
- •Введение
- •1. Научно-исследовательская часть.
- •1.1. Технические требования
- •1.2. Выбор метода регистрации магнитограмм
- •1.2.1. Метод Биттера
- •1.2.2. Магнитная силовая микроскопия
- •1.2.3. Магнитооптические методы
- •1.2.3.1 Магнитооптический эффект Керра
- •1.2.3.2. Магнитооптический эффект Фарадея.
- •1.2.4. Сравнение выбранного магнитооптического метода с другими методами визуализации.
- •1.3. Математическое описание оэурм
- •1.3.1 Поляризатор.
- •1.3.2 Магнитооптический кристалл
- •1.3.3 Анализатор.
- •Материалы для магнитооптических устройств и их основные характеристики
- •1.4.1 Феррит-гранаты
- •1.4.1.1 Кристаллическая структура и параметры решетки.
- •1.4.1.2 Оптическое поглощение.
- •1.4.1.3 Фарадеевское вращение.
- •1.4.1.4 Магнитооптическая добротность.
- •1.4.1.5 Намагниченность насыщения.
- •1.4.1.6 Магнитная анизотропия.
- •1.4.2 Ортоферриты.
- •1.4.3 Металлические аморфные пленки
- •1.4.3.1 Природа магнитного упорядочения и структура.
- •1.4.3.2 Одноосная анизотропия.
- •1.4.3.3 Магнитооптические свойства.
- •2. Конструкторская часть.
- •2.1 Выбор и обоснование конструкции оптико-электронного устройства регистрации магнитограмм
- •2.2 Крепление оптических элементов.
- •2.3 Крепление светодиода.
- •2.4 Крепление фпзс-матрицы.
- •2.5 Крепление магнитооптического кристалла и постоянного магнита.
- •2.6 Сборка осветительной ветви.
- •2.7 Сборка измерительной ветви.
- •2.9 Установка в общий корпус.
- •4. Технологическая часть
- •4.1 Требования к монокристаллической пленке феррит-граната
- •4.2 Изготовление магнитооптического кристалла.
- •2. Ориентация кристалла
- •4.4 Ориентация кристалла
- •4.5 Механообработка подложки
- •4.5.1 Резка подложки на заготовки
- •4.5.2 Шлифование подложки
- •4.5.3 Полирование подложки
- •4.6 Эпитаксиальное выращивание Bi-содержащих мпфг
- •4.7 Нанесение покрытий
- •4.7.1 Нанесение зеркального покрытия термическим испарением в вакууме
- •Установка вакуумная модели ву-1а
- •4.7.2 Нанесение просветляющего покрытия
- •4.8 Разрезание на заготовки 10x10 мм
- •4.8.1 Лазерное скрайбирование
- •4.8.2 Разламывание пластин на кристаллы
- •4.9 Контроль магнитооптических параметров
- •Анализ технологичности изготовления магнитооптического кристалла.
- •4.11 Вывод.
- •5.2 Определение стоимости проектно-конструкторских работ
- •Расчёт простого срока окупаемости инвестиций
- •Расчёт дисконтированного срока окупаемости инвестиций
- •Охрана труда и экология
- •6.1. Анализ вредных и опасных факторов при производстве магнитооптического кристалла
- •6.2 Микроклимат
- •6.4 Освещение
- •6.5 Требования пожарной безопасности
- •6.6 Рентгеновское излучение.
- •6.7 Защита от травмирования
- •6.8 Вентиляция
- •6.9 Химические факторы
- •6.10 Утилизация производственного брака
- •Заключение.
- •Список литературы
- •Приложение 1. Паспорт на фпзс-матрицу.
- •Приложение 2.
1.4.1.3 Фарадеевское вращение.
Введение диамагнитных ионов в феррит-гранаты в общем случае влияет на магнитные и магнитооптические свойства за счет разбавления соответствующих подрешеток.
В удельное фарадеевское вращение самый большой вклад вносят ионы Bi3+. Он в несколько раз выше, чем вклад наиболее магнитооптически активных редкоземельных ионов Рг3+ и Nd3+. Все остальные редкоземельные ионы дают одинаковый по порядку величины вклад в θF (табл. 1.1), причем другого знака, чем Bi3+, Рг3+ и Nd3+. В связи с этим удельное фарадеевское вращение в Bi-содержащих МПФГ слабо зависит от типа редкоземельного иона.
Таблица 1.1. Фарадеевское вращение и МО коэффициенты
Состав |
λ, мкм |
θF ,град/см |
A, град/µв |
D, град/µв |
C, град/µв
|
Y3Fe5О12 |
1,152 |
245 |
50±3 |
29 ± 2 |
0 |
Eu3Fe5О12 |
1,152 |
202 |
55±3 |
33 ±2 |
0 |
Gd3Fe5О12 |
1,152 |
70 |
42,4 ±1,8 |
27,1 ±1,3 |
1 ±0,2 |
Tm3Fe5О12 |
1,152 |
110 |
23 ±7 |
12 ± 6 |
20±4 |
Tb3Fe5О12 |
1,152 |
440 |
9 ± 15 |
10± 11 |
84,4 ±2,5 |
Y3Fe5О12 |
0,633 |
835 |
493,9 |
321,3 |
0 |
Y3Fe3,07Ga1,93 О12 |
0,633 |
0 |
300,1 |
203,1 |
0 |
Y2,35Bi0,65Fe5 О12 |
0,633 |
12 600 |
419,5 |
799,5 |
0 |
Y1,97Bi1,03Fe5 О12 |
0,633 |
19 300 |
876,3 |
1394,1 |
0 |
Рис. 1.21. Спектры удельного фарадеевского вращения МПФГ системы R3-хBiхFe5O12 с различным содержанием висмута
Спектры θF (λ) для МПФГ (R, Bi)3Fe5O12 при T = 295 К приведены на рис. 1.21, откуда видно, что в области λ<0,450 мкм (где знак эффекта Фарадея положительный) в отличие от области λ> 0,450 мкм значения θF при большом содержании Bi достигают нескольких сотен тысяч градусов на сантиметр, т. е. сравнимы со значениями θF в металлических ферромагнетиках. Спектры θF для поликристаллических пленок, полученных катодным распылением, практически совпадают со спектрами МПФГ идентичного состава. Индуцированный висмутом вклад в θF имеет независимо от его содержания одинаковую спектральную зависимость (рис. 1.22), описываемую соотношением θF~λ2λ02/(λ2-λ02)2, характерным для переходов с диамагнитной формой линии.
Рис. 1.22. Спектры удельного фарадеевского вращения Bi-содержащих МПФГ: 1 –Gd1,35Bi1,65Fe5O12(χ=10); 2 – Lu1,29Bi1,71Fe4Ga1O12(χ=6,8); 3 - Lu1,91Bi1,09Fe3,95Ga1,05O12 (χ=4).
1.4.1.4 Магнитооптическая добротность.
Для большинства магнитооптических устройств требуются материалы одновременно с сильным фарадеевским вращением и низким оптическим поглощением, т. е. с высокой МО добротностью.
Спектральная зависимость Ψ для Bi-содержащих МПФГ обнаруживает максимумы вблизи значений 0,560; 0,780 и 1,1 мкм в соответствии со спектральной зависимостью α на рис. 1.23. Введение в состав МПФГ диамагнитных ионов (Ga3+, Аl3+) приводит к одновременному снижению θF и а, в результате чего параметр Ψ слабо зависит от таких замещений. Присутствие примесей свинца ведет к появлению дополнительного поглощения в области коротких длин волн (λ<0,8 мкм), в результате чего максимум Ψ в области λ = 0,56 мкм исчезает. С другой стороны, в ближней ИК области дополнительное поглощение Pb-содержащих пленок близко к нулю, в результате чего параметр достигает в этом диапазоне рекордно высоких значений (50 град/дБ при λ = 0,8 мкм и более 300 град/дБ при λ = 1,3 мкм).
Рис. 1.23. Спектры поглощения α, удельного фарадеевского вращения θF и магнитооптической добротности Ψ для МПФГ составов Lu2Bi1Fe4Ga1O12 (а) и Lu1,5Bi1,5Fe4Ga1O12 (б), содержащих (1, 3) и не содержащих (2, 4) свинец.