ФУУМЭ / LiteraturaVoprosy2
.docxЛитература:
Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника в 2 томах – Додека XXI век, 2008 г. (допустимо использовать более ранние издания)
Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. – Корона-Принт, 2011 г. (допустимо использовать более ранние издания)
Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника: Учебн. пособие / Под ред. И.П. Степаненко. – М.: Радио и связь, 1990.
Шило В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. – М.: Сов. радио, 1979.*
*Возможно использование не указанных в списке литературных источников по данной тематике
Контрольные вопросы:
Назовите основные направления развития микроэлектроники, поясните их сущность.
Сформулируйте преимущества микроминиатюризации РЭА по-сравнению с аппаратурой на дискретных компонентах.
В чём разница между монолитными, плёночными и гибридно-плёночными интегральными схемами?
Сформулируйте понятие «интегральная схема» и назовите основные проблемы схемотехнического характера, возникающие при переходе от использования дискретных компонентов на ИС.
Объясните разницу между элементом и компонентом ИС.
За счёт чего происходит увеличение надёжности РЭА при переходе на использование ИС?
Каким образом расширяется область применения РЭА при переходе на использование ИС?
Какие качественны показатели РЭА можно улучшить при переходе на использование ИС и почему?
Каким образом применение микросхем влияет на производство РЭА?
Сформулируйте понятие степени интеграции и назовите ограничения для её увеличения.
Сравните монолитные и плёночные ИС с точки зрения подготовки их производства. Поясните.
Сравните монолитные и плёночные ИС с точки зрения их функциональной сложности. Поясните.
Сравните монолитные и плёночные ИС с точки зрения их пригодности для использования в линейных и нелинейных устройствах. Поясните.
Сравните монолитные и плёночные ИС с точки зрения их пригодности для использования в линейных и нелинейных устройствах. Поясните.
Сравните монолитные и плёночные ИС с точки зрения их пригодности для использования в силовых устройствах. Поясните.
Сравните монолитные и плёночные ИС с точки зрения применимости в устройствах диапазона сверхвысоких частот. Поясните.
Приведите классификацию ИС по функциональной сложности. Поясните.
Приведите классификацию микроэлектронных устройств по конструктивным формам.
Объясните связь между функциональной сложностью, конструктивными формами и степенью интеграции микроэлектронной аппаратуры.
Сравните основные качественные характеристик РЭА одного и того же назначения, выполненной на элементной базе различных поколений, по массе, объёму, стоимости, энергопотреблению и надёжности. Поясните.
Сформулируйте отличия понятий «интегральная схема», «большая интегральная схема» и «сверхбольшая интегральная схема».
Назовите основные проблемы микроминиатюризации РЭА.
В чём разница между линейными и цифровыми интегральными схемами?
Приведите классификацию линейных интегральных.
Назовите виды интегральных схем, которые могут быть отнесены к силовым, сформулируйте основные области их применения.
Назовите виды интегральных схем, которые могут быть отнесены к радиочастотным, сформулируйте основные области их применения.
Назовите виды интегральных схем, которые могут быть отнесены к инструментальным, сформулируйте основные области их применения.
Назовите основные виды операционных усилителей и области их применения.
В чём причины, заставляющие изменять схемотехнику устройств при переходе от дискретных элементов к интегральным схемам?
В чём сущность проблемы конденсаторов большой ёмкости в интегральных схемах и каковы пути её решения?
Проблема разделительных конденсаторов в интегральных схемах и пути её решения.
Цели применения и принцип действия динамической нагрузки.
Какие из известных схемных элементов могут быть использованы в качестве динамической нагрузки и почему?
Приведите пример каскада с динамической нагрузкой и объясните его принцип действия.
Составной транзистор – схема, назначение, принцип действия.
Проблема термостабильности составного транзистора и пути её решения.
Назначения трансформаторов в низкочастотной схемотехнике.
Приведите возможные пути решения проблемы невозможности использования трансформаторов при миниатюризации РЭА.
Приведите схему и объясните принцип действия эмиттерного повторителя.
Назовите причины применения в усилительных и иных интегральных микросхемах схем сдвига уровня напряжения.
Приведите примеры схем сдвига уровня напряжения и объясните принципы действия.
Почему нельзя использовать в качестве схемы сдвига уровня напряжения резистивный делитель?
Перечислите особенности монолитных интегральных схем при реализации схемных структур линейных интегральных схем.
В чём причины повышенной, по-сравнению со схемами на дискретных элементах, нелинейности монолитных линейных интегральных схем?
Как изготавливаются резисторы в монолитных интегральных схемах и к каким негативным последствиям и почему это приводит?
Нарисуйте сечение диффузионного резистора и поясните механизм его нелинейности.
Приведите эквивалентную схему диффузионного резистора и сформулируйте проблемы, возникающие при его использовании.
Поясните сущность понятия согласованности элементов монолитных интегральных схем.
Сформулируйте основные требования к идеальному операционному усилителю.
Какие противоречия возникают при попытке выполнить требования, предъявляемые к идеальному операционному усилителю?
Каким образом можно реализовать низкое выходное сопротивление ОУ – одно из основных требований к нему?
Приведите обобщённую блок-схему операционного усилителя и назовите основные функции её элементов.
Сформулируйте требования к входному дифференциальному усилителю и объясните, за счёт чего достигается их выполнение?
Сформулируйте требования к усилителю напряжения ОУ и объясните, за счёт чего достигается их выполнение?
Сформулируйте требования к усилителю мощности ОУ и объясните, за счёт чего достигается их выполнение?
Приведите пример схемы дифференциального усилителя и назовите его основные параметры.
Понятие коэффициента ослабления синфазного сигнала.
Какие коэффициенты усиления характеризуют работу операционных усилителей? Определите их физический смысл. Приведите выражения для их определения.
Поясните на схеме ДУ, за счёт чего достигаются большой коэффициент усиления для синфазного сигнала и малый для дифференциального?
Схема составного транзистора и влияние его применения на параметры дифференциального усилителя.
Недостатки схемы составного транзистора и способы борьбы с ними.
Цель фиксации эмиттерных токов транзисторов дифференциального усилителя, принципиальная схема, как такая схема работает, расчётные соотношения для основных параметров.
Приведите и обоснуйте выражения для входных сопротивлений дифференциальных усилителей на составных транзисторах.
Проблема насыщения составных транзисторов – в чём заключается, её причины и способы борьбы с ними.
Простейший источники неизменного тока – схема и определение его внутреннего (выходного) сопротивления.
Схема простейшего токового зеркала, принцип действия, недостатки и способы борьбы с ними.
Каким образом достигаются малые выходные токи токового зеркала, чем они ограничиваются и как ограничения преодолеваются?