Абрамова / Определение параметров полупроводниковых приборов
.docxПрактическая работа №5
Определение параметров полупроводниковых приборов
Цель работы:
Определить основные параметры транзисторов.
Исследовать основные параметры транзисторов.
Изучить маркировку транзисторов.
Сформировать практические навыки по определению основных параметров.
вариант 1
ГД 107 А
Г – германиевый
Д – выпрямительный диод
1-прямой ток до 0,3 А
07- номер заводской разработки
А – группа
2С 133 А
2-кремниевый, военная приемка
С – стабилитрон
133- серия
1-маломощный, Uст=3,3 В
А – группа
АЛ 307 БМ
А - арсенид галлиевый
Л – светодиод
307-серия
3-прямой ток 22mА
07- номер заводской разработки
БМ - группа
КВ 120 А1
К - кремниевый, бытовой
В - варикап
120-серия, подстрочный
А1 – группа
ГТ329 Г20
Г- германиевый, бытовой
Т – транзистор биполярный
329 – серия
3- малой мощности (до 0,3 В), сверхвысокочастотный (выше 300мГц)
Г20- группа
К140 УД 23
К – для аппаратуры широкого применения
1-полупроводниковая ИМС
40- номер заводской разработки
УД – дифференциальный усилитель
23- порядковый номер разработки в серии
вариант 2
1Т329 Б
1-германиевый, военная приемка
Т - транзистор биполярный
329- серия
3-малой мощности (до 0,3 В), СВЧ (выше 300мГц)
Б – группа
КВ 113 Б
К - кремниевый, бытовой
В - варикап
113-серия, подстрочный
Б – группа
ГД 113 А
Г - германиевый, бытовой
Д – выпрямительный диод
1-прямой ток до 0,3 А
13- номер заводской разработки
А – группа
КС107 А
К - кремниевый, бытовой
С - стабилитрон
107- серия
1-маломощный, Uст=7 В
А – группа
2Д206 В
2-кремниевый, военная приемка
Д – выпрямительный диод
2- прямой ток, от 0,3 А -10 А
06-номер заводской разработки
В – группа
К142 УД11
К - для аппаратуры широкого применения
1-полупроводниковая ИМС
42- номер заводской разработки
УД - операционный усилитель
11- порядковый номер разработки в серии
Вывод: Я научился определить и исследовать основные параметры транзисторов,
сформировал практические навыки по определению основных параметров
транзисторов.