- •1. Функциональная электроника.
- •1.1. Особенности функциональной электроники
- •1.2. Динамическая неоднородность.
- •1.3. Основные направления и тенденции развития
- •2. Функциональная акустоэлектроника
- •2.1. Физические основы
- •2.1.1. Динамические неоднородности
- •2.1.2. Континуальные среды
- •2.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •2.1.4. Устройство управления динамическими
- •2.1.5. Детектирование динамических неоднородностей
- •2.2. Приборы функциональной акустоэлектроники
- •2.2.1. Линии задержки
- •2.2.2. Устройства частотной селекции
- •2.2.3. Генераторы на пав
- •2.2.4. Усилители
- •2.2.5. Акустические преобразователи
- •3. Функциональная диэлектрическая
- •3.1. Физические основы
- •3.1.1. Динамические неоднородности
- •3.1.2. Континуальные среды
- •3.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •3.1.4. Другие элементы приборов
- •3.2. Приборы и устройства функциональной
- •3.2.1. Слоистые структуры
- •3.2.2. Устройства памяти
- •3.2.3. Процессоры
- •4. Функциональная полупроводниковая электроника
- •4.1. Физические основы
- •4.1.1. Динамические неоднородности в полупроводниках
- •4.1.2. Континуальные среды
- •4.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •4.1.4. Устройства управления динамическими
- •4.1.5. Детекторы динамических неоднородностей
- •4.2. Приборы и устройства функциональной
- •4.2.1. Аналоговые процессоры на пзс-структурах
- •4.2.2. Цифровые процессоры на пзс-структурах
- •4.2.3. Запоминающие устройства на пзс-структурах
- •4.2.4. Биспин-приборы
- •4.2.5. Приборы на волнах пространственного заряда
- •4.2.6. Ганновские приборы
- •5. Функциональная магнетоэлектроника
- •5.1. Физические основы
- •5.1.1. Динамические неоднородности
- •5.1.2. Континуальные среды
- •5.1.3. Генерация, детектирование и управление
- •5.2. Приборы и устройства функциональной
- •5.2.1. Процессоры сигналов на цмд
- •5.2.2. Процессоры сигналов на мсв
- •5.2.3. Запоминающие устройства на цмд
- •5.2.4. Запоминающие устройства на магнитных вихрях
- •5.2.5. Запоминающие устройства на магнитных пленках
- •6. Функциональная криоэлектроника
- •6.1. Физические основы криоэлектроники
- •6.2. Исторические аспекты криоэлектроники
- •6.3. Основные направления криоэлектроники
- •6.4. Приборы криоэлектроники
- •7. Функциональная молекулярная
- •7.1. Физические основы
- •7.1.1. Динамические неоднородности
- •7.1.2. Континуальные среды
- •7.1.3. Другие элементы приборов
- •7.2. Молекулярные устройства
- •7.3. Автоволновая электроника
- •7.4. Биоэлектроника
- •8. Функциональная хемотроника
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
7.1.1. Динамические неоднородности
Передача информации в молекулярной электронике осуществляется ансамблями электронов или солитонов.
В масштабах микромира под солитоном понимают структурное возмущение, способное перемещаться в одном или двух направлениях подобно частице. Перенос солитона связан с возмущением, которое меняет положение молекулярных, так называемых -орбиталей между атомами углерода. В центре солитона существует движущаяся межфазная или междолинная граница между эквивалентными фазами А и В (рис. 7.3, а). Прохождение солитона через сопряженную систему приводит к переходу между фазами А и В и к обмену одинарных и двойных связей.
Солитоны могут быть интерпретированы как топологические узлы валентной -электронной системы.
Вследствие врожденности основного состояния электропроводящих полимеров солитоны могут свободно перемещаться вдоль цепи сопряжений подобно волне плотности -электронов (рис. 7.3). Скорость перемещения солитонов близка к скорости звука.
Рис. 7.3. Генерация и распространение солитона
в полиацетиленовой цепи (а, б); интерпретация
в виде волны возмущения (в)
Солитон обладает свойствами квазичастицы, имеет определенную энергию, форму, момент импульса. На молекулярном уровне также наблюдается реверсирование солитонов. Различают два режима отражения солитонов. Две трансполиацетиленовые цепочки сопрягаются с трициклическим пентоином. Солитон проходит, отражаясь от пентоина словно от стенки (рис. 7.4, а). Другой вариант предусматривает использование гидрированного каротена в качестве реверсивной среды (рис. 7.4, б). В этом случае солитон обходит молекулу по часовой стрелке. Движение валентных -электронов происходит по пронумерованному порядку. Движение электрона со стрелкой под номером 10 может произойти только после того, как завершится движение со стрелкой 1. Солитон проходит по одной цепочке дважды.
Рис. 7.4. Процесс реверсирования солитонов
Наряду с солитонами в молекулярной системотехнике используются процессы переноса электронов по цепочкам различных циклических молекул, даже разделенных зазором до 1 нм. Электроны туннелируют по молекулам, переходя в соседние молекулы за время порядка 10-10 – 10-12 с. Основным эффектом при этом является быстрое резонансное и одновременно однонаправленное туннелированне за счет того, что уровень для лишнего электрона в каждой последующей молекуле на (0,1 - 0,2) эВ ниже, чем в предыдущей. Эффект быстрого резонансного туннелирования проявлялся в континуальных молекулярных средах, у которых молекулы в цепочке подобраны так, что энергия электрона, поляризовавшего одну молекулу, равна энергии электронного уровня другой, не поляризованной молекулы. Другими словами, цепочка молекул должна строиться так, чтобы энергии уровней для лишнего электрона снижались на 0,1 - 0,2 эВ.
В ленгмюровских пленках с помощью света можно возбудить экситоны, представляющие собой мигрирующее электронное возбуждение, не связанное с переносом электрического заряда и массы.
В качестве динамической неоднородности можно использовать один электрон. Это позволяет достичь энергетического предела, минимизировать энергию на одну информационную операцию. Если между отдельными молекулами создать разность потенциалов V, а энергетический барьер по полю составляет Епр = Еср, то в обратном направлении этот барьер будет определяться величиной
Еобр = Еср + eV, (7.1)
где е - заряд электрона. Барьер одновременно будет препятствовать движению электрона в обратном направлении. Однако использование только одного электрона накладывают значительные ограничения на «одноэлектронику».