3
.docxМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ
УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра Промышленной электроники (ПрЭ)
«НЕМТ Транзисторы»
ОТЧЕТ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3
по дисциплине «Наноэлектроника»
Студенты гр. 368-1
_______ С.Б. Жанаева
_______ В.Р. Бубнов
_______И.В. Чевгунов
«__» ________2020 г.
Принял:
Профессор каф. ФЭ
_______ Ю.В. Сахаров
«__» ________2020 г.
Томск 2020
Содержание
Введение 3
2 Экспериментальная часть 4
3 Заключение 7
Введение
Целью
данной работы является исследование
характеристик транзистора с высокой
подвижностью электронов HEMT.
Рисунок 1.1 – Схема экспериментальной установки
2 Экспериментальная часть
Предельно допустимые параметры транзистора ATF36163:
Максимально допустимое напряжение сток-исток – Uси=3В;
Максимально допустимое напряжение затвор-исток – Uзи= –3В;
Максимальный ток стока – Iс max=40мА;
Минимальный ток стока – Iс min=15мА;
Диапазон рабочих температур – –65…150°С;
Предельная мощность рассеяния – P=180Вт.
Выходная характеристика (Ic=f(Uси)/Uзи=const) при различных напряжениях на затворе:
Uзи=0,3В |
Uзи=0,5В |
Uзи=0,7В |
|||||
Iс, мА |
Uси, В |
Iс, мА |
Uси, В |
Iс, мА |
Uси, В |
||
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
||
8,36 |
0,1 |
4,766 |
0,1 |
2,358 |
0,1 |
||
11,717 |
0,15 |
6,728 |
0,15 |
3,254 |
0,15 |
||
13,9 |
0,3 |
7,98 |
0,3 |
3,871 |
0,3 |
||
15,037 |
0,6 |
8,618 |
0,6 |
4,171 |
0,6 |
||
15,66 |
0,9 |
8,987 |
0,9 |
4,349 |
0,9 |
||
16,262 |
1,2 |
9,328 |
1,2 |
4,517 |
1,2 |
||
16,781 |
1,5 |
9,624 |
1,5 |
4,659 |
1,5 |
||
17,283 |
1,8 |
9,911 |
1,8 |
4,797 |
1,8 |
||
17,781 |
2,1 |
10,2 |
2,1 |
4,941 |
2,1 |
||
18,294 |
2,4 |
10,493 |
2,4 |
5,08 |
2,4 |
||
18,779 |
2,7 |
10,77 |
2,7 |
5,216 |
2,7 |
||
19,104 |
2,9 |
10,958 |
2,9 |
5,307 |
2,9 |
||
Рисунок 2.1 – Выходная характеристика
Передаточная характеристика (Ic=f(Uси)/Uзи=const) при различных напряжениях сток-исток:
Uси=0,1В |
Uси=0,5В |
Uси=1,5В |
|||||
Iс, мА |
Uзи, В |
Iс, мА |
Uзи, В |
Iс, мА |
Uзи, В |
||
17,5 |
0 |
30,78 |
0 |
34,88 |
0 |
||
13,86 |
0,1 |
24,66 |
0,1 |
27,91 |
0,1 |
||
11,13 |
0,2 |
19,59 |
0,2 |
22,29 |
0,2 |
||
8,367 |
0,3 |
14,871 |
0,3 |
16,87 |
0,3 |
||
6,477 |
0,4 |
11,23 |
0,4 |
12,99 |
0,4 |
||
4,856 |
0,5 |
8,58 |
0,5 |
9,71 |
0,5 |
||
3,416 |
0,6 |
6,096 |
0,6 |
6,93 |
0,6 |
||
2,337 |
0,7 |
4,15 |
0,7 |
4,696 |
0,7 |
||
1,425 |
0,8 |
2,64 |
0,8 |
2,977 |
0,8 |
||
0,819 |
0,9 |
1,424 |
0,9 |
1,637 |
0,9 |
||
0,345 |
1 |
0,606 |
1 |
0,692 |
1 |
||
0,073 |
1,1 |
0,118 |
1,1 |
0,138 |
1,1 |
||
0 |
1,2 |
0 |
1,2 |
0 |
1,2 |
||
Рисунок 2.2 – Передаточная характеристика
3 Заключение
В ходе лабораторной работы мы исследовали транзистор AFT36163 и его характеристики. Ток при напряжении затвор-исток, превышающее 1.2 В, равен нулю (транзистор закрыт). То есть транзистор является нормально открытым.