2951

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

15.11.2022

Размер:

2.67 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 67 / 87 8 > Следующая >>>

			Формирование пассивации
	56	Нанесение пиролит. SiO2		Пиролитический процесс
	57	Отжиг
	58	Ф/г «ВКП»
	59	ПХТ пиролит. SiO2
	60	Снятие ф/р
	61	Х.О.
	62	Травление обратной сто-			Для создания низкоомного контакта к
	62	роны			Для создания низкоомного контакта к
		роны			корпусу и уменьшения сопротивления

	63	Напыление Ti
	63	Напыление Ti			области стока
	64	Напыление NiTi			области стока
	64	Напыление NiTi
	65	Контроль параметров
61

Технологический маршрут изготовления n-МОП БИС

Поликремниевый затвор, длина канала 1,5—2,0 мкм, один уровень металлизации

№	Операция	Основные требуе-	Ориентировочные режимы	Примечания
№	Операция	мые параметры	Ориентировочные режимы	Примечания
		мые параметры

1	Фоpмиpование паpтии		КДБ-12 100
2	Х.О.-1
		Фоpмиpование активных областей
3	Поднитрид. окисление	d=500 Å	T=950 °C, влажный О2	Выращивание поднитридного SiO2
4	Нанесение Si3N4	d=1200 Å		Для защиты кремния от окисления
5	Х.О.-6

	6	Отжиг		Т=850 °С, сухой N2	Для улучшения адгезии фоторезиста
	7	Ф/г «Нитрид»			Создание в Si3N4 рисунка активных
					областей
	8	ПХТ Si3N4			областей
	9	ИЛ «В»	Противоинверсия	Е=30 кэВ, D=5…10 мкКл/см2	Повышение концентрации примеси в
					полевых областях
	10	Снятие ф/р
	11	Х.О.-2
	12	Разгонка охраны		Т=1000 °С, t=2…3 ч, сухой О2	Разгонка примеси в полевых областях
	13	Локальное окисление	d=1,0 мкм,	Т=950 °С, Р=10 атм, пары Н2О	Локальное окисление незащищенных
	13	Локальное окисление	«ТЕРМОКОМ»	Т=950 °С, Р=10 атм, пары Н2О	Si3N4 областей
			«ТЕРМОКОМ»		Si3N4 областей
	14	Травление SiO2		t=40 с с Si3N4	Стравливание SiO2	с Si3N4
	15	Травление Si3N4			Полное удаление Si3N4	с пластины
2	16	Травление SiO2			Удаление SiO2 с активных областей
6			Формирование каналов транзисторов
			Формирование каналов транзисторов
	17	Х.О.-2
	18	Затворное окисление			Выращивание подзатворного оксида
	19	Ф/г «Подгонка 1»			Вскрытие канальных областей транзи-
	19	Ф/г «Подгонка 1»			сторов-1
					сторов-1

				Е=30 кэВ,	Получение расчетной концентрации
	20	ИЛ «В»		Е=30 кэВ,	примеси в каналах транзисторов с по-
	20	ИЛ «В»		D=0,05…0,2 мкКл/см2	примеси в каналах транзисторов с по-
				D=0,05…0,2 мкКл/см2	роговым напряжением U1
					роговым напряжением U1
	21	Снятие ф/р
	22	Х.О.-2
	23	Ф/г «Подгонка 2»			Вскрытие канальных областей транзи-
	23	Ф/г «Подгонка 2»			сторов-2
					сторов-2

				Е=100 кэВ,	Получение расчетной концентрации
	24	ИЛ «В»		Е=100 кэВ,	примеси в каналах транзисторов с по-
	24	ИЛ «В»		D=0,05…0,2 мкКл/см2	примеси в каналах транзисторов с по-
				D=0,05…0,2 мкКл/см2	роговым напряжением U2
					роговым напряжением U2
	25	Снятие ф/р
	26	Х.О.-2
	27	Ф/г «Обеднение»			Вскрытие канальных областей транзи-
	27	Ф/г «Обеднение»			сторов-3
					сторов-3
	28	ИЛ «Р»		Е=100 кэВ,	Получение расчетной концентрации
	28	ИЛ «Р»		D=0,10…0,5 мкКл/см2	примеси в каналах транзисторов с по-
				D=0,10…0,5 мкКл/см2	примеси в каналах транзисторов с по-
					роговым напряжением U3 (обедн.)
	29	Снятие ф/р			роговым напряжением U3 (обедн.)
	30	Х.О.-2
	31	Нанесение поликрем-	d=0,4…0,6 мкм		Для создания затворов транзисторов и
	31	ния	d=0,4…0,6 мкм		межсоединений
		ния			межсоединений
63
63	32	Х.О.-2
	32	Х.О.-2
	33	Диффузия ″Р″	Rs=15…25 Ом/	Т=850 °С, t=10 мин	Снижение поверхностного сопротив-
	33	Диффузия ″Р″	Rs=15…25 Ом/	Т=850 °С, t=10 мин	ления слоя поликремния
	34	Снятие ФСС
	35	Х.О.-2
	36	Отжиг	Улучшение	Т=850 °С, t=20 мин
	36	Отжиг	адгезии ф/р	Т=850 °С, t=20 мин
			адгезии ф/р

	37	Ф/г «ПолиSi»			Создание поликремниевых затворов и
					слоя межсоединений в поликремнии
	38	ПХТ полиSi			слоя межсоединений в поликремнии
	39	Снятие ф/р
	40	Х.О.-2
			Формирование сток—истоковых областей

				Е=100 кэВ,	Создание областей стока—истока
	41	ИЛ «As»	Rs=30…60 Ом/	Е=100 кэВ,	транзисторов и межсоединений в
	41	ИЛ «As»	Rs=30…60 Ом/	D=500…1500 мкКл/см2	транзисторов и межсоединений в
					диффузионных областях
	42	Х.О.-2			Создание изоляции по поликремнию,
					отжиг As для получения p–n переходов
	43	Окисление n+	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный HCl	отжиг As для получения p–n переходов
	43	Окисление n+	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный HCl	с хj=0,3…0,4 мкм и Rs=30…60 Ом/
					с хj=0,3…0,4 мкм и Rs=30…60 Ом/
			Формирование металлизированных межсоединений
	44	Нанесение ФСС	d=1,0 мкм, [Р]=7 %	Пиролитический процесс	Создание изоляции между поликрем-
	44	Нанесение ФСС	d=1,0 мкм, [Р]=7 %	Пиролитический процесс	нием и Al
					нием и Al

	45	Х.О.
	46	Оплавление		Т=1000 °С, t=25 мин	Планаризация рельефа на ступеньках
	46	Оплавление		Т=1000 °С, t=25 мин	поликремния
					поликремния

	47	Ф/г «Контакты 1»			Создание контактных окон к областям
64					Создание контактных окон к областям
64	48	ПХТ ФСС			n-типа и поликремниевым
	48	ПХТ ФСС			n-типа и поликремниевым

	49	ПХУ ф/р
	50	Снятие ф/р
	51	Х.О.-5
	52	Диффузия «Р» в кон-		Т=850 °С, t=5 мин	Уменьшение сопротивления контактов
	52	такты		Т=850 °С, t=5 мин	Уменьшение сопротивления контактов
		такты

	53	Х.О.-9		Освежение контактов	Удаление ФСС в контактных окнах
	54	Напыление Al	d=1,2…1,4 мкм		Формирование металлизированной
	55	Ф/г «Металл 1»			Формирование металлизированной
	55	Ф/г «Металл 1»			разводки
	56	ПХТ Al			разводки
	56	ПХТ Al
	57	Снятие ф/р
	58	Х.О.-7
	59	Вжигание Al		T=450…500 °C, t=25 мин, N2

Формирование пассивации кристалла

60	Осаждение пиролит.	d=1,0 мкм	Пиролитический процесс
60	SiO2	d=1,0 мкм	Пиролитический процесс
	SiO2
61	Х.О.-6
62	Ф/г «ВКП»			Вскрытие площадок для приварки вы-
				водов ИС
63	ПХТ пиролит. SiO2			водов ИС
64	ПХУ ф/р
65	Х.О.-7
66	Отжиг		T=400…500 °С, t=20 мин	Отжиг заряда в диэлектрике
67	Контроль параметров

Технологический маpшpут изготовления p-МОП БИС

p-канал, поликремниевый затвор, длина канала 2,5—3,0 мкм, один уровень металлизации

		Основные
№	Операция	требуемые	Ориентировочные режимы	Примечания
		параметры

1	Фоpмиpование паpтии		КЭФ-4,5 100
1	Фоpмиpование паpтии		КЭФ-4,5 100
2	Х.О.-1
		Фоpмиpование активных областей
3	Поднитрид. окисление	d=500 Å	T=950 °C, влажный О2	Выращивание поднитридного SiO2
4	Нанесение Si3N4	d=1200 Å		Для защиты кремния от окисления
5	Х.О.-2
6	Отжиг		Т=850 °С, сухой N2	Для улучшения адгезии фоторезиста
7	Ф/г «Нитрид»			Создание в Si3N4 рисунка активных
				областей
8	ПХТ Si3N4			областей

	9	ИЛ «Р»	Противоинверсия	Е=50 кэВ,		Повышение концентрации примеси в
	9	ИЛ «Р»	Противоинверсия	D=0,1…1,0 мкКл/см2		Повышение концентрации примеси в
						полевых областях
	10	Снятие ф/р				полевых областях
	10	Снятие ф/р
	11	Х.О.-2
	12	Разгонка охраны		Т=1000 °С, t=0,5…1 ч, сух. О2		Разгонка примеси в полевых областях
	13	Локальное окисление	d=1,0 мкм,	Т=950 °С, Р=10 атм,		Локальное окисление незащищенных
	13	Локальное окисление	«ТЕРМОКОМ»	пары H2О		нитридом областей
			«ТЕРМОКОМ»	пары H2О		нитридом областей
	14	Травление SiO2		t=40 с с Si3N4		Стравливание SiO2 с Si3N4
	15	Травление Si3N4				Полное удаление Si3N4 с пластины
	16	Травление SiO2				Удаление SiO2 с активных областей
			Формирование каналов транзисторов
	17	Х.О.-2
66	18	Затворное окисление	d=350 Å	T=900 °C, влажный HCl		Выращивание подзатворного SiO2
66	19	Ф/г «Подгонка»				Вскрытие канальных областей транзи-
						Вскрытие канальных областей транзи-
						сторов-1
						сторов-1
	20	ИЛ «В»		Е=100 кэВ,		Получение расчетной концентрации
	20	ИЛ «В»		D=0,01…0,5 мкКл/см2		примеси в каналах транзисторов с по-
				D=0,01…0,5 мкКл/см2		примеси в каналах транзисторов с по-
						роговым напряжением U1
	21	Снятие ф/р				роговым напряжением U1
	22	Х.О.-2
	23	Ф/г «Обеднение»				Вскрытие канальных областей транзи-
	23	Ф/г «Обеднение»				сторов-2
						сторов-2

	24	ИЛ «В»		E=40 кэВ, D=0,1…0,5 мкКл/см	2	Получение расчетной концентрации
	24	ИЛ «В»		E=40 кэВ, D=0,1…0,5 мкКл/см		примеси в каналах транзисторов с по-
	25	Снятие ф/р				примеси в каналах транзисторов с по-
	25	Снятие ф/р				роговым напряжением U2 (обедн.)
	26	Х.О.-2

	27	Нанесение	d=0,4…0,6 мкм		Для создания затворов транзисторов и
	27	поликремния	d=0,4…0,6 мкм		межсоединений
		поликремния			межсоединений
	28	Х.О.-2
	29	Диффузия ″Р″	Rs=15…25 Ом/кв	Т=850 °С, t=10 мин	Снижение поверхностного сопротив-
	29	Диффузия ″Р″	Rs=15…25 Ом/кв	Т=850 °С, t=10 мин	ления слоя поликремния

	30	Снятие ФСС
	31	Х.О.-2
	32	Отжиг	Улучшение	Т=850 °С, t=20 мин
	32	Отжиг	адгезии ф/р	Т=850 °С, t=20 мин
			адгезии ф/р

	33	Ф/г «Поликремний»			Cоздание поликремниевых затворов и
					слоя межсоединений в поликремнии
	34	ПХТ поликремния			слоя межсоединений в поликремнии
	35	Снятие ф/р
	36	Х.О.-2
67			Формирование области стока—истока
				Е=30 кэВ,	Создание исток—стоковых областей
	37	ИЛ «В»	Rs=50…200 Ом/	Е=30 кэВ,	транзисторов и межсоединений в диф-
	37	ИЛ «В»	Rs=50…200 Ом/	D=200…500 мкКл/см2	транзисторов и межсоединений в диф-
					фузионных областях
	38	Х.О.-2			Создание изоляции по поликремнию,
	38	Х.О.-2			отжиг бора для получения p–n перехо-
					отжиг бора для получения p–n перехо-
					дов с xj=0,3…0,4 мкм и Rs=50…200
	39	Окисление	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный HCl	дов с xj=0,3…0,4 мкм и Rs=50…200
	39	поликремния	d=0,2 мкм	Т=950 °С, влажный HCl	Ом/
		поликремния			Ом/

			Формирование металлизированных межсоединений
	40	Нанесение пиролит.	d=1,0 мкм,	Пиролитический процесс	Создание изоляции между поликрем-
	40	ФСС	[Р]=7 %	Пиролитический процесс	нием и алюминием
		ФСС	[Р]=7 %		нием и алюминием

	41	Х.О.

	42	Оплавление		Т=1000 °С, t=25 мин	Планаризация рельефа на ступеньках
	42	Оплавление		Т=1000 °С, t=25 мин	поликремния
					поликремния
	43	Ф/г «Контакты 1»			Создание контактных окон к областям
					p-типа и поликремниевым областям
	44	ПХТ пиролит. ФСС			p-типа и поликремниевым областям
	45	ПХУ ф/р
	46	Снятие ф/р
	47	Х.О.-5
	48	Х.О.-9		Освежение контактов	Удаление слоя ФСС в контактных ок-
	48	Х.О.-9		Освежение контактов	нах
					нах

	49	Напыление Al	d=1,2…1,4 мкм		Формирование металлизированной
	50	Ф/г «Металл 1»			Формирование металлизированной
	50	Ф/г «Металл 1»			разводки
	51	ПХТ А1			разводки
	51	ПХТ А1
68	52	Снятие ф/р
68	53	Х.О.-7
	53	Х.О.-7
	54	Вжигание А1		Т=450…500 °С, t=25 мин, N2
			Формирование пассивации кристалла
	55	Осаждение SiO2	d=1,0 мкм	Пиролитический процесс
	56	Х.О.-6
	57	Ф/г «ВКП»			Вскрытие площадок для приварки
					выводов ИС
	58	ПХТ SiO2			выводов ИС
	59	ПХУ ф/р
	60	Х.О.-7
	61	Отжиг		Т=400…450 °С, t=20 мин	Отжиг заряда в диэлектрике
	62	Контроль параметров

Технологический маршрут изготовления КМОП БИС с n-карманом

n-карман, поликремниевый затвор, длина канала 1,5–2,0 мкм, один уровень металлизации

		Основные
№	Операция	требуемые	Ориентировочные режимы	Примечания
		параметры

1	Фоpмиpование паpтии		КДБ-12 100
2	Х.О.-1
		Фоpмиpование областей карманов
3	Окисление	d=0,5±0,05 мкм	Т=1000 °С, влажный О2	Маскирующий окисел
4	Ф/г «Карманы»		Фотокопия в фоторезисте
5	Травление SiO2		До кремния	Создание окон для ионного легирования
6	Снятие ф/р			Удаление ф/р со всей пластины
7	Х.О.-2
8	Окисление	d=500 Å	Т=900 °С, влажный О2	Защита кремния от загрязнений при ИЛ
9	ИЛ «Р»		Е=100 кэВ,	Внедрение фосфора в области карманов
9	ИЛ «Р»		D=0,85 мкКл/см2	Внедрение фосфора в области карманов
			D=0,85 мкКл/см2
10	Х.О.-2
11	Разгонка карманов	хj=4 мкм, Rs=1,8	Т=1200 °С, t=3…6 ч, N2	Поверхностная концентрация Nss
11	Разгонка карманов	кОм/	Т=1200 °С, t=3…6 ч, N2	(для расчета Uпор)
		кОм/		(для расчета Uпор)
13	Х.О.-2
		Формирование активных областей
14	Поднитрид. окисление	d=500 Å	Т=950 °С, влажный О2	Выращивание поднитридного SiO2
15	Нанесение Si3N4	d=1200 Å		Для защиты кремния от окисления
16	Х.О.-6
17	Отжиг		Т=850 °С, сухой N2	Для улучшения адгезии фоторезиста
18	Ф/г «Нитрид»			Создание в Si3N4 рисунка р-областей

	19	ПХТ Si3N4
	20	ИЛ «Р»		Е=75 кэВ,	Повышение концентрации примеси в по-
	20	ИЛ «Р»		D=0,2…1,0 мкКл/см2	левых областях n-типа
				D=0,2…1,0 мкКл/см2	левых областях n-типа
	21	Снятие ф/р
	22	Х.О.-2
	23	Ф/г «ЛОКОС»			Создание в Si3N4 рисунка p-областей
	24	ПХТ Si3N4			Создание в Si3N4 рисунка p-областей
	24	ПХТ Si3N4
				Е=30 кэВ,	Повышение концентрации примеси в поле-
	25	ИЛ «В»		Е=30 кэВ,	вых областях р-типа (противоинверсное
	25	ИЛ «В»		D=5…10 мкКл/см2	вых областях р-типа (противоинверсное
				D=5…10 мкКл/см2	легирование)
					легирование)
	26	Снятие ф/р
	27	Х.О.-2
	28	Разгонка охраны		Т=1000 °С, t=2…3 ч, сух. О2	Разгонка примеси в полевых областях
	29	Локальное окисление	d=1,0 мкм,	Т=950 °С, Р=10 атм,	Локальное окисление незащищенных
70	29	Локальное окисление	«ТЕРМОКОМ»	пары Н2О	нитридом областей
70

	30	Травление SiO2		t=40 с с Si3N4	Стравливание SiO2 c Si3N4
	31	Травление SiO2			Полное удаление Si3N4 с пластины
	32	Травление SiO2			Удаление SiO2 с активных областей
			Формирование каналов транзисторов
	33	Х.О.-2
	34	Затворное окисление	d=350 Å	Т=900 °С, влажный HC1	Выращивание подзатворного SiO2
	35	Ф/г «Подгонка»			Вскрытие n-канальных областей
	36	ИЛ «В»	Противосмыка-	Е=100 кэВ,	Для повышения концентрации примеси в
	36	ИЛ «В»	ние	D=0,05…0,2 мкКл/см2	глубине канала (предотвращения смыка-
			ние	D=0,05…0,2 мкКл/см2	глубине канала (предотвращения смыка-
					ния сток—истоковых областей)
	37	Снятие ф/р			ния сток—истоковых областей)
	38	Х.О.-2

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 67 / 87 8 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
15.11.20222.66 Mб02943.pdf
#
15.11.20222.66 Mб12945.pdf
#
15.11.20222.67 Mб12947.pdf
#
15.11.20222.67 Mб02949.pdf
#
15.11.20222.67 Mб02950.pdf
#
15.11.20222.67 Mб32951.pdf
#
15.11.20222.67 Mб02952.pdf
#
15.11.20222.67 Mб62954.pdf
#
15.11.20222.68 Mб12956.pdf
#
15.11.20222.68 Mб22960.pdf
#
15.11.20222.68 Mб32961.pdf