Классификация оптронов
По степени интеграции
оптопары (или элементарные оптроны) — состоящие из двух и более элементов (в т. ч. собранные в одном корпусе)
оптоэлектронные интегральные схемы, содержащие одну или несколько оптопар (с дополнительными компонентами, например, усилителями, или без них).
По типу оптического канала
с открытым оптическим каналом
с закрытым оптическим каналом
По типу фотоприемника
с фоторезистором (резисторные оптопары)
с фотодиодом
с биполярным (обычным или составным) фототранзистором
с фотогальваническим генератором (солнечной батарейкой); такие оптроны обычно снабжаются обычным полевым транзистором, затвором которого управляет фотогальванический генератор.
с фототиристором или фотосимистором.
По типу источников света
с миниатюрной лампой накаливания
с неоновой лампой
со светодиодом
Оптроны с полевым транзистором или фотосимистором иногда именуют оптореле или твердотельным реле.
В настоящее время в оптоэлектронике можно выделить два направления.
Электронно-оптическое, основанное на принципе фотоэлектрического преобразования, реализуемого в твердом теле внутренним фотоэффектом и электролюминесценцией.
Оптическое, основанное на тонких эффектах взаимодействия твердого тела с электромагнитным излучением и использующее лазерную технику, голографию, фотохимию и т. д.
Существуют два класса оптических элементов, которые можно использовать при создании оптических ЭВМ:
Оптроны
Квантооптические элементы.
Они являются представителями соответственно электронно-оптического и оптического направлений.
Тип фотоприемника определяет линейность передаточной функции оптрона. Наиболее линейны и тем самым пригодны для работы в аналоговых устройствах резисторные оптроны, затем — оптроны с приемным фотодиодом или одиночным биполярным транзистором. Оптроны с составными биполярными транзисторами или полевыми транзисторами используются в импульсных (ключевых, цифровых) устройствах, в которых линейность передачи не требуется. Оптроны с фототиристорами применяются для гальванической развязки схем управления от цепей управления.
Приведем краткое описание некоторых типов наиболее распространенных промышленных оптронов.
Фотодиодный оптрон.
Условное графическое обозначение его приведено на рис. 8.10,а. В качестве излучателя используется светодиод на основе арсенида галлия.
В качестве фотоприемников в диодных оптронах используются кремниевые фотодиоды, которые хорошо согласуются по спектральным характеристикам и быстродействию с арсенид-галлиевыми светодиодами.
Коэффициент передачи тока
диодного оптрона мал (KI = 1,0 
1,5%),
однако диодные оптроны являются самыми
быстродействующими.
Как элемент электрической цепи, фотоприемник диодного оптрона может работать в двух режимах: фотопреобразователя с внешним источником питания и фотогенератора без внешнего источника питания.
Если учесть зависимость светового потока светодиода оптрона от тока Iвх через светодиод, то можно найти зависимость тока Iн нагрузочного резистора Rн или напряжения Uн на нем от входного тока оптрона, т.е. Iн = f(Iвх) или Uн = φ (Iвх).
Надо учитывать, что для передачи максимальной энергии требуется согласование нагрузочного резистора с выходным сопротивлением оптрона.
Фототранзисторный оптрон(рис. 8.10,б).
По сравнению с фотодиодным оптроном в качестве фотоприемника в нем используется кремниевый фототранзистор. Являясь усилителем базового тока, фототранзистор имеет существенно более высокую чувствительность, чем фотодиод, поэтому коэффициент передачи тока фототранзисторного оптрона KI = 50 100 %, а оптрона с составным фототранзистором – до 800% и более.
Рис. 8.10. Условные графические обозначения оптронов: фотодиодного (а), фототранзисторного (б), фоторезисторного (в), фототиристорного (г)
Недостатком фототранзисторов является то, что они по сравнению с фотодиодами гораздо более инерционны и имеют быстродействие 10-4–10-5с.
Фоторезисторный оптрон(рис. 8.10,в).
В качестве фотоприемника в оптронах иногда используют фоторезисторы на основе селенида или сульфида кадмия (CdSe,CdS), а в качестве излучателя – спектрально согласующиеся с ними светодиоды на основе фосфида или арсенида-фосфида галлия (GaP, GaAsP). Быстродействие фоторезисторных оптронов целиком определяется быстродействием фотоприемника, которое составляет 100–200 мкс.