- •Московский государственный технический университет им.Н.Э.Баумана
- •Калуга,
- •2013 Г.
- •Практическая часть
- •2. Теория.
- •2.1 Модели полупроводниковых диодов
- •Практическая часть
- •Практическая часть
- •1*1014 50 135 1250 1250
- •Практическая часть
- •Лабораторная работа № 5
- •1.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с управляющим p-n переходом
- •1.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •1.4 Паспортные параметры птуп и способы идентификации параметров математических моделей
- •1.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели птуп
- •1.6 Задание
- •1.7 Подготовка измерителя параметров полупроводниковых приборов л2-56 к работе
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6
- •2.1 Введение
- •2.2 Краткие сведения по полевым транзисторам с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •2.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
- •2.4 Паспортные параметры мдп и способы идентификации параметров математических моделей
- •2.5 Функциональные схемы для измерения параметров статической математической модели мдп
- •2.6 Задание
- •2.7 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •2.8 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •2.9 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •2.10. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7
- •1. 1 Введение
- •1.2 Краткие теоретические сведения по тиристорам
- •1.3 Сечения различных типов структур тиристоров и их свойства
- •1.4 Функциональные схемы для исследования вах тиристоров
- •1.5. Задание
- •1.6 Подготовка измерителя л2-56 к работе
- •1.7 Порядок выполнения работы при применении измерителя свойств полупроводниковых приборов л2-56
- •1.8 Порядок выполнения работы при применении лабораторного стенда 87л-01
- •1.9 Контрольные вопросы
- •Общие сведения по параметрическим и компенсационным стабилизаторам тока
- •Практическая часть
1.3 Параметры модели Шихмана-Ходжеса
Полевые
транзисторы с управляющим p-n
переходом на постоянном токе
удовлетворительно описываются
четырёхпараметрической статической
математической моделью
Шихмана-Ходжеса,
устанавливающей связь выходного
стокового тока транзистора
с напряжениями затвор-исток
и сток-исток
[1].
Выходная
вольтамперная характеристика (ВАХ)
полевого транзистора
состоит из двух участков А) и В),
соответствующих двум режимам работы
транзистора:
![]()
если
;
(1)
![]()
если
.
(2)
Семейство
выходных характеристик полевого
транзистора для ПТУП показано на рис.2.
Первый участок – участок
и соответствующий ему режим называют
триодным,
второй участок - участок
и соответствующий режим называютучастком
(режимом) насыщения или пологим участком.
Параметрами модели являются
.
Теория предсказывает что
,
но в реальных транзисторах параметрn
может быть отличным от 2. Параметр
естьнапряжение
отсечки для
ПТУП. Параметр
совместно с параметром
определяет выходное сопротивление
транзистора в режиме насыщения. Определять
параметры статической математической
модели Шихмана-Ходжеса можно по выходным
ВАХ, а можно и по производным от них. При
нахождении этих параметров на пологой
части ВАХ с низкой точностью определяется
величина параметра
.
Семейство выходных характеристик
полевого транзистора для ПТУП показано
на рис.2. Это семейство обычно ограничено
сверху (по максимальному значению тока
стока) начальным током, т.е. током стока,
при
.
Хотя этот параметр часто приводится
заводом изготовителем в технических
условиях, но т.к. этот параметр зависит
от величины напряжения между стоком и
истоком, то его вхождение в математическую
модель транзистора нежелательно.

Рис.2. Выходные ВАХ полевого транзистора (ПТУП)
1.4 Паспортные параметры птуп и способы идентификации параметров математических моделей
В паспортах на полевые транзисторы с управляющим переходом характерные параметры ПТУП приводятся при использовании особо оговоренных действующих напряжениях между электродами и токах:
- напряжение отсечки (
),
которое указывается при определенном
напряжении между стоком и истоком и
величине тока стока;- начальный ток стока, который указывается при определенном напряжении между стоком и истоком, при коротком замыкании затвора с истоком (напряжение между затвором и истоком при этом равно нулю);
-ток утечки затвора (при коротком замыкании стока с истоком), который указывается при определенном напряжении между истоком и затвором;
- сопротивление сток-исток в открытом состоянии (или выходная проводимость), которое указывается при определенном малом напряжении между стоком и истоком, обычно меньше, чем 0,5 В, и коротком замыкании затвора с истоком..
Для частичного описания функционирования ПТУП на высоких частотах указываются две емкости p-n переходов: затвор-исток и затвор-сток.
Идентификация параметров статической математической модели ПТУП производится на основе экспериментальных данных. При этом возможны два подхода – один основан на поиске решений систем уравнений, получаемых из функциональных зависимостей (1) и (2). Второй подход, реализуемый часто при производстве транзисторов, требует установления определенных граничных значений напряжений и токов и с их помощью произвести получение параметров математических моделей. В данной лабораторной работе необходимо пользоваться первым подходом.
