- •Контактные явления в полупроводниках
- •Термоэлектронная работа выхода
- •Термоэлектронная работа выхода
- •Термоэлектронная работа выхода
- •Термоэлектронная работа выхода
- •Контакт металл-полупроводник
- •Контакт металл-полупроводник
- •Контакт металл-полупроводник.
- •Контакт металл-полупроводник. Квазиуровень Ферми
- •Контакт металл-полупроводник. Квазиуровень Ферми
- •Контакт металл-полупроводник. Вольтамперная характеристика
- •Контакт металл-полупроводник. Вольтамперная характеристика
- •Контакт металл-полупроводник. Вольтамперная характеристика
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Контакт электронного и дырочного полупроводников
- •Выпрямление тока в p-n переходе
- •Выпрямление тока в p-n переходе
- •Теория тонкого p-n перехода
- •Теория тонкого p-n перехода
- •Теория тонкого p-n перехода
- •Теория тонкого p-n перехода
- •Теория тонкого p-n перехода
- •Теория тонкого p-n перехода
- •ВАХ p-n перехода
- •Положение квазиуровней Ферми
- •Явление пробоя p-n перехода
- •Явление пробоя p-n перехода
- •Явление пробоя p-n перехода
- •Явление пробоя p-n перехода
- •Туннельные диоды
- •Туннельные диоды
- •Гетеропереходы и сверхрешётки
- •Гетеропереходы и сверхрешётки
- •Гетеропереходы и сверхрешётки
- •Квантовые ямы и сверхрешётки
- •Резонансно-туннельные диоды
Выпрямление тока в p-n переходе
К p-n переходу приложена разность потенциалов U так, что p-область заряжается положительно (прямое смещение).
Сопротивление слоя объёмного заряда перехода высокое, поэтому падение напряжения будет в основном в этой области
При прямом смещении высота потенциального барьера понижается на eU по сравнению с равновесным состоянием
Увеличивается поток основных носителей заряда через барьер
В приконтактной области к p-n переходу концентрация электронов и дырок будет повышена по сравнению с равновесным состоянием
Выпрямление тока в p-n переходе
Введение в полупроводник носителей заряда с помощью p-n перехода при подаче на него прямого смещения в область, где эти носители являются неосновными, называют инжекцией.
Концентрация дырок в n-области вблизи контакта:
p pn p
Чтобы найти ее в стационарном случае при x=Xn вместо e k надо
использовать e( k-U) |
p X n ppe |
e k U kT |
pne |
eU kT |
|
|
|
||||
|
|
|
|
||
|
|
||||
Отсюда: |
p X n p pn pn eeU kT 1 |
||||
|
|
|
|
|
|
Аналогичные явления в p-области:
n X p n np np eeUkT 1
С увеличением прямого смещения на p-n переходе концентрация инжектируемых неосновных носителей заряда резко возрастает, это приводит в сильному росту тока через контакт в прямом направлении.
Теория тонкого p-n перехода
Предположим, что:
1)границы p-n перехода резкие (электрическое поле обращается точно в ноль на его краях); 2)Полупроводник – невырожденный;
3)Концентрация инжектированных носителей мала по сравнению с концентрацией основных носителей; 4)Процессами генерации и рекомбинации в области перехода можно
пренебречь ( переход является тонким, толщина области пространственного заряда много меньше диффузионной длины)
Для расчёта ВАХ p-n перехода надо решить уравнения непрерывности для дырок и электронов
n |
1 Jn |
|
|||
|
|
|
|
||
t |
e x |
|
|||
|
|
||||
|
p |
1 |
J p |
||
|
|||||
|
e |
|
|
||
|
t |
x |
|||
|
|
|
|
|
n;
n
p ;
p
Будем считать, что в p- и n-областях значения коэффициентов диффузии и подвижности электронов и дырок соответственно одинаковы.
Теория тонкого p-n перехода
Плотность полного тока дырок и электронов:
Jn en n eDn dndx;J p ep p eDp dp dx;
-напряженность внешнего электрического поля
Рассмотрим n-область. При прямом смещении p-n перехода
n nn n
Так как nn n, |
Jnnдр |
Jnnдиф ; |
Jnn Jnnдр |
en n ; |
|
|||||
Но в n-области nn pn , |
p pn |
|
|
|
|
|
||||
И концентрация неравновесных дырок вблизи p-n перехода, равная |
p pn p |
|||||||||
определяется количеством избыточных дырок, инжектированных из p- |
||||||||||
области |
J pnдиф |
J pnдр |
|
|
|
|
dp |
|
||
Поэтому |
и |
J n J n |
-eD |
; |
||||||
|
|
|
|
|
|
p |
p диф |
|
p dx |
|
Теория тонкого p-n перехода
Так как дрейфовой составляющей тока дырок в n-области можно пренебречь, уравнение непрерывности для дырок для стационарного случая ( p/ t=0) запишется в виде:
|
|
|
|
|
|
D |
d 2 p |
|
|
p |
p |
0 |
0 |
|||||
|
|
|
|
|
|
p dx2 |
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
p |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Используя соотношениеL2 |
D |
p |
, получаем: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
p |
p |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
d 2 p |
|
p |
0 |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
dx |
2 |
|
2 |
|
|
||||||
Общее решение: |
|
p Ae x Lp Bex Lp |
|
|
|
|
|
|
Lp |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Граничные условия: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1) p 0; |
отсюда |
B 0; |
|
p pn p pn Ae |
x Lp |
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
x |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2)x X n ; p X n pneeUkT
p X n pn Ae Xn Lp pneeU kT отсюда |
A pn eeU kT 1 eXn Lp |
Теория тонкого p-n перехода
Таким образом, закон изменения концентрации дырок в n-области при x>Xn принимает вид:
p x pn pn eeUkT 1 e x Xn Lp
И для дырочного тока получаем:
J pn J pnдиф |
-eDp |
dp |
|
eDp pn |
eeU kT 1 e |
x X |
L |
p |
|
|
n |
|
|||||
dx |
Lp |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
Проведя аналогичные расчёты найдём, что в p-области изменение концентрации неравновесных электронов при x<-Xp определяется соотношением:
n x np np eeUkT 1 e x X p Ln
А электронная составляющая тока имеет вид:
Jn p Jn pдиф |
eDn |
dn |
|
eDnnp |
eeU kT 1 e x X p Ln |
dx |
|
||||
|
|
|
L |
||
|
|
|
|
n |
Теория тонкого p-n перехода
В любом сечении полупроводника сумма плотностей электронного и
дырочного токов постоянна:
J J pp Jn p Jnn J pn const
Поскольку слой объемного заряда узок и внутри него нет рекомбинации носителей заряда, то дырочные токи в p- и n-областях на границе запорного
слоя одинаковы:
J pp x X p J pn x Xn
Принимая это во внимание, для плотности общего тока, текущего через переход можно использовать формулу:
|
J J pp |
|
|
|
|
Jn p |
|
|
J pn |
|
|
Jn p |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
x X p |
|
|
|
|
|
x X p |
|
|
|
|
x Xn |
|
|
x X p |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
J p |
|
x Xn |
|
eDp pn |
e |
eU kT |
|
1 ; |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
Плотности токов |
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Lp |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
соответственно равны: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Jn p |
|
|
|
|
eDnnp |
eeU kT 1 ; |
|||||||||||||
|
|
|
|
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
x X p |
|
|
|
|
Ln |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Теория тонкого p-n перехода
Следовательно ВАХ тонкого p-n перехода описывается уравнением:
|
|
|
|
|
|
D n |
p |
|
|
D |
p |
|
p |
n |
|
eeU kT 1 Js eeU kT 1 ; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
J e |
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
L |
|
|
|
L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
p |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
Где плотность тока насыщения: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
eD n |
p |
|
|
|
eD |
p |
p |
n |
|
|
D |
|
|
D |
p |
|
|
n |
|
|
L |
p |
L |
|
|
|||||||||
J |
|
J |
|
J |
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
en2 |
|
n |
|
|
|
|
|
|
e |
|
p n |
|
n |
|
p |
|
||||||||||
|
|
|
|
L |
|
|
|
L |
|
|
|
L p |
|
L |
n |
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
s |
|
sn |
|
sp |
|
|
|
|
|
|
|
|
p |
|
i |
|
p |
|
|
|
|
n |
p |
|
|
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n |
p |
|
|
n |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При прямом смещении ток, текущий через p-n переход, экспоненциально возрастает с ростом приложенной разности потенциалов, а обратный ток растёт медленно и достигает насыщения. Таким образом, p-n переход обладает сильным выпрямляющим действием, которое тем лучше, чем меньше ток насыщения.
ВАХ p-n перехода
При достижении критического значения отрицательного напряжения ток насыщения быстро увеличивается. Такой рост тока обусловлен тем, что электроны и дырки в обедненном слое приобретают кинетическую энергию, достаточную для ударной ионизации валентных электронов. Возникающие при этом свободные носители заряда в свою очередь ускоряются полем и принимают участие в генерации электронно-дырочных пар. Происходит лавинное нарастание концентрации свободных носителей заряда, поэтому этот тип пробоя p-n перехода называется лавинным
Положение квазиуровней Ферми
При приложении к p-n переходу внешнего напряжения состояние полупроводника будет неравновесным, характеризующимся квазиуровнями Ферми Fn и Fp. Если внешняя разность потенциалов не слишком велика,
избыточные концентрации будут существовать справа и слева от перехода лишь на расстоянии нескольких диффузионных длин Ln и Lp и в этих областях
квазиуровни Ферми будут зависеть от координаты.
n X p |
npeeU kT Nce Ec Fn X p kT |
Fp Fn X p eU |
|||
n 3L |
n |
|
N |
e Ec Fp kT |
|
p |
|
||||
n |
|
c |
|
Fn Fp Xn eU |
|
Аналогично для дырок получим |
Квазиуровень Ферми в p-n переходе при прямом (а) и обратном (б) смещении