продольно намагниченный кристалл ортоферрита волна линейно поляризована, то на выходе из кристалла волна становится эллиптически поляризованной, при этом большая ось эллипса повернута на угол θЭ по отношению к направлению линейной поляризации падающей волны. θЭ является осциллирующей функцией длины волны. Двупреломление ортоферритов существенно ограничивает углы поворота плоскости поляризации при распространении света вдоль оси слабого ферромагнетизма. При λ = 0,63 мкм, где прозрачность ортоферрита достаточно высока, значение θ не превышает 1,5—2°. Это приводит к невысокому оптическому контрасту наблюдаемых с помощью эффекта Фарадея доменных структур. Для ортоферритов оптические оси, при распространении света вдоль которых влияние двупреломления на θ исчезает, лежат в плоскости (100) и на длинах волн 0,63 и 1,15 км составляют с осью (001) углы 52 и 47° соответственно. Вследствие этого имеется ненулевая проекция слабого ферромагнитного момента этих кристаллов на направление их оптических осей.
При рассмотрении спектров поглощения ортоферритов и их особенностей удобно проводить параллели с оптическими спектрами поглощения Y3Fe5O12. На рис. 1.24 приведены спектры поглощения монокристаллов Y3Fe5O12 (кривые 1) и YFe03 (кривые 2) в широком спектральном диапазоне. Для обоих материалов в области λ<0,5 мкм поглощение весьма велико (α>103 см-1). Механизм такого поглощения связан с переходами с обменом зарядом между кислородом и ионами железа. В диапазоне 0,5—1,2 мкм у обоих материалов наблюдаются хорошо разрешенные полосы поглощения с интенсивностью 102—103 см-1, соответствующие электродипольным переходам ионов Fe3+ в кристаллическом поле. В ортоферритах, в структуре которых есть лишь октаэдрический тин окружения ионов Fe3+ ионами кислорода, число этих полос меньше, а промежутки между ними выражены более ярко, чем в феррит-гранатах, имеющих окта- и тетраэдрический тип окружения ионов Fe3+ ионами кислорода. В области 1,2—6 мкм для ортоферритов, как и для феррит-гранатов, имеет место окно прозрачности, где поглощение мало (α<1 см-1) и определяется примесями и разного рода несовершенством образцов. В области 10—100 мкм поглощение весьма интенсивно и связано с колебательным спектром молекул ортоферрита. Высокочастотный край этой области у ортоферритов несколько сдвинут в сторону длинных волн. В области >100 мкм вплоть до СВЧ диапазона ортоферриты, как и феррит-гранаты, обладают высокой прозрачностью, а уровень поглощения в них малочувствителен к дефектам кристаллической решетки.
Рис. 1.24. Спектры поглощения феррит-граната (1) и ортоферрита (2) иттрия
В диапазоне 0,55—1,2 мкм приТ = 300 К у всех ортоферритов наблюдаются две широкие полосы поглощения с максимумами при 10 000 и 14 200 см-1, обусловленные электронными переходами ионов Fe3+ в октаэдрических позициях. На указанные широкие полосы поглощения во многих ортоферритах накладывается тонкая структура полос поглощения редкоземельных ионов.
Введение в ортоферриты немагнитных ионов Аl3+ и Ga3+ приводит к разбавлению железных подрешеток, снижению обменного взаимодействия и росту прозрачности в видимом диапазоне.
Введение в ортоферриты нетрехвалентных ионов (Са2+ , Si4+ ), как и следовало ожидать, резко снижает прозрачность за счет образования эквивалентных концентраций ионов Fe4+ и Fe2+. Таким образом, при синтезе ортоферритов следует избегать попадания в их структуру ионов с валентностью, отличной от трех.
Спектры поглощения ортоферритов имеют сильную зависимость от температуры. С ростом температуры край фундаментального поглощения резко сдвигается в область длинных волн. Наблюдается незначительное смещение пиков поглощения в область длинных волн. Уровень поглощения в центре полос с ростом температуры практически не меняется, что указывает на путь повышения термостабильности магнитооптических устройств на базе ортоферритов: для этого рабочую длину волны следует выбирать в окрестности центра полос.
Особенностью ортоферритов являются аномально большие по сравнению с Y3FesOi2 абсолютные значения θF, несмотря на то что намагниченность насыщения ортоферритов приблизительно в 20 раз ниже.
В большинстве ортоферритов из-за большого естественного двупреломления фарадеевское вращение, пропорциональное толщине образца, наблюдается только при распространении света вдоль оптической оси, т. е. под углом 50° к оси (001). В YFeO3 θF, измеренное в такой геометрии, достигает 4000 град/см в районе λ = 0,6 мкм и убывает с ростом длины волны по закону, близкому к λ-2 (рис. 1.25). В сложнозамещенных составах с близким к нулю двупреломлением (например, в Nd0,8Pr0,2FeO3) при распространении света вдоль оси (001) θF пропорционально толщине и достигает 8000 град/см в области λ = 0,6 мкм. Спектральная зависимость θF слабо зависит от состава ортоферритов. Значение Ψ в Nd0,8Pr0,2FeO3достигает 14 град/дБ при λ = 0,62 мкм, что превышает значения Ψ для всех известных магнетиков с ТН выше комнатной температуры.
Рис. 1.25. Спектры удельного фарадеевского вращения θF (сплошные линии) и МО добротности Ψ (штриховые линии) ортоферритов YFeO3 И Nd0,8Pr0,2FeO3
В связи с тем, что ортоферриты с близким к нулю двупреломлением содержат крупные ионы цериевой подгруппы, при выращивании из раствора-расплава РЬО—PbF2 они растворяют в себе значительное количество свинца. Поглощение при этом в видимом свете становится недопустимо высоким.
Отличительной особенностью ортоферритов являются высокие подвижность и скорость движения доменных структур, являющиеся следствием ромбических искажений в структуре ортоферрита, делают ортоферриты привлекательными для использования в быстродействующих магнитооптических устройствах.
Возможности управления магнитными свойствами и параметрами доменной структуры в ортоферритах существенно более ограничены по сравнению с феррит-гранатами. Вследствие ограниченных пределов растворимости большинства ионов в ортоферритах не удается в заметных пределах изменять намагниченность, анизотропию, размеры доменов. Все это сужает спектр возможных применений ортоферритов в устройствах управления параметрами светового пучка [1].