ФОЭ / ФОЭ1_Лек1

51

5.4.2.

-

,

. 2.

.2.

-

.

, D2 ,

, -

. D1 D2 ,

.

5.4.3.

-n-p-n

. 3.

.3.

-

, . 1.4.

.

.4.

IGT ,

( VAK ), . 4.

52

IGT n-p-n, -

1 IGT, 1 -

1.

-n- ,

. 2

1 2 IGT IGT, 1

. , IGT , -

.

IGT,

(I ) .

. 5

.5.

5.4.4.

,

,

, ( ).

, ,

( . 6 ) , ,

(

).

,

.

-

.

( . 6 )

, .

. -

, -n -

,

53

.6.

( . 1.6 ), -

. -

-n, D2 -

( . 2).

. 6 -, . , , ,

.

.

5.4.5.

1 10 -

;

109 , — 109 , -

, -

— ; 99 %.

– . -

.

.

54

— , -

, -

.

( ),

(

).

5.7.p-n

p-n -

— ,

( -

) p-n ,

.

, -

,

-

, ( .

. 1).

p-n , -

, ,

. -

,

-

p-n -

, . , -

, . , -

, . ,

, .

n-, p- . -

n- .

,

n- p- , .

, -

, -

p-n ( p-n ).

,

, .

55

-

, .

, -

. , -

— , — . -

. ,

. ,

. ,

n- , p- ,

.

, , -

: -

, —

. ,

, p-n-

. , -

(

), -

.

p-n , -

-

.

5.8.( )

. 2.

.

-

— , -

.

,

, -

-

.

— .

. -

56

0,1 ) .

,

SiO2, -

. -

— . , , -

.

.

1010…1014 ( -

p-n- 107…109), -

.

:

.

( . 2, )

, -

,

,

(U ).

( . 2, ) -

— , .

. 2 -

n- . -

,

p- . -

p- ,

n- .

5.8.1.

, ,

, — .

p-n -

. ( , -

. 2, ) -

(

U ) -

,

.

, U ,

, , .

-

57

, ,

. -

-

.

, ,

, ,

.

,

.

) -. -

,

.

,

— . ,

,

, . -

,

.

,

.

5.8.2.

. 3. (a)

(b) .

58

.

( . . 2, )

,

. , -

: -

. -

( . 3).

( . 3, b) ,

U , -

,

, .

5.8.3.

, -

(p- n-)

.

, ( -

), , ( -

),

, ,

( ).

, , — -

.

, .

-

.

,

. -

-

. 1-2 -

-

. -

(IGBT)

. HiFi HiEnd

,

.

59

5.9.IGBT-

IGBT ( . Insulated Gate Bipolar Transistor — -

) — , -

, .

IGBT, ( ) , , -

.

5.9.1. IGBT

, 70MOSFET, -

, , .

:

;

« »,

;

;

-

.

MOSFET, . -

:

, ;

;

MOSFET, ,

( 0,003 );

( 0,5 100 );

( 500 );

1000 -

, .

MOSFET , -

-. MOSFET — -

200 .

, 1985 ., -

(IGBT). General Electric, Schenectady ( ) RCA Princeton ( ).