
ФУУМЭ / 7201_lab6_
.docxМИНОБРНАУКИ РОССИИ
Санкт-Петербургский государственный
электротехнический университет
«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)
Кафедра РТЭ
отчет
по лабораторной работе №6
по дисциплине «Функциональные узлы и устройства микроэлектроники»
Тема: исследование интегральной логической схемы ттл
Студент гр. 7201 |
|
Казмаджи А |
|
|
Степнов Д.Е. |
|
|
Пастушенко И.С. |
Преподаватель |
|
Тупицын А.Д. |
Санкт-Петербург
2020
Цель работы: Ознакомление с принципом действия, схемотехническими особенностями, конструкцией и назначением логической схемы типа ТТЛ и определение ее основных параметров и характеристик.
Тип и параметры объекта исследования
В ходе данной лабораторной работы исследуется логическая интегральная микросхема ТТЛ типа К155ЛА3. Микросхема К155ЛА3, как и ее импортный аналог SN7400, содержат в себе четыре логических элемента 2И – НЕ в корпусе DIP-14.
Микросхемы К155ЛА3 и 7400 созданы на базе ТТЛ, поэтому - напряжение 7 вольт является для них предельно максимальным. При превышении этого значения прибор очень быстро сгорает.
Схема расположения выходов и входов логических элементов (распиновка) К155ЛА3 выглядит следующим таким образом.
Рис.1 – Расположение выводов К155ЛАЗ
Рис. 2 – Габариты микросхемы
Рис.3 – Размеры корпуса микросхемы К155ЛАЗ.
Параметры К155ЛАЗ:
Таблица 1 – Наименование параметров К155ЛАЗ.
Наименование параметра |
Значение |
Напряжение питания |
5В+-5% |
Максимальное напряжение лог. "0" |
<0.4В |
минимальное напряжение лог "1" |
>2.4В |
Ток потребеления при лог. "0" и Uпит=5В |
<22mA |
Ток потребеления при лог. "1" и Uпит=5В |
<8mA |
Входной ток низкого уровня |
<1,6 mA |
Входной ток высокого уровня |
<0,04 mA |
Входной пробивной ток |
<1 mA |
Ток КЗ |
18-55 mA |
Потребляемая мощность одного элемента |
<19,7mВт |
Время задержки распространения сигнала при включении |
<15нс |
Время задержки распространения сигнала при выключении |
<22нС
|
Помехоустойчивость |
<0.4В |
Таблица 2 – Таблица истинности для К155ЛАЗ:
Вход А |
Вход В |
Выход Q |
0 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
0 |
Рис.
4 – Электрическая
схема К155ЛАЗ
Рис. 5 – Блок-схема измерительной установки
Обработка результатов
Построим передаточные характеристики, при Uп=4 В и 5 В соответственно и определим помехоустойчивость:
Таблица 3 – Полученные данные моделирования
Рис. 6 Передаточные характеристики для разных напряжениях питания
Построим входные характеристики, при Uп=4 В и 5 В соответственно
Рис. 7 Входные характеристики для разных напряжениях питания
Построим зависимость тока питания, при Uп=4 В и 5 В соответственно
Рис. 8 Зависимость тока питания от входного напряжения
Построим нагрузочную характеристику при напряжении питания 5 в и высоком и низком логическом уровне выходного напряжения:
Примем входное напряжение Uвх= 1 В, при котором на выходе высокий логический уровень, а для низкого уровня примем Uвх= 4 В
Таблица 5 Нагрузочная характеристика
Рис. 9 Нагрузочная характеристика высокого лог. уровня
Рис. 10 Нагрузочная характеристика низкого лог. уровня
Определим динамические параметры схемы:
Рис. 11 Временная зависимость выходного и входного напряжений при амплитуде Uвх= 1 В (верхняя и нижняя кривая соответственно)
Рис. 12 Временная зависимость выходного и входного напряжений при амплитуде Uвх= 2 В
Рис. 13 Временная зависимость выходного и входного напряжений при амплитуде Uвх= 3 В
Рис. 14 Временная зависимость выходного и входного напряжений при амплитуде Uвх= 4 В
Рис. 15 Временная зависимость выходного и входного напряжений при амплитуде Uвх= 5 В
Определим величины задержек τ10 и τ01 для каждой амплитуды входных напряжений.
Таблица 7
Uвх, В |
t10, нс |
t01, нс |
1 |
25,518 |
21,609 |
2 |
24,901 |
22,701 |
3 |
23,517 |
21,531 |
4 |
22,532 |
20,17 |
5 |
22,438 |
20,137 |
Рис. 16 Зависимость времени задержки фронтов и спадов в зависимости от амплитуды
Выводы: в данной лабораторной работе была исследована схема К155ЛАЗ – 2И-НЕ. Были построены ее передаточные, входные, нагрузочные, а также зависимость тока питания от входного напряжения. По передаточным характеристикам была определена помехоустойчивость. Также были определены динамические параметры исследуемой схемы и рассчитаны величины задержек.