Учебное пособие 2064

Операция

Требования к контролируемым и из-

Средства кон-

Объем выбор-

меряемым параметрам

троля и изме-

ки, периодич-

рения

ность контроля

24. Измерение

Длина дополнительного среза (мм)

То же

То же

длины допол-

должна соответствовать указанной в

нительного

ТД для соответствующих диаметров

среза

пластины (мм)

25.

Контроль

Не допускается наличие неисчезаю-

Микроскопы

Цех, ОТК —

качества

обра-

щих рисок, трещин, микротрещин, ис-

МВС-1,

выборочно

ботки

рабочей

чезающих рисок длиной 0,5–1,0 диа-

МБС-2,

(10% от пар-

поверхности

метра, ямок более 0,3 шт/см2, более

стол СМП-1

тии)

пластины

трех–четырех краевых сколов разме-

ром от 0,5×0,5 до 1,5×1,5 мм. Пласти-

ны, имеющие исчезающие риски или

большее количество сколов, ямок, пе-

редают на доработку

26.

Контроль

Не допускается наличие следов резки,

Микроскопы

Цех — 100%,

качества

обра-

приклеивающего материала, матовых

МБС-1,

ОТК —

ботки

нерабо-

серых пятен

МБС-2

выборочно (5–

чей

поверхно-

10% от партии)

сти пластины

27.

Контроль,

Не допускается наличие пятен, подте-

Микроскопы

То же

чистоты

по-

ков, следов абразивного и приклеи-

МБС-1,

верхности пла-

вающего материалов

МБС-2,

стины

стол СМП-1

28.

Контроль

Шероховатость рабочей поверхности

Профилограф

Цех, ОТК —

шероховатости

пластины Rz = 0,050, нерабочей по-

выборочно

поверхности

верхности — Rz = 0,040

(одна пластина

пластины

из партии)

29. Контроль

Не допускается наличие исчезающих

Визуально,

Цех, ОТК —

нарушенного

рисок общей длиной, превышающей

микроскопы

выборочно

слоя на по-

диаметр пластины, а также микровы-

МИМ-7,

(5% от партии)

верхности пла-

колов

ММУ-1,

стины

ММУ-3,

МБС-1,

МБС-2

30.

Измерение

Удельное сопротивление должно соот-

Измеритель

Цех, ОТК —

удельного

со-

ветствовать указанному в ТД

удельного со-

выборочно

противления

противления

(одна пластина

из партии)

Требования к контролируемым и из-

Средства кон-

Объем выбор-

Операция

троля и изме-

ки, периодич-

меряемым параметрам

рения

ность контроля

1. Контроль пластин после химической обработки

1. Контроль

Не допускается наличие подтеков, раз-

Визуально,

Цех — 100%,

чистоты по-

водов, пятен

установка ви-

ОТК —

верхности пла-

зуального

выборочно

стины

контроля

(5% от партии)

микроскопы

МБС-1,

МБС-2

2. Контроль

Не допускается наличие более двух

То же

То же

качеству обра-

светящихся точек для пластин диамет-

ботки поверх-

ром 40 мм и четырех светящихся точек

ности пласти-

для пластин диаметром 60 мм

ны

Операция

Требования к контролируемым и из-

Средства кон-

Объем выбор-

меряемым параметрам

троля и изме-

ки, периодич-

рения

ность контроля

II. Контроль пластин после окисления

3. Контроль

Окисная пленка на рабочей поверхно-

Визуально,

То же

качества окис-

сти пластины должна быть однород-

ЛБ-30

ной пленки

ной по цвету, без дефектов, различае-

мых невооруженным глазом (допуска-

ется неоднородность цвета в перифе-

рийной области пластины не далее

3 мм от края)

4. Контроль

Толщина окисной пленки должна со-

Визуально,

То же

толщины окис-

ответствовать ТД

цветовая таб-

ной пленки

лица

5. Контроль

При осмотре поверхности пластины

Визуально,

Цех —

чистоты по-

под коллимированным пучком света с

установка ви-

выборочно

верхности пла-

изменением угла зрения допускается

зуального

(5% от партии)

стины

наличие восьми светящихся точек для

контроля

пластин диаметром 40 мм и 22 светя-

микроскопы

щихся точек для пластин диаметром

МБС-1,

60 мм

МБС-2

III. Контроль пластин после проявления фоторезиста

6. Контроль

Все элементы модулей должны быть

Визуально,

Цех — 100%,

внешнего вида

полностью проявлены и иметь ровные

микроскопы

ОТК —

рисунка

края. Не допускается наличие грязе-

МБС-1,

выборочно

вых подтеков, остатков фоторезиста,

МБС-2, мик-

(5% от партии)

разводов, пятен

роинтер-

ферометр

МИИ-4

7. Контроль

Уход размеров элементов рисунка не

Визуально,

Цех, ОТК —

ухода размера

должен превышать величины, указан-

микроскоп

выборочно

элемента ри-

ной в ТД

(5% от партии)

сунка

IV. Контроль пластин после снятия слоя фоторезиста

8. Контроль

На поверхности пластины не допуска-

Визуально,

Цех — 100%,

целостности

ется наличие рисок, сколов, трещин

микроскопы,

ОТК —

пластины

интерферо-

выборочно

метр

(5% от партии)

9. Контроль

На рабочей и нерабочей поверхностях

Визуально,

То же

чистоты рабо-

пластины не допускается наличие под-

микроскоп

чей и нерабо-

теков, пятен, остатков фоторезиста.

УВК-2, мик-

чей поверхно-

После обработки рабочей поверхности

рометр

стей пластины

пластины струей очищенного азота

допускается наличие не более девяти

светящихся точек для пластин диамет-

ром 40 мм и 22 светящихся точек для

пластин диаметром 60 мм

Операция

Требования к контролируемым и из-

Средства

Объем выбор-

меряемым параметрам

контроля и

ки, периодич-

измерения

ность контроля

10. Контроль

На рабочей поверхности пластины

Визуально,

Цех — 100%,

качества окис-

должен быть сформирован фотоли-

ЛБ-30

ОТК —

ной пленки на

тографический рисунок, на нерабо-

выборочно

рабочей и не-

чей — сплошная окисная пленка.

(5% от партии)

рабочей по-

Окисная пленка на обеих сторонах

верхностях

должна быть однородной окраски

пластины

11. Контроль

Не допускается наличие проколов в

Визуально,

Цех, ОТК —

дефектности

окисной пленке, остатков окисной

микроскоп

выборочно

элементов мо-

пленки в окнах. Выступы и впадины

ММУ-3.

(5% от партии)

дуля

по контуру элемента должны соот-

микрометр

ветствовать табл. 6.4

МОВ-1×16,

микроинтер-

ферометр

МИИ-4

12. Контроль

Уход размеров контрольного элемен-

То же

То же

ухода размера

та модуля должен быть не более

элемента мо-

1,5 мкм, если эта величина не огово-

дуля

рена в ТД

V. Контроль пластин после химической обработки

перед I стадией диффузии

13. Контроль

Не допускается наличие подтеков,

Визуально,

Цех — 100%,

чистоты по-

разводов, пятен

микроскопы

ОТК —

верхности

МБС-1,

выборочно

пластины

МБС-2

(5% от партии)

14. Контроль

Не допускается наличие более девяти

Визуально,

То же

качества обра-

светящихся точек для пластин, диа-

установка ви-

ботки поверх-

метром 40 мм и 12 светящихся точек

зуального:

ности пласти-

для пластин диаметром 60 мм

контроля

ны

УВК-2, мик-

роскопы

МБС-1,

МБС-2

Операция

Требования к контролируемым и из-

Средства кон-

Объем выбор-

меряемым параметрам

троля и изме-

ки, периодич-

рения

ность контро-

ля

VI. Контроль пластин после химической обработки после П стадии диффузии и сня-

тия окисной пленки

15. Контроль

Не допускается наличие подтеков, раз-

Визуально,

Цех — 100%,

чистоты по-

водов, пятен

микроскопы

ОТК —

верхности пла-

МБС-1,

выборочно

стины

МБС-2

(5% от пар-

тии)

16. Контроль

Не допускается наличие более 12 све-

Визуально, ус-

То же

качества обра-

тящихся точек для пластин, диаметром

тановка визу-

ботки поверх-

40 мм и 28 светящихся точек для пла-

ального: кон-

ности пласти-

стин диаметром 60 мм

троля УВК-2,

ны

микроскопы

МБС-1,

МБС-2

VII. Контроль пластин после формирования локальных

диффузионных областей

17. Измерение

Поверхностное сопротивление не

Измеритель

Цех, ОТК вы-

поверхност-

должно отличаться от указанного в ТД

удельного

борочно (одна

ного сопротив-

более чем на ± 20%

электриче-

пластина-

ления диффу-

ского сопро-

спутник из ка-

зионной облас-

тивления

ждой партий)

ти

18. Измерение

Глубина: диффузионной области не

Установка для

Цех, ОТК вы-

глубины диф-

должна отличаться от указанной в ТД

получения

борочно (одна

фузионной об-

более чем на ± 20%

сферических

пластина-

ласти

шлифов

спутник из ка-

ждой партий)

19. Контроль

Коэффициент наполнения структуры

Селективный

Цех, ОТК —

наполнения

линиями скольжения должен быть не

травитель,

выборочно од-

структуры ли-

более 0,2

линейка

на пластина из

ниями сколь-

партии)

жения

20. Контроль

На поверхности пластины не допуска-

Визуально,

Цех — 100%,

целостности

ется наличие рисок, сколов, трещин

микроскопы

ОТК —

пластины

МБС-1,

выборочно

МБС-2

(5% от партии)

21. Контроль

На рабочей поверхности пластины не

То же

Цех, ОТК —

чистоты рабо-

допускается наличие подтеков, разво-

выборочно

чей поверхно-

дов, пятен, остатков окисла, эрозий-

(одна пласти-

сти пластины

ных дефектов в n+-области (темных

на-спутник из

штрихoв, точек, искривлений линий)

каждой партий)

должно быть не более чем в эталонном

образце

Операция

Требования к контролируемым и из-

Средства

Объем выбор-

меряемым параметрам

контроля и

ки, периодич-

измерения

ность контроля

22. Измерение

Прогиб пластины (мкм) должен соот-

Индикатор

Цех, ОТК —

прогиба пла-

ветствовать указанному в ТД

МИГ-1

выборочно

стины

(5% от партии)

VIII. Контроль эпитаксиальных структур со скрытым

n+-слоем

23. Измерение

Толщина эпитаксиального слоя (мкм)

Спектрофо-

Цех — 100%,

толщины эпи-

должна быть в пределах (6–13) ± 10%

тометры

ОТК —

таксиального

ИКС-14,

выборочно

слоя

ИКС-22

(5% от партии)

24. Измерение

Удельное поверхностное сопротивле-

Измеритель

Цех, ОТК —

удельного по-

ние должно быть в пределах 0,1–

удельного

выборочно

верхностного

2 Ом∙см. Отклонение от номинала

электрическо-

(одна пласти-

сопротивления

для ρ = 0,1–0,8 Ом∙см — ±10%;

го сопротив-

наспутник из

эпитаксиаль-

для ρ = 0,81–2,0 Ом∙см — ±20%

ления

каждой партии

ного слоя

25. Измерение

Поверхностное сопротивление скры-

То же

То же

поверхностно-

того n+-слоя должно быть равно

го сопротивле-

12 Ом/ , если его значение не огово-

ния скрытого

рено в ТД

n+-слоя

26. Измерение

Глубина скрытого n+-слоя должна

Установка для

Цех, ОТК —

глубины скры-

быть равна (7±1,5) мкм

получения

выборочно

того n+-слоя

сферических

(одна пласти-

шлифов

на-спутник из

нескольких

партий)

27.Контроль

Плотность дислокаций должна быть не

Визуально,

Цех, ОТК —

плотности дис-

более 104 см−2

микроскопы

выборочно

локаций в эпи-

ММУ-1,

(одна пластина

таксиальном

ММУ-3

из партии)

слое

28.Контроль

Плотность дефектов упаковки должна

То же

То же

плотности де-

быть не более 103 см−2

фектов упаков-

ки в эпитакси-

альном слое

29. Контроль

Плотность дефектов роста должна

Визуально,

Цех — 100%,

плотности де-

быть не более 2 см−2

микроскопы

ОТК —

фектов роста

ММУ-1,

выборочно

типа треуголь-

ММУ-3

(5% от партии)

ных пирамид и

бугорков

Операция

Требования к контролируемым и из-

Средства

Объем выбор-

меряемым параметрам

контроля и

ки, периодич-

измерения

ность контроля

30. Контроль

Плотность сыпи не должна превышать

Визуально:

Цех — 100%,

плотности сыпи

значение на пластине-эталоне

сравнение с

ОТК —

в окнах

пластиной-

выборочно

эталоном, мик-

(5% от партии)

роскопы

МБС-1,

МБС-2

31. Контроль

Четкость рельефа должна быть не хуже

То же

То же

четкости релье-

имеющегося на пластине-эталоне

фа

32. Контроль

На поверхности пластины не допускается

Визуально

Цех, ОТК —

целостности

наличие рисок, сколов, трещин

100%

пластины

33. Измерение

Стрела прогиба по выпуклости и по во-

Индикатор

Цех, ОТК — вы-

стрелы прогиба

гнутости должна быть не более 20 мкм

МИГ-1

борочно (5% от

пластин

партии)

34. Контроль

Качество нерабочей поверхности должно

Визуально,

Цех — 100%,

качества обра-

соответствовать пластине-эталону

сравнение с

ОТК —

ботки нерабочей

пластиной-

выборочно

поверхности

эталоном

(5% от партии)

35. Проверка

Рисунок эпитаксиальной структуры дол-

Визуально,

То же

соответствия

жен соответствовать топологическому

сравнение с

рисунка эпитак-

рисунку шаблона

топологиче-

сиальной струк-

ским рисунком

туры шаблону

шаблона, мик-

роскопы

МБС-1,

МБС-2

36. Измерение

Отклонение диаметра от номинального

Штангенцир-

То же

диаметра пла-

должно быть не более 0,5 мм

куль

стины

Таблица 6.4

Размеры

Размеры вы-

Допустимое

Неровность

число вы-

элемента,

ступов и

края, мкм

ступов и

мкм

впадин, мкм

впадин

0,8–2,0

0,3

—

—

2,0–5,0

0,5

0,7

1

5,0–10

0,8

1,5

1

10–30

1,0

3,0

1

30–100.

1,0

6,0

1

>100

1,2

10,0

1

Требования к контролируемым и из-

Средства кон-

Объем выбор-

Операция

троля и изме-

ки, периодич-

меряемым параметрам

рения

ность контроля

1. Контроль

Пленка алюминия не должна иметь

Визуально,

Цех — 100%,

чистоты по-

пористости, царапин, капель алюми-

микроскопы

ОТК — 20%

верхности ме-

ния. Поверхность должна быть зер-

ММУ-1,

таллической

кальной.

ММУ-3

пленки межсо-

единений (на-

пыления алю-

миния)

2. Измерение

Толщина алюминиевой пленки должна

Микроинтер-

Цех, ОТК —

толщины алю-

быть равной (1,2±0,15) мкм, в специ-

ферометр

100%

миниевой

альных случаях — значению, указан-

МИИ-4

пленки

ному в ТД

3. Проверка

Царапина, прочерченная на алюми-

Визуально,

Цех, ОТК —

адгезии алю-

ниевой пленке на расстоянии не далее

микроскоп

выборочно

миниевой

3 мм от края должна быть ровной

ММИ-4

(одна–две пла-

пленки (прово-

стины из пар-

дится на рабо-

тии)

чей пластине)

Требования к контролируемым и из-

Средства кон-

Объем выбор-

Операция

троля и изме-

ки, периодич-

меряемым параметрам

рения

ность контроля

I. Контроль кристаллов по внешнему виду

Операции 1–9

Требования к внешнему виду кристал-

Визуально,

Цех — 100%

ла по перечисленным параметрам ука-

микроскоп

заны в ТД

ММУ-3