2951

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

15.11.2022

Размер:

2.67 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 78 / 88

39	ИЛ «В»	Управление по-	Е=10…30 кэВ, D=0,01…0,1 Для получения на поверхности канала
39	ИЛ «В»	рогом	мкКл/см2	расчетной концентрации примеси (кор-
		рогом	мкКл/см2	расчетной концентрации примеси (кор-
				рекция порогового напряжения n- и p-
40	Х.О.-2		Нелегированный	рекция порогового напряжения n- и p-
40	Х.О.-2		Нелегированный	транзисторов)
				транзисторов)
41	Нанесение	d=0,4…0,6 мкм		Для создания затворов транзисторов и
41	поликремния	d=0,4…0,6 мкм		межсоединений
	поликремния			межсоединений

42	Х.О.-2
43	Диффузия «Р»	Rs=15…25 Ом/	Т=850 °С, t=10 мин	Снижение поверхностного сопротивления
43	Диффузия «Р»	Rs=15…25 Ом/	Т=850 °С, t=10 мин	слоя поликремния

44Снятие ФСС

45Х.О.-2

46	Отжиг	Улучшение	Т=850 °С, t=20 мин
46	Отжиг	адгезии ф/р	Т=850 °С, t=20 мин
		адгезии ф/р
47	Ф/г «Поликремний»			Создание поликремниевых затворов и
				слоя межсоединений в поли-Si
48	ПХТ поликремния			слоя межсоединений в поли-Si

49Снятие ф/р

50Х.О.-2

Формирование исток–стоковых областей

51	Ф/г «Фосфор»			Создание исток—стоковых областей n-
				канальных транзисторов и межсоедине-
52	ИЛ «Аs»	Rs=30…60 Ом/	Е=100 кэВ,	канальных транзисторов и межсоедине-
52	ИЛ «Аs»	Rs=30…60 Ом/	D=500…1500 мкКл/см2	ний в диффузионных областях n-типа
53	ПХУ ф/р
54	Х.О. 2			Создание изоляции по поликремнию, от-
				жиг Аs для получения p–n переходов с
55	Окисление n+	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный НСl	жиг Аs для получения p–n переходов с
55	Окисление n+	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный НСl	xj=0,3…0,4 мкм и Rs=30…60 Ом/
				xj=0,3…0,4 мкм и Rs=30…60 Ом/

	56	Ф/г «Бор»			Создание исток–стоковых областей р-
			Rs=100…200	Е=30 кэВ, D=150…300	Создание исток–стоковых областей р-
	57	ИЛ «В»	Rs=100…200	Е=30 кэВ, D=150…300	канальных транзисторов
	57	ИЛ «В»	Ом/	мкКл/см2	канальных транзисторов
			Ом/	мкКл/см2
	58	Снятие ф/р
	59	Х.О.-2
			Формирование металлизированных межсоединений
	60	Нанесение ФСС	d=1,0 мкм,	Пиролитический процесс	Создание изоляции между
	60	Нанесение ФСС	[Р]=7 %	Пиролитический процесс	поликремнием и алюминием
			[Р]=7 %		поликремнием и алюминием

	61	Х.О.			Планаризация рельефа на ступеньках по-
					ликремния и отжиг бора в исток–стоковых
					ликремния и отжиг бора в исток–стоковых
	62	Оплавление		Т=1000 °С, t=25 мин	областях с хj=0,4…0,5 мкм и Rs=100…200
					Ом/

	63	Ф/г «Контакты 1»			Создание контактных окон к областям n-
					и р-типа и поликремниевым областям
2	64	ПХТ ФСС			и р-типа и поликремниевым областям
7
7	65	ПХУ ф/р
	65	ПХУ ф/р
	66	Снятие ф/р
	67	Х.О.-5
	68	Х.О.-9		Освежение контактов	Удаление естественного слоя окисла в
	68	Х.О.-9		Освежение контактов	контактных окнах
					контактных окнах
	69	Напыление Аl	d=1,2…1,4 мкм		Формирование металлизированной раз-
	70	Ф/г «Металл 1»			Формирование металлизированной раз-
					водки
	71	ПХТ Аl			водки
	72	Снятие ф/р
	73	Х.О.-7			Уменьшение омического сопротивления
					контактов и отжиг заряда в диэлектрике и
	74	Вжигание А1		Т=450…500 °С, t=25 мин, N2	контактов и отжиг заряда в диэлектрике и
	74	Вжигание А1		Т=450…500 °С, t=25 мин, N2	на границе Si—SiO2 затворный
					на границе Si—SiO2 затворный

		Формирование пассивации кристалла
75	Осаждение SiО2	d=1,0 мкм
76	Х.О.-6
77	Ф/г «ВКП»			Вскрытие площадок для приварки
				выводов
78	ПХТ SiО2			выводов
79	ПХУ ф/р
80	Х.О.-7
81	Отжиг		Т=400…450 °С, t=20 мин	Отжиг заряда в диэлектрике
82	Контроль параметров

Технологический маpшpут изготовления КМОП БИС с p-карманом

р-карман, поликремниевый затвор, длина канала 2,5—3,0 мкм, один уровень металла

		Основные
№	Операция	требуемые	Ориентировочные режимы		Примечания
		параметры

1	Фоpмиpование паpтии		КЭФ-4,5 100
2	Х.О.-1
		Фоpмиpование областей карманов
3	Окисление под кар-	d=0,5±0,05 мкм	Т=1000 °С, влажный О	2	Маскирующий окисел
	маны			2
4	Ф/г «Карман»		Фотокопия в фоторезисте
5	Травление SiO2		До кремния		Создание окон для ионного легирова-
5	Травление SiO2		До кремния		ния

	6	Снятие ф/р					Удаление ф/р со всей пластины
	7	Х.О.-2
	8	ИЛ «В» (карман)			Е=50 кэВ, D=1,5 мкКл/см2		Внедрение бора в области карманов
	9	Х.О.-2
	10	Разгонка карманов	хj=5 мкм,		Т=1200 °C, t=3…6 ч, N2		Поверхностная концентрация Nss
	10	Разгонка карманов	Rs=1,8 кОм/		Т=1200 °C, t=3…6 ч, N2		(для расчета Uпор)
			Rs=1,8 кОм/				(для расчета Uпор)
	11	Травление SiO2			Травится весь
				Формирование активных областей
	12	Поднитрид. окисление	d=500 Å		Т=950 °С, влажный О2		Выращивание поднитридного SiO2
	13	Нанесение Si3N4	d=1200 Å				Для защиты кремния от окисления
	14	Х.О.-3
	15	Ф/г «Нитрид»					Создание в Si3N4 рисунка n-областей
	16	ПХТ Si3N4					Создание в Si3N4 рисунка n-областей
	16	ПХТ Si3N4
4	17	ИЛ «В» (охрана)			Е=30 кэВ, D=5…10 мкКл/см	2
7						2
7

	18	Снятие ф/р
	19	Х.О.-2
	20	Разгонка охраны			Т=1000 °С, t=2…3 ч, сух. О2		Разгонка примеси в полевых областях
	20	Разгонка охраны			Т=1000 °С, t=2…3 ч, сух. О2		р-типа

	21	Ф/г «ЛОКОС»					Создание в Si3N4 рисунка р-областей
	22	ПХТ Si3N4					Создание в Si3N4 рисунка р-областей
	22	ПХТ Si3N4
	23	ИЛ «Р» (охрана)			Е=100 кэВ, D=0,1…1,0		Повышение концентрации примеси в
	23	ИЛ «Р» (охрана)			мкКл/см2		полевых областях n-типа
					мкКл/см2		полевых областях n-типа
	24	Снятие ф/р
	25	Х.О.-2
	26	Локальное окисление			T=950 °С, Р=10 атм, пары Н2О		Локальное окисление незащищенных
	26	Локальное окисление			T=950 °С, Р=10 атм, пары Н2О		Si3N4 областей
							Si3N4 областей

	27	Травление SiO2			t=40 с с Si3N4	Стравливание SiO2	с Si3N4
	28	Травление Si3N4				Полное удаление Si3N4	с пластины
	29	Травление SiO2				Травление SiO2 с активных областей
	30	Х.О.-2
				Формирование областей каналов транзисторов
	31	Промежуточное		d=700 Å	Жертвенный окисел	Для снижения эффекта «белой полосы»
	31	окисление		d=700 Å	Жертвенный окисел	Для снижения эффекта «белой полосы»
		окисление
	32	Ф/г «Обеднение»				Вскрытие каналов обедненных транзи-
	32	Ф/г «Обеднение»				сторов
						сторов

	33	ИЛ «Р»			Е=75 кэВ, D=0,1…0,5 мкКл/см2
	34	Снятие ф/р
	35	Травление SiO2				C активных областей
	36	Х.О.-2
5	37	Затворное окисление		d=350 Å	Т=900 °С, влажный НCl	Выращивание подзатворного SiO2
7
	38	Нанесение	d=0,4…0,6 мкм			Для создания затворов транзисторов и
	38	поликремния	d=0,4…0,6 мкм			межсоединений
		поликремния				межсоединений
	39	Х.О.-2
	40	Диффузия «Р» в поли-	R	=15…25 Ом/	Т=850 °С, t=10 мин	Снижение поверхностного сопротивле-
		кремний	s			ния слоя поликремния
	41	Снятие ФСС
	42	Х.О.-2
	43	Ф/г «Поликремний»				Создание поликремниевых затворов и
						слоя межсоединений в поликремнии
	44	ПХТ поликремния				слоя межсоединений в поликремнии
	45	Снятие ф/р
	46	Х.О.-2

			Формирование исток—стоковых областей
	47	Ф/г «Фосфор»			Создание исток—стоковых областей n-
					канальных транзисторов и межсоеди-
	48	ИЛ «Аs»			канальных транзисторов и межсоеди-
	48	ИЛ «Аs»			нений в диффузионных областях n-типа
					нений в диффузионных областях n-типа
	49	Снятие ф/р
	50	Х.О. -2			Создание изоляции по поликремнию,
					отжиг As для получения p–n переходов
	51	Окисление n+-	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный НСl	отжиг As для получения p–n переходов
	51	областей	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный НСl	с xj=0,3…0,4 мкм и Rs=30…60 Ом/
		областей			с xj=0,3…0,4 мкм и Rs=30…60 Ом/
	52	Ф/г «Бор»			Создание исток—стоковых областей
			Rs=100…200	Е=30 кэВ, D=150…300	Создание исток—стоковых областей
	53	ИЛ «В» (и.-с.)	Rs=100…200	Е=30 кэВ, D=150…300	р-канальных транзисторов
	53	ИЛ «В» (и.-с.)	Ом/	мкКл/см2	р-канальных транзисторов
			Ом/	мкКл/см2
	54	Снятие ф/р
	55	Х.О.-2
6			Формирование металлизированных межсоединений
7	56	Нанесение пиролит.	d=0,1 мкм,	Пиролитический процесс	Создание изоляции между
		Нанесение пиролит.	d=0,1 мкм,		Создание изоляции между
		ФСС	[Р]=7 %		поликремнием и алюминием
		ФСС	[Р]=7 %		поликремнием и алюминием

	57	Х.О.			Планаризация рельефа на ступеньках
					поликремния и отжиг ионов бора в ис-
		Оплавление пиролит.			поликремния и отжиг ионов бора в ис-
	58	Оплавление пиролит.		Т=1000 °С, t=25 мин	ток—стоковых областях с xj=0,4…0,5
	58	ФСС		Т=1000 °С, t=25 мин	ток—стоковых областях с xj=0,4…0,5
		ФСС			мкм и Rs=100…200 Ом/
					мкм и Rs=100…200 Ом/
	59	Ф/г «Контакты»			Создание контактных окон к областям
					n- и p-типа и поликремниевым областям
	60	ПХТ пиролит. ФСС			n- и p-типа и поликремниевым областям
	61	Снятие ф/р
	62	Х.О.-5
	63	Х.О.-9		Освежение контактов	Удаление естественного слоя SiO2 в
	63	Х.О.-9		Освежение контактов	контактных окнах
					контактных окнах

	64	Напыление Al-Si	d=1,2…1,4 мкм			Формирование металлизированной
	65	Ф/г «Металл»				Формирование металлизированной
	65	Ф/г «Металл»				разводки
	66	ПХТ Al-Si				разводки
	66	ПХТ Al-Si
	67	Снятие ф/р
	68	Х.О.-7				Уменьшение сопротивления контактов
						и отжиг заряда в диэлектрических сло-
	69	Вжигание		Т=450…500	°С, t=25 мин, N2	и отжиг заряда в диэлектрических сло-
	69	Вжигание		Т=450…500	°С, t=25 мин, N2	ях и на границе Si–SiO2 затворный
						ях и на границе Si–SiO2 затворный
	70	Контроль параметров
			Формирование пассивации кристалла
	71	Нанесение полиимида	d=0,1 мкм			Пассивирующий полиимидный слой
	72	Ф/г «ВКП»				Вскрытие площадок для разварки
						выводов
	73	Нейтрализация				выводов
	74	Отжиг
77	75	Контроль параметров

	ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ	..................................................................................... 3

1.ОСНОВНЫЕ ЭТАПЫ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И

	ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ .........................................................	3
2.	ПРИНЦИПЫ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР ИС ................	7
3.	ОСНОВНЫЕ ГРУППЫ МЕТОДОВ ТЕХНОЛОГИИ
	ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИС..............................................................	10
4.	ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МАРШРУТОВ
	ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР .....................	12
5.	ОСОБЕННОСТИ ПРОИЗВОДСТВА ИС И КРИТЕРИИ
	ПРОГРЕССИВНОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ................................	16
6.	ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ
	ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИС..............................................................	17
7.	ТЕХНОЛОГИИ СБИС .............................................................	24
8.	ТОПОЛОГИЯ СБИС................................................................	35
9.	ТЕХНОЛОГИЯ МЕНЕЕ 20 НМ..............................................	39
10. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПО СОДЕРЖАНИЮ ОТЧЕТА...		41
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ .....................................................		42
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.......................................................................................		44
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК....................................................		45
ПРИЛОЖЕНИЕ........................................................................................		47

Учебное издание

Липатов Геннадий Иванович

ОСОБЕННОСТИ ПРОИЗВОДСТВА ИС

Учебное пособие

Редактор Е. А. Кусаинова

Подписано к изданию 13.09.2019. Объем данных 3,0 Мб.

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 78 / 88

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
15.11.20222.66 Mб02943.pdf
#
15.11.20222.66 Mб12945.pdf
#
15.11.20222.67 Mб12947.pdf
#
15.11.20222.67 Mб02949.pdf
#
15.11.20222.67 Mб02950.pdf
#
15.11.20222.67 Mб32951.pdf
#
15.11.20222.67 Mб02952.pdf
#
15.11.20222.67 Mб62954.pdf
#
15.11.20222.68 Mб12956.pdf
#
15.11.20222.68 Mб22960.pdf
#
15.11.20222.68 Mб32961.pdf