Температурная зависимость ширины запрещенной зоны и уровня Ферми
Видно, что с увеличением температуры ширина запрещенной зоны уменьшается.
11
Заключение
В данной работе были рассмотрены области применения InSb в современной электронике, построена зависимость концентрации основных носителей заряда от температуры для InSb с использованием программного обеспечения Mathcad.
12
Список использованных источников
1. Г. Н. Виолина, Г. Ф. Глинский, В. И. Зубков – «Физика конденсированного состояния» - Санкт- Петербург Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 2013
2. Г. Н. Виолина, В. И. Зубков – «Физика полупроводников» - Санкт-Петербург Издательство СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 2017
3. Электронный ресурс: Band structure and carrier concentration of Indium Antimonide (InSb) (matprop.ru) – 25.04.2022 (дата обращения)
4. Электронный ресурс: Антимонид индия (helpiks.org) – 25.04.2022 (дата обращения)
5. Электронный ресурс: Антимонид индия - Wikiwand – 25.04.2022 (дата обращения)
13