- •Методические указания
- •1.2. Методические указания к выполнению работы
- •1.2.1. Контрольные вопросы
- •1.3. Лабораторные задания
- •Пример проектирования усилительного каскада с общим истоком с резистивной нагрузкой
- •1.4. Требования к содержанию отчета
- •1.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 схемотехническое проектирование дифференциальных усилителей в технологии с проектными нормами 90 нм
- •2.2. Методические указания к выполнению работы
- •2.2.1. Контрольные вопросы
- •2.3. Лабораторные задания
- •Пример проектирования дифференциального каскада усиления с идеальным источником тока и резистивной нагрузкой
- •2.4. Требования к содержанию отчета
- •2.5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Схемотехническое проектирование дифференциальных усилителей в технологии с проектными нормами 90 нм
- •3.2. Методические указания к выполнению работы
- •3.2.1. Контрольные вопросы
- •3.3. Лабораторные задания
- •Лабораторная работа № 4 Схемотехническое проектирование операционных усилителей
- •4.2. Домашнее задание и методические указания по его выполнению
- •4.2.1. Амплитудно-частотная и фазово-частотная характеристики оу для малого сигнала
- •4.2.2. Быстродействующие широкополосные операционные усилители
- •4.3. Лабораторные задания и методические указания по их выполнению
- •4.3.1. Разработка электрической схемы операционного усилителя
- •4.3.2. Дифференциальный усилительный каскад
- •4.3.3. Проектирование электрической схемы оу в сапр Cadence
- •4.3.4. Схемотехническое моделирование операционного усилителя
- •4.4. Лабораторное задание
- •4.5. Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Содержание
- •Методические указания
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Пример проектирования усилительного каскада с общим истоком с резистивной нагрузкой
Собрать схему, изображенную на рис. 1.1. Получить коэффициент усиления А=5, выходное сопротивление rout = 1 кОм. Входной сигнал – синусоидальный, с амплитудой 4 мВ и частотой 1 МГц.
Рис. 1.1. Схема усилительного каскада с общим истоком (резистивная нагрузка)
Запускаем Cadence (icfb) в папке с библиотекой gpdk090.
Создаем новую библиотеку и вид ячейки schematic. Далее в схемотехническом редакторе Virtuoso Schematic Editing собираем указанную схему.
Задаем параметры элементов с использованием переменных:
W и L - ширина и длина канала входного транзистора соответственно;
R - сопротивление резистора;
Ugs - напряжение смещения на затворе входного транзистора.
Свойства транзистора приведены на рис. 1.2.
Рис. 1.2. Свойства входного транзистора
В свойствах резистора в поле Resistance задаем переменную R, в свойствах источника постоянного напряжения в поле DC Voltage – напряжение питания 1,2 В. Свойства источника синусоидального сигнала устанавливаем согласно рис. 1.3.
Рис. 1.3. Свойства источника синусоидального сигнала Vsin
Запускаем Analog Design Environment (ADE) и изменяем средство просмотра формы сигналов с Wavescan на AWD. Для этого выбираем Session -> Option и в поле Waveform Tool устанавливаем флаг AWD.
Копируем имена переменных из свойств элементов (Variables -> Copy from Cellview) и устанавливаем начальные значения, как показано на рис. 1.4.
Для снижения негативного влияния короткоканальных эффектов увеличим длину канала до 200 нм.
Рис. 1.4. Окно ADE с заданными значениями переменных
Построим передаточную характеристику схемы с общим истоком.
Для этого выбираем анализ по постоянному току (Analyses -> Choose, далее DC) и в качестве аргумента задаем напряжение смещения Ugs (Design Variable -> Select Design Variable, далее в выпадающем окне выбираем Ugs), как показано на рис. 1.5.
Рис. 1.5. Окно выбора анализа
Далее добавляем выводы для отображения: выбираем Outputs -> To Be Plotted -> Select On Schematic и выделяем на схеме ветви out, in. Затем сохраняем выбранные выводы (Outputs -> To Be Saved -> Add To) и жмем Netlist and Run.
Полученная передаточная характеристика изображена на рис. 1.6.
Рис. 1.6. Передаточная характеристика схемы с общим истоком
В общем случае коэффициент усиления каскада с общим истоком определяется по формуле (1.1):
, (1.1)
где gm – крутизна транзистора по затвору (А/В);
RL – сопротивление нагрузки (Ом).
С другой стороны,
, (1.2)
где Vout – выходное напряжение (В);
Vin – входное напряжение (В).
Это есть не что иное, как производная от передаточной характеристики.
На рис. 1.7 показано, как с помощью калькулятора получить производную: Tools -> Calculator и далее выбираем Special Functions -> deriv.
Добавляем производную в поле Outputs: выбираем в ADE Outputs -> Setup и далее Get Expression.
Рис. 1.7. Получение производной с помощью калькулятора
Для того чтобы получить коэффициент усиления А=5, необходимо вычислить соответствующую ширину транзистора. При этом входной транзистор должен оставаться в режиме насыщения. Проведем параметрический анализ. В окне ADE выбираем Tools -> Parametric Analysis, в окне параметрического анализа, изображенном на рисунке 8, жмем Setup -> Pick Name For Variable и в появившемся окне выбираем переменную W. Задаем диапазон изменения ширины канала и шаг изменения: From 20u To 200u, Linear Steps -> Step Size 20u.
Рис. 1.8. Параметрический анализ по ширине канала транзистора
Построенные графики изображены на рис. 1.9.
Рис. 1.9. Графики передаточной функции схемы с общим истоком (справа) и ее производной – коэффициента усиления (слева)
Коэффициент усиления А=5 достигается при ширине канала входного транзистора W = 40 мкм. При этом, как видно из графика передаточной функции, транзистор остается в режиме насыщения.
Графики входного и выходного сигналов при временном анализе изображены на рис. 1.10.
Рис. 1.10. Графики входного (сверху) и выходного (снизу) сигналов при временном анализе
Построим амплитудно-частотную характеристику (АЧХ) схемы с общим истоком. Для этого в окне ADE выбираем Analyses -> Choose и далее ac анализ. Задаем диапазон частот Frequency 1M to 10G, Logarithmic Points Per Decade 20, AC magnitude 1.0. Затем в ADE выбираем Results -> Direct Plot -> Main Form… и добавляем вывод out.
Полученная АЧХ схемы изображена на рис. 1.11.
Рис. 1.11. АЧХ схемы с общим истоком
Сохраняем проект: в окне ADE выбираем Session -> Save State.
Итак, мы получили коэффициент усиления А=5 при ширине канала входного транзистора W = 40 мкм, длине канала l = 200 нм и сопротивлении нагрузки R = 200 Ом.