БАЗЫ - АГНИ / БАЗА - ФОМ

Физические основы микроэлектроники

ДМ_2

1.

1

Биполярный транзистор - это

полупроводниковый прибор с 2-мя взаимодействующими электрическими переходами и 3-мя выводами

полупроводниковый прибор с одним взаимодействующим электрическим переходом и 2-мя выводами

полупроводниковый прибор с 3-мя взаимодействующими электрическими переходами и 2-мя выводами

1

2.

1

Как называется крайняя область транзистора, которая используется в режиме инжекции?

коллектор

эмиттер

база

2

3.

1

Как называется область, которая осуществляет экстракцию носителей заряда?

коллектор

эмиттер

база

1

4.

1

Средняя область транзистора-

коллектор

эмиттер

база

3

5.

1

Как называется электронно-дырочный переход, расположенный между эмиттером и базой?

коллекторный

эмиттерный

базовый

2

6.

1

Выбрать структуру биполярного транзистора:

1

7.

1

В каком случае ток одного из переходов может управлять током другого перехода?

При малом потенциальном напряжении между переходами.

При большой толщине области между переходами.

При малой толщине области между переходами.

3

8.

1

Различают 2 типа биполярных транзисторов:

-Р-n

P-n-P

n-p-n

23

9.

1

Принцип действия P-n-P транзистора:

Эмиттер инжектирует в базу дырки

Эмиттер инжектирует в базу электроны

Коллектор инжектирует в базу дырки

2

10.

1

Принцип действия n-p-n транзистора:

Эмиттер инжектирует в базу дырки

Эмиттер инжектирует в базу электроны

Коллектор инжектирует в базу дырки

1

11.

1

Перечислить режимы транзистора:

активный

двойной

суммирующий

1 (12)

12

1

Если на эмиттерный переход подается прямое напряжение, на коллекторный – обратное:

Инверсное включение

Нормальное включение

Двойной режим

2

13.

1

Если на эмиттерный переход подается обратно напряжение, на коллекторный – прямое:

Инверсное включение

Нормальное включение

Двойной режим

1

14.

1

Если оба p-n перехода смещены в обратное направление, при этом через транзистор проходят сравнительно небольшие токи -

Режим отсечки

Режим насыщения

Активный режим

1

15.

1

Если оба p-n перехода смещены в прямом направление, при этом через транзистор проходят сравнительно большие токи-

Режим отсечки

Режим насыщения

Активный режим

2

16.

1

Если один из p-n переходов смещен в прямом направление, а другой в обратном-

Режим отсечки

Режим насыщения

Активный режим

3

17.

1

При каком режиме транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы?

Режим отсечки

Режим насыщения

Активный режим

3

18.

1

При каком режиме , а ток базы значительно меньше как тока эмиттера, так и тока коллектора?

Режим отсечки

Режим насыщения

Активный режим

3

19.

1

При каком режиме не выполняется, ток базы может оказаться сравнимым с током эмиттера?

Режим отсечки

Режим насыщения

Активный режим

2

20.

1

При каком режиме через переходы проходят незначительные обратные токи, обусловленные процессами тепловой генерации носителей заряда?

Режим отсечки

Режим насыщения

Активный режим

1

21.

1

Для какой схемы усилительные свойства проявляются, если в качестве входной цепи использовать эмиттерные, а в качестве выходной – коллекторные цепи?

ОЭ

ОБ

ОК

2

22.

1

Для какой схемы входной является цепь базы, а выходной – цепь коллектора?

ОЭ

ОБ

ОК

1

23.

1

Для какой схемы входной является цепь базы, а выходной – цепь эмиттера?

ОЭ

ОБ

ОК

3

24.

1

Выбрать схему включения транзистора с общей базой?

1

25.

1

Выбрать схему включения транзистора с общим эмиттером?

2

26.

1

Выбрать схему включения транзистора с общим коллектором?

3

27.

1

Для чего для каждой схемы включения вводятся свои семейства характеристик?

Позволяют правильно выбрать рабочий режим транзистора.

Обеспечить наиболее эффективное использование возможности транзистора.

Позволяют правильно выбрать схему включения.

1 (12)

28.

1

К основным статическим характеристикам относят?

Характеристики передачи

Обратной связи

Входные и выходные

3

29.

1

К дополнительным характеристикам относят?

Характеристики передачи

Обратной связи

Входные и выходные

1 (12)

30.

1

Для схемы с ОБ входными и выходными статическими характеристиками являются зависимости:

при ; при

при ; при

при ; при

1

31.

1

Для схемы с ОЭ входными и выходными статическими характеристиками являются зависимости:

при ; при

при ; при

при ; при

2

32.

1

Входная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОБ:

1

33.

1

Выходная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОБ:

1

34.

1

Входная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОЭ:

2

35.

1

Выходная статическая характеристика транзистора, включенного в схеме с ОЭ:

2

36.

1

Зависимость между коллекторным и эмиттерным токами определяется соотношением:

2

37.

1

Зависимость между коллекторным и базовыми токами определяется соотношением:

1

38.

1

Что такое I _КБО-?

Обратный ток коллектора в схеме ОБ при токе эмиттера, равным 0.

Обратный ток коллектора, определяемый при токе базы, равным 0.

Обратный ток коллектора, определяемый при токе коллектора, равным 0.

1

39.

1

Что такое I _КЭО-?

Обратный ток коллектора в схеме ОБ при токе эмиттера, равным 0.

Обратный ток коллектора, определяемый при токе базы, равным 0.

Обратный ток коллектора, определяемый при токе коллектора, равным 0.

2

40.

1

Тиристор - это

полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, который имеет три выпрямляющих перехода.

полупроводниковый прибор с 2-мя взаимодействующими электрическими переходами и 3-мя выводами

полупроводниковый прибор, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.

1 (13)

41.

1

Динистор имеет …

2 вывода, через который проходит как основной ток, так и ток управления.

4 вывода, с чередующим типом электропроводности.

3 вывода, через который проходит как основной ток, так и 2 омических перехода.

1

42.

1

Сколько областей составляет структура динистора:

3

4

6

2

43.

1

Структура диодного тиристора имеет …

3 выпрямляющих p-n перехода и два омических перехода.

4 перехода, с чередующим типом электропроводности.

2 перехода, через который проходит как основной ток, так и ток управления.

3

44.

1

Электрод, примыкающий к n₁-области, называется …

катодом

анодом

управляющим

1

45.

1

Электрод, примыкающий к p₂-области, называется …

катодом

анодом

управляющим

2

46.

1

В тиристоре имеются следующие области:

эмиттерные

базовые

коллекторные

12

47.

1

Ток через структуру тиристора определяется:

управляющим переходом

обратносмещенным эмиттерным переходом

обратносмещенным коллекторным переходом

3

48.

1

С ростом приложенного напряжения у тиристора:

увеличивается инжекция электронов из n₁-области в p₁-базу.

увеличивается экстракция электронов из n₁-области в p₁-базу.

уменьшается инжекция электронов из n₁-области в p₁-базу.

1

49.

1

Триодный тиристор имеет …

2 основных и 1 управляющий электрод из базовых областей.

2 выпрямляющих p-n перехода и 3 омических перехода.

2 управляющих электрода и 1 основной.

1

50.

1

В радиоэлектронной аппаратуре широко используются:

симисторы

Симметричные диодные тиристоры.

Симметричные полярные тиристоры

2 (12)