- •Ответы на билеты по фоэ
- •Составитель-Автор-Издатель: Анатолий
- •Процессы в p – n переходе. Вольтамперная характеристика (вах) перехода. Процессы в p – n переходе.
- •Вольтамперная характеристика перехода.
- •Устройство, принцип действия, статическая вах диода. Характеризующие параметры.
- •Частотные и импульсные свойства диодов.
- •Процессы в p – n – p переходе. Принцип действия биполярного транзистора.
- •Статические вах биполярного транзистора.
- •Полевой транзистор с p – n переходом. Устройство, принцип действия.
- •Полевые мдп-транзисторы, их особенности, характеристики. Сравнительная оценка полевых и биполярных транзисторов.
- •Физические процессы в четырёхслойной структуре тиристора при включении и выключении
- •10) Статическая вах силовых диодов и тиристоров. Характеризующие параметры, условные обозначения.
- •Характеристики цепи управления тиристора.
- •( Просто тайминги включения тиристора)
- •14) Параметр (dU/dt). Повышение стойкости тиристоров к этому динамическому показателю.
- •Параллельное соединение полупроводниковых приборов
- •Последовательное соединение полупроводниковых приборов
- •Параллельно-последовательное соединение полупроводниковых приборов
- •17) Интегральные микросхемы. Типы микросхем, их особенности.
- •Особенности полупроводниковых имс:
- •Особенности гибридных имс:
- •18) Варисторы. Устройство, принцип действия, вах, условное обозначение.
- •19) Транзисторные усилители. Передаточная характеристика каскада усиления с оэ, режимы (классы) работы усилителя.
- •Классы усиления.
- •20) Работа каскада с оэ в классе а. Стабилизация рабочей точки. (смотреть 19 билет для информативности)
- •21) Расчёт усилительных параметров каскада с оэ. ( в 5 билете тоже есть, смотреть оба)
- •22) Ключевой режим работы транзистора. (почитать в 19)
- •23) Нелинейный режим работы оу. Компараторы и триггер Шмитта на оу.
- •24) Дифференциальный каскад усиления. Принцип действия, усилительные параметры.
- •25) Каскад усиления с ок. Усилительные параметры.
- •26) Генераторы линейно – изменяющегося напряжения на оу.
- •27) Операционный усилитель, структура, свойства, параметры. Инвертирующий оу с оос.
- •28) Источники тока. Устройство, принцип действия, применение.
- •(Может спросить про 0 и 1)
- •33) Инвертирующий сумматор. Интегратор на оу. Повышение стабильности работы интегратора.
- •34) Мультивибраторы. Определение, мультивибраторы на оу.
- •35) Логические комбинационные устройства. Шифратор – дешифратор.
- •36) Асинхронные триггеры типов r – s, d. Устройство, работа, временные диаграммы.
- •37) Синхронные триггеры типов r – s, d. Устройство, работа, временные диаграммы.
- •39) Регистры хранения и сдвига. Устройство, принцип действия.
- •Регистр хранения
- •Регистр сдвига
- •40) Двоичные счётчики импульсов. Устройство, работа. Двоичный счетчик
- •41) Счётчики с произвольным коэффициентом пересчёта. Устройство, работа.
Характеристики цепи управления тиристора.
Характеристики цепи управления тиристором приведены на рис
Uудоп, Iудоп, Рудоп – допустимые напряжения, ток и мощность цепиуправления, значения которых нельзя превышать.
Uymin, Iymin – минимальные значения напряжения и тока управления, при которых гарантируется отпирание тиристора.
Воль-амперные характеристики цепи управления лежат в некоторой зоне. Управлении должно формитоваться так, чтоточки бы пересечение ВАХ цепи управления и ВАХ тиристора не попадали в запретную зону.
(Тк чето мало получилось дублирую ответ на билет на всякий)
Процесс включения тиристора. Факторы, влияющие на процесс включения.
( Просто тайминги включения тиристора)
Процесс выключения тиристора. Факторы, влияющие на этот процесс.
14) Параметр (dU/dt). Повышение стойкости тиристоров к этому динамическому показателю.
Повышение стойкости:
уменьшение временu включения для низкочастотных тиристоров, уменьшение времени выключения и снижение прямого падения напряжения для быстродействующих тиристоров.
15) Параметр (dI/dt). Повышение стойкости тиристоров к этому динамическому показателю.
16) Групповое соединение полупроводниковых приборов. Способы выравнивания нагрузки между приборами.
Последовательное и параллельное соединение приборов, применяемое для увеличения допустимых значений тока и напряжения в одной ветви мощного преобразователя или аппарата, называется групповым соединением.
Из-за технологического разброса вольт-амперных характеристик при параллельном соединении отдельные приборы перегружаются по току, а при последовательном – по напряжению.
Для обеспечения надежной работы полупроводниковых приборов при групповом соединении, как правило, должны применяться меры для равномерного распределения тока при параллельном и напряжения при последовательном соединениях.
Параллельное соединение полупроводниковых приборов
При параллельном соединении необходимо обеспечивать равномерное распределение прямого тока в статическом и переходных режимах.
Используются два пути выравнивания тока при параллельном соединении: подбор приборов одного типа с одинаковыми характеристиками и принудительное деление тока с помощью дополнительных электротехнических устройств.
Процентное выражение недоиспользования нагрузочной способности силовых полупроводниковых приборов (СПП) при параллельном соединении из-за неравномерности деления тока определяется по формуле:
Обычно допускается недоиспользование нагрузочной способности не более 101%
Увеличение допустимой неравномерности приводит к чрезмерному завышению установленной мощности приборов в групповом соединении. Поэтому часто вместо подбора приборов прибегают к принудительному делению тока.
Если разброс значений тока не превосходит 10 %, то следует использовать внешние делители тока.
Применение активных делителей:
Применение активных делителей эффективно, но мощность, выделяющаяся в них, может быть значительной. Поэтому в мощных преобразователях больше распространен способ деления тока индуктивными делителями:
В индуктивных делителях потери незначительны, но усложнена конструкция преобразователя.
С учетом того что способ подбора приборов трудоемок, активные делители не экономичны, а индуктивные громоздки. При конструировании преобразователя задачу деления тока решают на основе технико-экономического обоснования для конкретных условий.