Зависимости потерь пропускания и потерь запирания переключателя от частоты при постоянном напряжении 1,5 в.
Таблица 5 «Зависимость мощностей от частоты и рассчитанные значения потерь»
f, МГЦ |
750 |
800 |
850 |
900 |
950 |
1000 |
1050 |
1100 |
1150 |
1200 |
1220 |
||||||||||||
Диод №1 |
Pправ, Вт |
70 |
41 |
24 |
3 |
3 |
9 |
6 |
3 |
4 |
2 |
1 |
|||||||||||
Pлев, Вт |
44 |
24 |
28 |
18 |
44 |
63 |
75 |
78 |
69 |
93 |
94 |
||||||||||||
|
Lзап1 |
2,53 |
2,42 |
3,77 |
8,86 |
12,36 |
9,44 |
11,72 |
14,73 |
13,03 |
17,18 |
20,19 |
|||||||||||
|
Lпроп1 |
4,55 |
4,74 |
3,10 |
1,08 |
0,70 |
0,99 |
0,75 |
0,58 |
0,66 |
0,51 |
0,46 |
|||||||||||
f, МГЦ |
750 |
800 |
850 |
900 |
950 |
1000 |
1050 |
1100 |
1150 |
1200 |
1220 |
||||||||||||
Диод №2 |
Pправ, Вт |
38 |
26 |
27 |
16 |
44 |
64 |
74 |
70 |
64 |
80 |
84 |
|||||||||||
Pлев, Вт |
67 |
38 |
26 |
4 |
6 |
12 |
6 |
2 |
2 |
2 |
2 |
||||||||||||
|
Lзап2 |
2,37 |
2,68 |
3,51 |
7,40 |
9,62 |
8,43 |
11,66 |
15,98 |
15,60 |
16,54 |
16,75 |
|||||||||||
|
Lпроп2 |
4,83 |
4,33 |
3,34 |
1,38 |
0,97 |
1,16 |
0,75 |
0,54 |
0,55 |
0,52 |
0,52 |
|||||||||||
Рисунок 9.
Рисунок 10.
Экспериментальные зависимости переключателя.
Рисунок 11. «Сигнал без подключения диодов».
Левый диод, левый выход:
tзап = 3,5 мкс
tвосст = 9,0 мкс
Правый диод, левый выход:
tзап = 4,5 мкс
tвосст = 6,5 мкс
Рисунок 12. «Диод №1»
Выводы:
В ходе выполнения лабораторной работы были получены статические вольтамперные характеристики, имеющие более резистивный характер в сравнении с ВАХ детекторного диода, ввиду наличия низколегированного i-слоя, при этом отличия между диодами минимальны.
Рассчитаны потери пропускания и запирания обоих плеч измерительного тракта при постоянной частоте и получены зависимости, формирующие вывод о том, что потери существенны.
Определено напряжение смещения, при котором происходит наилучшее переключение, и потери при постоянном напряжении смещения. Зависимость носит сложный характер, аппроксимируемый полиномом от 4й степени. Для потерь запирания возможна грубая аппроксимация до линейной.
Определено время входа и рассасывания заряда. Из полученных данных можно судить о толщине i-слоя в исследуемых диодах, которая должна быть близка к диапазону 100-200 мкм. Так как согласно теоретическим положениям: «Для p-i-n диодов с толщиной i -области 100…200 мкм время переключения составляет 1…2 мкс, а у мощных диодов с толщиной i -области до 400 мкм оно может достигать десятков микросекунд».