
- •Московский государственный технический университет им.Н.Э.Баумана
- •Калуга,
- •2013 Г.
- •Практическая часть
- •2. Теория.
- •2.1 Модели полупроводниковых диодов
- •Практическая часть
- •Практическая часть
- •1*1014 50 135 1250 1250
- •Практическая часть
- •Лабораторная работа № 5
- •1.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с управляющим p-n переходом
- •1.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •1.4 Паспортные параметры птуп и способы идентификации параметров математических моделей
- •1.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели птуп
- •1.6 Задание
- •1.7 Подготовка измерителя параметров полупроводниковых приборов л2-56 к работе
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6
- •2.1 Введение
- •2.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •2.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •2.4 Паспортные параметры мдп и способы идентификации параметров математических моделей
- •2.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели мдп
- •2.6 Задание
- •2.7 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •2.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •2.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •2.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7
- •1. 1 Введение
- •1.2 Краткие теоретические сведения по тиристорам
- •1.3 Сечения различных типов структур тиристоров и их свойства
- •1.4 Функциональные схемы для исследования вах тиристоров
- •1.5. Задание
- •1.6 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •1.7 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.9 Контрольные вопросы
- •Общие сведения по параметрическим и компенсационным стабилизаторам тока
- •Практическая часть
1.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели птуп
Для
проведения идентификации параметров
статической математической модели ПТУП
можно использовать два метода. Из них
один позволяет наблюдать на экране
осциллографа, встроенного в измеритель
параметров полупроводниковых приборов
Л2-56, семейство выходных ВАХ. Это возможно
при использовании генератора ступенчатого
напряжения, встроенного в прибор Л2-56.
Для этого необходимо включить генератор
ступенек, установить дискретность
напряжения на ступеньку в диапазоне
(0,1-2,0) В, выбрать схему измерения «С общим
эмиттером» кнопкой, расположенной под
измерительными колодками. Кнопка
«Генератор ступенек» должна быть
нажатой, а полярность ступенек должна
быть инвертирована, т.к. основной режим
работы ПТУП – соответствует обратному
смещению на затворе относительно истока
ПТУП. Функциональная схема для определения
параметров математической модели
представлена на рис. 3.
Рис. 3 Функциональная схема измерения выходной ВАХ полевого
транзистора с управляющим p-n переходом с помощью измерителя Л2-56
Характеристики
и идентификацию параметров математической
модели ПТУП можно также производить с
помощью стандартного стенда типа 87Л-01,
используемого в курсе схемотехники.
При этом необходимо пользоваться
коммутационной платой №1 и панелью №7.
Функциональная схема для исследования
характеристик
канальных
ПТУП представлена на рис. 4. Транзистор
устанавливается на панельку со
стандартными выводами. Гнёзда
,
и
,
необходимо проводами присоединить к
соответствующим гнёздам панели вторичных
блоков питания стенда 87Л-01 (генераторам
напряжения
и
).
Гнёзда с обозначениями
,
,
,
для измерения, соответственно, напряжения
затвор-исток и напряжения сток-исток,
а также
,
для измерения тока стока необходимо
проводами присоединить к соответствующим
гнёздам
,
и
измерительных приборов АВМ1, АВМ2. Изменяя
напряжение от генератора
при фиксированном значении напряжения
сток-исток необходимо достигнуть
граничное значение тока стока транзистора,
указываемое в технических условиях на
транзистор при определении напряжения
отсечки. Напряжение затвор-исток,
соответствующее этому граничному току
и будет технически определённым
напряжением отсечки. Можно определить
напряжение отсечки при том же заданном
значении напряжения сток-исток, измеряя
ток стока при величине напряжения
смещении затвора относительно истока
между напряжением отсечки и нулевым
смещением, используя предположение о
справедливости функциональных
зависимостей (1) и (2) в модели Шихмана
–Ходжеса.
Рис. 4 Функциональная схема измерения выходной ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n переходом с помощью стенда 87Л-01
1.6 Задание
1.6.
1 Соберите
электрическую цепь в соответствии с
рис. 3, либо соберите электрическую цепь
на основе лабораторного стенда 87Л-01 –
в соответствии с рис. 4. 1.6.2
Проведите
измерения выходных характеристик ПТУП
при нескольких значениях напряжения
затвор – исток. Определите параметры
математической модели для используемого
ПТУП, -
.