Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Учебное пособие 800235

.pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.05.2022
Размер:
1.07 Mб
Скачать

 

 

 

 

 

 

Таблица 2.1

 

 

 

 

 

 

 

 

МАТЕ-

Тип

Удельное

Частота

Температу-

Энергия акти-

Частотный

РИАЛ

примеси

сопротив-

механи-

ра пика ВТ,

вации релак-

фактор 0, с-1

 

 

ление,

ческих

К

сационного

 

 

 

 

Ом см

колеба-

 

процесса,

 

 

 

 

 

ний, кГц

 

0,02 эВ

 

 

 

Fe

1,2 107

8,5

223

0,52

2 1015

GaAs

5,6 107

6,8

312

0,66

2 1015

 

Co

9,3 106

14,4

337

0,53

1 1013

 

Cr

5,0 107

15,0

348

0,76

1 1015

 

 

Co

3,4 105

17,0

231

0,41

1 1014

 

Cu

1,5 107

8,2

326

0,60

2 1014

 

Mn

1,0 109

31,0

323

0,43

1 1012

GaP

Fe

5,3 106

13,4

398

0,87

7 1015

 

Ni

1,0 109

18,6

433

0,57

6 1011

 

Cr (1)

1,0 109

21,0

468

0,85

2 1014

 

Cr (2)

17,5

516

1,2

7 1016

 

InP

Fe

1,0 105

9,2

306

0,56

1 1014

Характеристики пиков внутреннего трения в полупроводниках А3В5, легированных примесями переходных металлов

Таблица 2.2

Энергии активации релаксационных процессов и энергии ионизации примесных уровней в высокоомных полупроводниках А3В5

(* – данные из [19]; ** – уровень дефекта EL2 из [20])

 

 

Энергия актива-

Энергия ионизации

Энергия ионизации

Материал

Примесь

ции (из измере-

примеси (по эффекту

примеси (из лите-

 

 

ний ВТ),

Холла), 0,03 эВ

ратуры), эВ

 

 

0,02 эВ

 

 

 

Fe

0,52

0,46

0,52*

GaAs

0,66

0,69

0,65**

 

Co

0,53

0,56

0,5 – 0.56*

 

Cr

0,76

0,74

0,68 – 0,87*

 

Co

0,41

0,46

0,41*

 

Cu

0.60

0,55

0,6 – 0,65*

 

Mn

0,43

0.4

0,4*

GaP

Fe

0,87

0,7

0,7 – 1,8*

 

Ni

0,57

0,59

0,5*

 

Cr (1)

0,85

0,84

0,84*

 

Cr (2)

1,2

1,2

1,2*

InP

Fe

0,56

0,56*

Таблица 2.3

Характеристики пиков tg в высокоомных полупроводниках А3В5

 

 

Частота,

Температура

Энергия

Частотный

Материал

Примесь

кГц

пика, К

активации,

фактор, с-1

 

 

 

 

0,02 эВ

 

 

Fe

20

232

0,5

1,2 1015

GaAs

20

328

0,67

1,0 1015

 

Co

20

337

0,53

6,3 1012

 

Cr

20

353

0,77

1,2 1015

 

Co

20

262

0,42

1,6 1013

GaP

Cu

20

337

0,56

3,8 1013

 

Mn

20

348

0,45

2,2 1011

InP

Fe

20

330

0,57

7,3 1013

Таблица 2.1 Характеристики пиков внутреннего трения в полупроводниках А3В5, легированных

примесями переходных металлов

МАТЕ-

Тип

Удельное

Частота

Температу-

Энергия акти-

Частотный

РИАЛ

примеси

сопротив-

механи-

ра пика ВТ,

вации релак-

фактор 0, с-1

 

 

ление,

ческих

К

сационного

 

 

 

Ом см

колеба-

 

процесса,

 

 

 

 

ний, кГц

 

0,02 эВ

 

 

Fe

1,2 107

8,5

223

0,52

2 1015

GaAs

5,6 107

6,8

312

0,66

2 1015

 

Co

9,3 106

14,4

337

0,53

1 1013

 

Cr

5,0 107

15,0

348

0,76

1 1015

 

Co

3,4 105

17,0

231

0,41

1 1014

 

Cu

1,5 107

8,2

326

0,60

2 1014

 

Mn

1,0 109

31,0

323

0,43

1 1012

GaP

Fe

5,3 106

13,4

398

0,87

7 1015

 

Ni

1,0 109

18,6

433

0,57

6 1011

 

Cr (1)

1,0 109

21,0

468

0,85

2 1014

 

Cr (2)

17,5

516

1,2

7 1016

InP

Fe

1,0 105

9,2

306

0,56

1 1014

Таблица 3.1

Зависимость пьезополяризации, возникающей при изгибе образца, от его кристаллографической ориентации

№ образца

Ось

Плоскость

 

 

Рх

 

 

Рy

 

 

Рz

 

Q 1

 

образца

образца

 

е14U yy

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

е14U yy

 

 

 

 

 

е U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

max

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14

 

 

yy

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

100

100

 

0

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

100

110

 

0

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

1 – 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

111

110

 

0

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

110

110

 

-1

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

110

111

 

 

2

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

110

100

 

0

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

–1

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 3.2

Сечения захвата носителей заряда глубокими центрами по данным ВТ (предполагается, что = . * – данные из [34]; ** – данные из [35])

 

 

Сечение захвата, см2

Материал

Ловушка

 

 

по формуле (3.13)

литературные

 

 

данные

 

 

 

 

 

 

 

 

Fe

6 10-9

 

Нелегиров.

1 10-10

GaAs

 

 

1 10-11 – 6 10-16 *

 

Co

4 10-13

 

Cr

4 10-10

1 10-14 *

 

 

 

 

InP

Fe

1-10-12

1 10-10– 2 10-13 **

 

 

 

 

Учебное издание

Митрохин Виктор Иванович

РЕЛАКСАЦИОННЫЕ И РЕЗОНАНСНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ

В авторской редакции

Компьютерная верстка О.А. Ивановой

Подписано к изданию 09.12.04.

Уч.-изд. л. 4,0.

Воронежский государственный технический университет 394026 Воронеж, Московский просп., 14