1.2.2.5. Полупроводниковые приборы

Основой полупроводниковых приборов является так называ­емый электронно-дырочный переход (р—п- переход). Главное свойство р — n -перехода — односторонняя проводимость: от области р (анод) к области п (катод). Эту идею наглядно пере­дает и условное графическое обозначение полупроводниковых приборов.

Элементы полупроводниковых приборов (табл. 5)

1. Электрод: а) база с одним выводом; б) база с двумя вы­водами; в) Р-эмиттер с N-областью; г) N-эмиттер с Р-областью; д) коллектор с базой; е) четыре Р-эмиттера с N-областью; ж) четыре N-эмиттеров с Р-областью.

2. Область между проводниковыми слоями с различной эле­ктропроводностью (переход от Р-области к N-области и наобо­рот).

3. Область с собственной электропроводностью (I-область):

а) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP; б) между областями с электропроводностью одного типа РIР или NIN; в) между коллектором и областью с проти­воположной электропроводностью PIN или NIP; г) между кол­лектором и областью с электропроводностью того же типа РIР или NIN.

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: а) обо­гащенного типа; б) обедненного типа.

5. Переход: а) PN-типа; б) NР-типа.

6. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип.

7. N-канал на подложке Р-типа, обогащенный тип.

Таблица 5

8. Изолированный затвор.

9. Исток и сток (линия истока изображена на продолжении линии затвора).

10. Выводы полупроводниковых приборов: а) электрически несоединенные с корпусом; б) электрически соединенные с кор­пусом.

11. Внешний вывод корпуса.

На рисунке 36 приведен фрагмент электрической схемы с изображением УГО полупроводниковых приборов.

Рис. 36. Фрагмент электрической схемы

Диоды (табл. 6)

Условное графическое обозначение диода - треугольник (символ анода) вместе с пересекающей его линией электрической связи образует подобие стрелки, указывающей направление проводимости. Короткая черточка, перпендикулярная этой стре­лке, символизирует катод.

1. Диод: а) общее обозначение; б) туннельный; в) обращен­ный; г) стабилитрон (лавинный выпрямительный диод) одно­сторонний; д) стабилитрон (диод выпрямительный лавинный) двусторонний; е) теплоэлектрический; ж) варикап; з) двунап­равленный; и) диод Шотки; к) модуль с несколькими одинако­выми диодами с общим анодным и самостоятельными вывода­ми; л) модуль с несколькими одинаковыми диодами, с общим катодным и самостоятельными анодными выводами; м) светоизлучающий.

2. Тиристор (базовый символ диода использован и в услов­ном графическом обозначении тиристоров — полупроводнико­вых приборов с тремя р—п. переходами (структура р—п—р—п), используемых в качестве переключающих диодов): а) диодный, запираемый в обратном направлении; б) диодный проводящий в обратном направлении; в) диодный симметричный; г) триодный, общее обозначение; д) триодный, запираемый в обратном направлении с управлением по аноду; е) триодный, запираемый в обратном направлении с управлением по катоду; ж) триод­ный выключаемый, общее обозначение; з) выключаемый триод­ный, запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду; и) выключаемый триодный, запираемый в обратном на­правлении, с управлением по катоду; к) триодный, прово­дящий в обратном направлении, общее обозначение; л) триод­ный, проводящий в обратном направлении, с управлением по аноду; м) триодный, проводящий в обратном направлении, с уп­равлением по катоду; н) триодный симметричный (двунаправ­ленный) — триак; о) тетроидный, запираемый в обратном нап­равлении.

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треу­гольника.

На рисунке 37 приведен фрагмент схемы с изображением УГО диодов.

Рис. 37. Фрагмент электрической схемы

Таблица 6

Транзисторы (табл. 7)

Транзистор содержит два р-n перехода: один из них соеди­няет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой - с кол­лектором (коллекторный переход).

Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: ес­ли его стрелка направлена к базе, то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база - типа п; если же стрелка направлена в противоположную сторону, электропроводность эмиттера и базы обратная (соответственно n и р). По­скольку электропроводность коллектора та же, что и эмиттера, стрелку на символе коллектора не изображают.

1. Транзистор: а) типа PNP; б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана; в) типа NPN, коллектор соединен с корпу­сом; г) лавинный типа NPN; д) однопереходный с N-базой; е) однопереходный с Р-базой; ж) двухбазовый типа NPN; з) двухбазовый типа PN1P с выводом от i-области; и) двухбазо­вый типа PNIN с выводом от (i-области; к) многоэмиттерный типа NPN.

Примечание. При выполнении схем допускается: а) выполнять изображения транзисторов в зеркальном изображении,

н апример, или ;

б) изображать корпус транзистора.

2. Полевой транзистор: а) с каналом типа N: б) с каналом типа Р; в) с изолированным затвором без вывода от подлож­ки, обогащенного типа Р-каналом; г) с изолированным затво­ром без вывода от подложки обогащенного типа с N-каналом;

д) с изолированным затвором без вывода от подложки, обед­ненного типа с Р-каналом; е) с изолированным затвором без вывода от подложки, обедненного типа с N-каналом; ж) с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки; з) с изолирован­ным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р- каналом; и) с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки; к) с затвором Шоттки; л) с двумя затворами Шоттки.

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

Таблица 7

Фоточувствительные, излучающие и прочие полупроводни­ковые приборы (табл. 8)

1. Фоточувствительные приборы: а) фоторезистор, общее обозначение; б) фоторезистор дифференциальный; в) фотодиод; г) фототиристор; д) фототранзистор типа PNP; е) фототранзис­тор типа NPN; ж) фотоэлемент; з) фотобатарея.

2. Датчик Холла.

3. Оптоэлектронные приборы: а) оптрон диодный; б) оптрон тиристорный; в) оптрон резисторный; г) оптрон диодный с уси­лителем, изображенный совмещение; д) оптрон диодный с уси­лителем, изображенный разнесенно; е) прибор оптоэлектронный с фоторезистором и с выводом от базы; ж) прибор оптоэлект­ронный с фоторезистором без вывода от базы.

Таблица 8

На рисунке 38 приведен фрагмент электрической схемы с изображением УГО транзисторов и оптоэлектронных приборов.

Рис. 38. Фрагмент электрической схемы