Абрамова / 6_rabota
.docxПрактическая работа №6
Определение параметров полупроводниковых приборов
Цель работы:
Определить основные параметры транзисторов.
Исследовать основные параметры транзисторов.
Изучить маркировку транзисторов.
Сформировать практические навыки по определению основных параметров.
вариант 3
КВ 111С
К - кремниевый, бытовой
В – варикап
111- серия, подстрочный
С – группа
КС106 А
К - кремниевый, бытовой
С – стабилитрон
106 – серия
1-маломощный, Uст=6 В
А – группа
КП 418 Г
К - кремниевый, бытовой
П - транзистор полевой
418 – серия
4-средней мощности (до 1,5 Вт), низкочастотный (до 3 мГц)
Г – группа
К544 УД 2А
К – для аппаратуры широкого применения
5-полупроводниковая ИМС
44- номер заводской разработки
УД – операционный усилитель
2-порядковый номер разработки в серии
А – группа
ГД 402 А
Г – германиевый, бытовой
Д – выпрямительный диод
4-универсальный с частотой менее 1гГц
02- номер заводской разработки
А - группа
КТ 502 Е
К - кремниевый, бытовой
Т – транзистор биполярный
502- серия
5-средней мощности (до 1,5 Вт), среднечастотный (3…30 мГц)
Е – группа
вариант 4
КС 212 Ж
К - кремниевый
С – стабилитрон
212- серия
2-маломощный, Uст=12 В
Ж – группа
КП 390 А-2
К - кремниевый, бытовой
П – транзистор полевой
390- серия
3- малой мощности (до 0,3 Вт), сверхвысокочастотный (выше 300 мГц)
А-2- группа
КВ 109 В
К - кремниевый, бытовой
В – варикап
109- серия подстрочный
В – группа
КД 208 А
К - кремниевый, бытовой
Д – выпрямительный диод
2- средней мощности (от 0,3 до 10 А)
0,8- номер заводской разработки
А – группа
АЛ 307 БМ
А – арсенид галлиевый
Л - светодиод
307 – серия
3-прямой ток 22mА
07 – номер заводской разработки
БМ - группа
К574 УД 1Б
К – для аппаратуры широкого применения
5- полупроводниковая ИМС
74- номер заводской разработки
УД – дифференциальный усилитель
1-порядуовый номер разработки в серии
Б - группа
Вывод: Я научился определить и исследовать основные параметры транзисторов,
сформировал практические навыки по определению основных параметров
транзисторов.