Топологическая форма представления математических моделей
Компоненты моделей электрических процессов
Компоненты моделей электрических процессов (продолжение)
Компоненты моделей электрических процессов (продолжение)
Топологические модели резисторов
Для области низких частот |
Для диффузионных резисторов |
|
интегральных схем |
Для области высоких частот
R — сопротивление резистора; LR — индуктивность выводов и
проводящей части резисторов;
СR – ёмкость выводов и проводящей
Сn – ёмкость проводящей части
относительно подложки (включая ёмкость обратносмещённого паразитного p-n перехода)
части резисторов
Для области низких частот |
Интегральный конденсатор, |
|
построенный на структуре металл- |
|
диэлектрик-полупроводник |
В широкополосной области
Rc — сопротивление потерь в диэлектрике;
Lc — индуктивность выводов и обкладок конденсатора;
rc — сопротивление последовательного слоя в структуре конденсатора; lп=f(Un) — зависимый источник, моделирующий статическую
характеристику паразитного р-п перехода; Сп — емкость р-п перехода;
П — подложка
Для области низких частот |
Спиральная катушка |
|
индуктивности интегральных |
|
схем |
В широкополосной области
RL — сопротивление обмотки (спирали); CL — межвитковая емкость;
RИ — сопротивление потерь межвитковой изоляции; Сп — емкость между спиралью и подложкой П.
Компоненты моделей тепловых процессов
Компоненты моделей тепловых процессов (продолжение)
