Файловый архив студентов. Файловый архив студентов.
1295 вузов, 5022 предметов.
/ Регистрация
FAQ Обратная связь Вопросы и предложения
Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Пермский национальный исследовательский политехнический университет
Предмет:
[НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Файл:
Проектирование усилителей низкой частоты на биполярных транзисторах..pdf
Скачиваний:
23
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
3.02 Mб
Скачать
☆
►Содержание►

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.Жеребцов И.П. Основы электроники / И.П. Жеребцов. - 5-е изд. - Л.: Энергоатомиздат, 1990. - 400 с.

2.Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем / И.П. Степаненко. - 4-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1977. - 672 с.

3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники

учеб, пособие для

вузов / И.П. Степаненко. - 2-е изд., перераб. и доп. -

М.: Лаборатория ба­

зовых знаний, 2001. - 488 с.

 

4. Апериодические усилители на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет / Под ред. Р.А. Валитова, А.А. Куликовского. - М.: Сов. радио, 1968. - 300 с.

5. Цыкина А.В. Электронные усилители учеб, пособие для техни­ кумов связи / А.В. Цыкина. - 2-е изд., пререраб. - М.: Радио и связь, 1982.

-2 8 8 с.

6.Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные : справочник: в 4 т. Т. 2 / В.М. Петухов. - 2-е изд., испр. - М.: ИП РадиоСофт, 2001. - 544 с.

7.Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам / В.Ю. Лавриненко. - 7-е изд., перераб. - Киев: Техшка, 1973. - 576 с.

8. Резисторы справочник / Под ред. И.И. Четверткова, В.М. Тере­ хова. - 2-е изд. - М.: Радио и связь, 1991. - 246 с.

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию

Пермский государственный технический университет Кафедра электротехники и электромеханики

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовой работе по дисциплине «Физические основы электроники»

Тема: Расчёт усилителя низкой частоты на биполярных транзисторах

Вариант №

Студент: И.И. Петров Группа: ЭМ-02 Преподаватель: И.И. Иванов

Пермь 2006

Поз.

Обозна­

чение

1

*1

R 2

Наименование

Кол.

Примечание

2

3

4

Резисторы

 

 

МЛТ-0,1 2 5 -6 8 кОм±Ю %

1

 

МЛТ-0,1 2 5 -2 ,2 Ом±10 %

1

 

Транзисторы

V T П4АЭ

2

Изм. Лист

№ документа Подп.

Дата

 

 

 

Разработал

И.П. Павлов

Схема 3Jпектриче-

Лит.

Лист

Листов

Проверил

С.П. Сидоров

ская при]нципиаль-

к

44

1

 

 

ная усил]ителя низ-

 

ПГТУ

 

Н.контр.

 

кой част(л ы . Пере-

 

ЭМ-00

 

Утвердил

 

чень эл[ементов

 

 

 

Порядок выбора резисторов в схеме усилительного каскада

Диапазон номинальных сопротивлений резисторов общего назначе­ ния 1 Ом-Ю МОм, номинальные мощности рассеяния 0,125-100 Вт, до­ пустимые отклонения сопротивления от номинального значения ±1; ±2; ±5;

±10; ±20% .

Для оценки свойств резисторов используются следующие основные параметры: номинальное сопротивление; допустимое отклонение величи­ ны сопротивления от номинального значения (допуск), номинальная мощ­ ность рассеяния, предельное напряжение, температурный коэффициент сопротивления, коэффициент напряжения, уровень собственных шумов, собственные емкость и индуктивность.

Номинальное сопротивление резистора RH- это электрическое со­ противление, значение которого обозначено на резисторе или указано в сопроводительной документации. ГОСТ 2825-67 устанавливает для рези­ сторов шесть рядов номиналов сопротивлений: Е6; Е12; Е24; Е48; Е96; Е192 (цифра указывает число номинальных сопротивлений в ряду). Число­ вые коэффициенты, умножаемые на любое число, кратное 10, для посто­ янных резисторов общего применения по наиболее применяемому на прак­ тике ряду Е24, имеют значения 1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1.

Допуск - максимально допустимое отклонение реальной величины сопротивления резистора от его номинального значения, которое выража­ ется в процентах.

Номинальная мощность рассеяния резистора Рн - это наибольшая мощность, которую резистор может рассеивать в течение гарантированно­ го срока службы при сохранении параметров в установленных пределах. Для нормальной работы резистора необходимо, чтобы мощность, выде­ ляемая на резисторе в данной электрической цепи, не превышала номи­ нальной мощности рассеяния: Рн > Рпотр или Рн> /2 • R.

Существуют различные обозначения резисторов. Наиболее широко применяемые металлопленочные лакированные теплостойкие резисторы обозначаются, например, МЛТ, ОМЛТ, С2-СЗ, С2-33 и т.д.

Пример расчета сопротивления резистора, выбора номинала и допус­

тимой мощности рассеяния:

 

 

д _ £ п -Ц>э = 24 -0,74

387,6-103 О м,

ho

60 1 (Г6

 

ближайшим номиналом по ряду Е24 выбираем резистор сопротивлением R = 390 кОм. Мощность, потребляемая резистором,

PR= (60-10-6) ^ - 103 = 1,4 мВт.

На основании вышеприведенных расчетов выбран резистор, напри­ мер, марки С2-23, сопротивлением R = 390 кОм и номинальной мощно­ стью рассеяния Рн = 125 мВт (Рн » P R ), который обеспечивает надежную работу в схеме.

Более подробную информацию о резисторах можно получить в спра­ вочнике [8].

Тип тран­ Струк­ зистора тура

П210А

р-п-р

П210Б

- « -

П210В

- « -

П211

П212

 

 

 

П212А

-

« -

П302

ПЗОЗ

-

« -

ПЗОЗА

- « -

П304

-

« -

П306

- «

-

П306А

-

«

-

ГТ403А

- «

 

ГТ403Б

-

ГТ403В

 

 

 

ГТ403Г

-

«

-

ГТ403Д

- «

-

ГТ403Е

 

 

-

ГТ403Ж

- «

 

ГТ403И

 

 

 

ГТ403Ю

 

 

 

Биполярные транзисторы средней и большой мощности для УНЧ

^Ктах?

 

^Кшах,

^Кшах,

 

 

Наличие статических

/гр

^21Э

/ ко, мкА

характеристик

Р К, т max? Вт

 

В

А

 

 

в схемах с ОБ, ОЭ

 

 

Средней мощности ]ИЧ[7] _____ _____________ ^------------------- .-----------

1,5; 60'

100 кГц

65

12

15

8 ма

ОБ, ОЭ

1,5; 45’

100 кГц

65

12

10

15 ма

ОБ, ОЭ

1,5; 45*

100 кГц

45

12

10

15 ма

ОБ, ОЭ

0,75

1 МГц

50

—

50-150(200)

50 (300)

ОБ, ОЭ

0,75

1 МГц

70

—

20-60(75)

50 (300)

ОБ, ОЭ

0,75

1 МГц

70

—

50-150(200)

50 (300)

ОБ, ОЭ

1; 10’

200 кГц

35

-

10

100(1500)

ОЭ вых.

1; 10'

100 кГц

60

—

6

100(1500)

ОЭ вых.

1; 10'

100 кГц

60

-

6

100(1500)

ОЭ вых.

1; 10'

100 кГц

60

-

5

100(1500)

ОЭ вых.

1; 10'

50 кГц

60

-

7-30

100(1500)

ОБ, ОЭ

1; 10'

50 кГц

80

-

5-50

100(1500)

ОБ, ОЭ

Д оЗ'

8 кГц

45

1,25

20-60

50

ОБ, ОЭ

Д оЗ'

8 кГц

45

1,25

50-150

50

ОБ, ОЭ

ДоЗ'

8 кГц

60

1,25

20-60

50

ОБ, ОЭ

ДоЗ'

6 кГц

60

1,25

50-150

50

ОБ, ОЭ

Д оЗ'

6 кГц

60

1,25

50-150

50

ОБ, ОЭ

Д оЗ'

8 кГц

60

1,25

30

50

ОБ, ОЭ

ДоЗ'

8 кГц

80

1,25

20-60

50

ОБ, ОЭ

Д оЗ’

8 кГц

80

1,25

30

50

ОБ, ОЭ

ДоЗ'

8 кГц

45

1,25

30-60

50

ОБ, ОЭ

Тип тран­ Струк­ зистора тура

П4АЭ р-п-р (МП4А)

П4БЭ - « - (МП4Б) - « - П4ВЭ (МП4В)

П4ГЭ

(МП4Г)

П4ДЭ

(МП4Д)

П701 п-р-п П701А - « - П702 - « - П702А - « - П702Б КТ801А - « - КТ801Б КТ802А КТ803А КТ805А КТ805Б —« -

РКmax?

 

^Ктах>

^Кшах»

 

 

 

Наличие статических

/гр

^21Э

/ко, мкА

характеристик

Р К, т шах> Вт

 

В

А

 

 

 

в схемах с ОБ, ОЭ

 

 

Большой МОЩНОСТИ НЧ [7]

0,5 ма

ОБ, ОЭ

1; 20'

150 кГц

50

5

5 (Кр = 20 дБ)

1; 20'

150 кГц

50

5

5 (Кр = 20 дБ)

0,5 ма

ОБ, ОЭ

3; 25'

150 кГц

60

5

15-40

0,4 ма

ОБ, ОЭ

3; 25’

150 кГц

60

5

Кр = 23 дБ

0,4 ма

ОБ, ОЭ

3; 25'

150 кГц

35

5

10 (Кр = 20 дБ)

0,4 ма

ОБ, ОЭ

3; 25'

150 кГц

35

5

10 (Кр = 20 дБ)

0,4 ма

ОБ, ОЭ

3; 25'

150 кГц

50

5

15-30

0,4 ма

ОБ, ОЭ

3; 25'

150 кГц

50

5

Кр = 27 дБ

0,4 ма

ОБ, ОЭ

3; 25'

150 кГц

50

5

30 (Кр = 30 дБ)

0,4 ма

ОБ, ОЭ

3:25'

150 кГц

50

5

30 (Кр = 30 дБ)

0,4 ма

ОБ, ОЭ

 

 

Большой мощности СЧ [71

100

 

ОЭ

1; 10'

20 МГц

40

0,5

10-40,10-90

 

1; 10'

20 МГц

60

0,5

15-60, 15-120

100

 

ОЭ

4; 40'

—

60

2

 

-

 

ОЭ вых.

4; 40'

1 МГц

60

2

25

5

ма

ОЭ вых.

4; 40'

1 МГц

60

2

10

2,5 ма

—

5'

10 МГц

80

2

15-50

10

ма

ОБ вх.

5'

10 МГц

60

2

30-150

10 ма

ОЭ вых.

50'

10 МГц

150(90)

5

15

60

ма

ОЭ

60'

20 МГц

60

10

10-70

5

ма

ОЭ

30’

20 МГц

60

5

15

15

ма

ОЭ терм.

30'

20 МГц

60

5

15

15

ма

ОЭ терм.

Тип тран­ Струк­

^Кгпах»

/гр

^ /с т а х ,

/стах,

Н \ э

/ко, мкА

Наличие статических харак­

зистора

тура

Р К. т шах» Вт

В

А

теристик в схемах с ОБ, ОЭ

 

 

 

 

 

 

 

 

Большой МОЩНОСТИ вч т

10

мА

 

КТ902А п-р-п

30'

35 МГц

60

5

15

ОЭ

КТ903А

—« -

30'

120 МГц

65

3

15-70

10 мА

ОЭ

КТ903Б

- « -

30'

120 МГц

65

3

40-180

10 мА

ОЭ

КТ904А

—« —

5'

350 МГц

60

0,8

10

1,5

мА

ОЭ,ОБ вх.

КТ904Б

- « -

5'

300 МГц

60

0,8

10

1,5

мА

—« —

Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные [6]

Тип тран­ Струк­ зистора тура

КТ710А п-р-п 2Т819А —« - 2Т819Б - « - 2Т819В - « - 2Т819А2 - « - 2Т819Б2 - « - 2Т819В2 - « - КТ819А - « - КТ819Б —« — КТ819В - « - КТ819Г

РKmах?

 

Лр.

^Кгпах,

/<тах»

^21Э

/ко, мкА

Наличие статических харак­

Р К, т шах» Вт

МГц

В

А

теристик в схемах с ОБ, ОЭ

 

2 мА

50'

3-5-12

3000

5

3,5

 

ОЭ

3; 100'

-

« -

100

15

20

- « -

—« -

3; 100’

—« —

80

15

20

—« -

—« —

3; 100’

-

« -

60

15

20

-

« -

-

« —

1; 40'

—« -

100

15

20

-

« -

-

« -

1; 40'

-

« -

80

15

20

-

« -

 

 

1; 40'

-

« -

60

15

20

-

« -

—« -

1,5; 60'

-

« -

40

10

15

1

мА

-

« -

1,5; 60'

-

« -

50

10

20

1

мА

-

« —

1,5; 60’

—« —

70

10

15

1

мА

- « -

1,5; 60'

 

 

100

10

12

1

мА

 

 

Тип транзи­

Струк­

РКшах?

/гр»

^Ктах>

■^Ктах>

^21Э

/ко, мкА

Наличие статических харак­

стора

тура

т тах> Вт

МГц

В

А

теристик в схемах с ОБ, ОЭ

 

 

 

 

КТ819АМ п-р-п

1,5; 60'

3-5-12

40

15

 

15

1

мА

о э

КТ819БМ

- « -

2; 100’

 

50

15

 

20

1

мА

—« -

КТ819ВМ

- « -

2; 100’

 

70

15

 

15

1

мА

- « -

КТ819ГМ

2; 100’

 

100

15

 

12

1

мА

- « —

КТ819А1

- « -

2; 100’

- « -

40

15

 

15

1

мА

- « -

КТ819Б1

- « -

2; 100’

50

15

 

20

1

мА

- « -

КТ819В1

- « -

2; 100’

- « -

70

15

 

15

1

мА

- « -

КТ819Г1

2; 100'

- « -

90

15

 

12

1

мА

- « -

2Т826А

п-р-п

15'

6

700

1

10-120

2 мА

о э

2Т826Б

—« —

15'

6

700

1

10-120

2 мА

- « -

2Т826В

- « —

15'

6

700

1

10-120

2 мА

- « -

2Т826А-5

- « —

15'

6

700

1

10-120

2 мА

—«—

КТ826А

—«-

15'

6

700

1

10-120

2 мА

- « -

КТ826Б

—«—

15'

6

700

1

5

-300

2 мА

- « -

КТ826В

15'

6

700

1

5

-120

2 мА

2Т827А

п-р-п

125'

4

100

20

750

-18000

3 мА

оэ

2Т827Б

- « -

125'

4

80

20

750

-18000

3 мА

- « -

2Т827В

 

125'

4

60

20

750

-18000

3 мА

 

2Т826А-5

- « -

125'

4

100

20

750

-18000

3 мА

 

КТ827А

125'

4

100

20

750

-18000

3 мА

- « -

КТ827Б

—«—

125'

4

80

20

750

-18000

3 мА

КТ827В

 

125'

4

80

20

750

-18000

3 мА

- « -

Тип тран­

Струк­

зистора

тура

2Т831А

п-р-п

2Т831Б

-

« -

2Т831В

-

« -

2Т831Г

 

 

2Т831В-1

 

 

2Т831Г-1 - « -

КТ864А

п-р-п

2Т882А

п-р-п

2Т882Б

-

« —

2Т882В

—« —

2Т884А

-

« -

2Т884Б

- « —

2Т708А

р-п-р

2Т708Б

-

« -

2Т708В

-

« -

КТ712А

р-п-р

КТ712Б

 

 

2Т818А

р-п-р

2Т818Б

-

« -

2Т818В

-

« -

2Т818А2

—« —

2Т817Б2

 

 

2Т818В2

 

 

^Kmaxi

л , .

^Ктах»

Летах,

^21Э

/ко, мкА

Наличие статических харак­

Р К, т maxi Вт

МГц

В

А

теристик в схемах с ОБ, ОЭ

 

 

 

1; 5’

4-50

35

2

25

-200

0,1-100

 

о э

1; 5'

4-50

60

2

25

-200

0,1-100

—« -

1; 5’

4-50

80

2

25

-200

0,1-100

—« -

1; 5’

4-50

100

2

20

-150

0,1-100

-

« -

1; 25'

4-15

80

2

25

-200

0,1-100

 

 

1; 25*

4-15

100

2

25

-200

0,1-100

-

« -

1,5; 100'

15

200

10

40

-200

100

 

ОЭ

1; 10'

10

800

2

6

-25

0,2 мА

 

ОЭ

1; 10'

10

600

2

6

-25

0,2 мА

-

« -

1; 10'

10

—

2

6

-25

0,2 мА

—« —

1; 15'

10

800

2

6

-25

0,2 мА

 

 

1; 15'

10

600

2

6

-25

0,2 мА

—« —

0,7; 5»

3

100

2,5

500

—

 

о э

- « -

3

80

2,5

750

—

-

« -

—« —

3

60

2,5

750

- « -

—

1,5; 50’

3

200

10

500

1 мА

 

о э

1,5; 50'

3

160

10

400

1 мА

—« —

3; 100’

3

100

15

 

20

—

о э

3; 100'

3

80

15

 

20

—

-

« -

3; 100'

3

60

15

 

20

_

-

« -

1; 40'

3

100

15

 

20

—

-

« -

1; 40'

3

80

15

 

20

_

 

 

1; 40*

3

60

15

 

20

-

 

 

Тип тран­

Струк­

^Кшахз

/гр»

t^Kmax)

■^Ктах»

 

 

 

Наличие статических

hi\3

/ ко, мкА

характеристик в схемах

зистора

тура

^К ,т max? Вт

МГц

В

А

 

 

 

с ОБ, ОЭ

КТ818А

р-п-р

1,5; 60'

3

40

10

15

1

мА

о э

КТ818Б

- « -

1,5; 60'

3

50

10

20

1

мА

- « —

КТ818В

- « ~

1,5; 60'

3

70

10

15

1

мА

 

КТ818Г

1,5; 60'

3

90

10

12

1 мА

—« —

КТ818АМ

- « -

2; 100’

3

40

15

15

1

мА

КТ818БМ

- « -

2; 100'

3

50

15

20

1

мА

- « -

КТ818ВМ

 

2; 100'

3

70

15

15

1

мА

 

КТ818ГМ

- « ~

2; 100'

3

90

15

12

1

мА

- « -

КТ818А1

100'

3

40

15

15

1

мА

КТ818Б1

- « —

100'

3

50

15

20

1

мА

- « -

КТ818В1

- « -

100'

3

70

15

15

1

мА

- « -

КТ818Г1

100'

3

90

15

12

1

мА

2Т825А

р-п-р

3; 125’

4

100

20

100-18000

1

мА

оэ

2Т825Б

- « -

3; 125’

4

80

20

150-18000

1

мА

- « -

2Т825В

- « -

3; 125'

4

60

20

150-18000

1

мА

 

2Т825А2

- « -

1; 30'

4

100

15

100-18000

1

мА

 

2Т825Б2

- « -

1; 30'

4

80

15

150-18000

1

мА

- « -

2Т825В2

- « -

1; 30'

4

60

15

150-18000

1

мА

2Т825А-5

- « -

40; 125’

4

100

20

100-18000

1

мА

- « -

Тип тран­

Струк­

зистора

тура

КТ825Г

р-п-р

КТ825Д

 

КТ825Е

- « -

2Т830А

~ « -

2Т830Б

 

2Т830В

- « -

2Т830Г

- « -

2Т830В-1

- « ~

2Т830Г-1

—« —

2Т836А

 

2Т836Б

 

2Т836В

 

2Т836А-5

- « -

2Т837А

р-п-р

2Т837Б

- « -

2Т837В

 

2Т837Г

2Т837Д

2Т837Е

^Кшах>

л , ,

^Ктах>

^Ктах,

 

 

Наличие статических

^21Э

/ко, мкА

характеристик в схемах

Р К, т шах? Вт

МГц

В

А

 

 

с ОБ, ОЭ

3; 125'

4

90

15

750-25000

1 мА

о э

3; 125'

4

60

15

750-25000

1 мА

 

3; 125'

4

30

15

750-25000

1 мА

 

1;5'

4

30

2

25-55

0,1-100

 

1; 5'

4

50

2

25-55

0,1-100

 

1; 5'

4

70

2

25-55

0,1-100

 

1; 5'

4

90

2

20-50

0,1-100

—« —

1; 25'

4

70

2

25-200

0,1-100

- « —

1; 25'

4

90

2

25-200

0,1-100

- « -

0,7; 5'

4

90

3

20-100

0,1 мА

—« —

0,7; 5'

4

85

3

20-100

0,1 мА

- « -

0,7; 5’

4

60

3

20-100

0,1 мА

 

0,025; 5'

4

90

3

20-100

0,1 мА

оэ

1; 30’

1

80

8

15-120

0,15 мА

1; 30'

1

60

8

30-150

0,15 мА

 

1; 30'

1

45

8

40-180

0,15 мА

 

1; 30'

1

80

8

15-120

0,15 мА

 

1; 30'

1

60

8

30-150

0,15 мА

 

1; 30'

1

45

8

40-180

0,15 мА

 

Тип тран­

Струк­

зистора

тура

2Т842А

р-п-р

2Т842Б

 

2Т842А1

- « -

2Т842Б1

КТ842А

- « “

КТ842Б

- « -

КТ842В

- « -

КТ851А

р-п-р

КТ851Б

- « -

КТ851В

р-п-р

2Т860А

2Т860Б

- « -

2Т860В

—« —

2Т883А

р-п-р

2Т883Б

—« —

-^Кшахз

Л р .

^TjCmax)

•^Кшах»

 

 

 

 

 

Наличие статических

hi\3

/ко, мкА

характеристик в схемах

Р К, т шахз Вт

МГц

В

А

 

 

1

мА

с ОБ, ОЭ

3; 50'

20

300

5

10-15

 

о э

3; 50’

20

200

5

10-15

1

мА

-

« -

1; 30'

10

300

5

6

-10

1

 

мА

-

« -

1; 30'

10

200

5

6

-10

1

 

мА

-

« -

3; 50'

20

300

5

 

15

1

мА

-

« -

3; 50'

20

200

5

 

15

1

мА

-

« -

3; 100’

7

200

5

 

20

1

мА

- « -

25'

20

250

2

40

-200

 

100

ОЭ вх.

25'

20

300

2

20

-200

500

 

 

25'

20

180

2

20

-200

500

 

ОЭ

1; 10'

10

90

2

20

-160

0,1

мА

 

1; 10'

10

70

2

25

-200

0,1

мА

-

« -

1; 10’

10

40

2

40

-300

0,1

мА

- « -

1; 10'

20

300

1

10-18

0,1

мА

 

о э

1; 10'

20

250

1

10-18

0,1

мА

-

« —

Примечание: Ркшах - рассеиваемая коллекторная мощность биполярного транзистора без теплоотвода;

Р к т тах - то же самое с теплоотводом.

СУДАКОВ Анатолий Иванович

ПРОЕКТИРОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Учебно-методическое пособие

Редактор Э.П. Полнякова Корректор И.Н. Жеганина

Лицензия ЛР № 020370

Подписано в печать 31.05.06. Формат 70x100/16. Набор компьютерный. Объем 4,75 п.л.

Тираж 250. Заказ № 70-673/2006.

Редакционно-издательский отдел Пермского государственного технического университета.

Адрес: 614600, Пермь, Комсомольский пр., 29

Отпечатано в Отделе электронных издательских систем ОЦНИТ Пермского государственного технического университета.

Адрес: 614600, Пермь, Комсомольский пр., 29, к. 113, тел. (342) 2-198-033

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Помощь Обратная связь Вопросы и предложения Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности