Otchyot_po_7-oy_lab-oy_rabote

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное АВТОНОМНОЕ образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Озерский технологический институт – филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (ОТИ НИЯУ МИФИ)

Кафедра «Электроника и Автоматика»

ОТЧЁТ

ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №7

по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»

Выполнил: студент группы 1ИВТ-29Д			М.И. Баранин
		(подпись)
Проверила: зав. кафедрой ЭиА			Е.Г. Изарова
		(подпись)

2021

Исследование характеристик биполярного транзистора

Цель работы: получение входной характеристики и семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Оборудование: базовый лабораторный стенд NI ELVIS II, лабораторный модуль М5.

Схема лабораторного стенда:

Ход работы:

Задание 1 (получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером):

4.1.2: (см. страницу ниже)

Рисунок 1 – входная ВАХ биполярного транзистора

4.1.3: I_Б = 10 мкА, U_БЭ = 0,65 B;

I_Б = 39,85 мкА, U_БЭ = 0,7 B;

4.1.4: r_ВХ = 1,675 кОм;

Задание 2 (Получение семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером):

4.2.2: (см. страницу ниже)

Рисунок 2 - семейство выходных ВАХ бип-го транзистора в схеме с общим эмиттером

4 .2.4: I_К = 0,63 мА; (синий)

I_К = 1,83 мА; (красный)

I_К = 3,67 мА; (зеленый) Токи базы указаны в легенде, справа от ВАХ

I_К = 5,88 мА; (голубой)

I_К = 8,33 мА; (золотой)

4.2.5: β₁₂ = 0,48;

β₂₃ = 0,497;

β₃₄ = 0,48;

β₄₅ = 0,53;

β_AC = 0,49675;

Вывод: в лабораторной работе был исследован биполярный транзистор, подключенный в схеме с общим эмиттером. Подключение биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером позволяет достичь наибольшего усиления по напряжению и току.