Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Otchyot_po_9-oy_lab-oy_rabote

.docx
Скачиваний:
17
Добавлен:
06.07.2021
Размер:
145 Кб
Скачать
☆

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное АВТОНОМНОЕ образовательное учреждение высшего образования

«Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Озерский технологический институт –

филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего

образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

(ОТИ НИЯУ МИФИ)

Кафедра «Электроника и Автоматика»

ОТЧЁТ

ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №9

по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»

Выполнил:

студент группы 1ИВТ-29Д

М.И. Баранин

(подпись)

Проверила:

зав. кафедрой ЭиА

Е.Г. Изарова

(подпись)

2021

Исследование характеристик полевого транзистора

Цель работы: получение передаточной характеристики, зависимости сопротивления канала сопротивления полевого транзистора от напряжения затвор-исток и семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком.

Оборудование: базовый лабораторный стенд NI ELVIS II, лабораторный модуль М6.

Схема лабораторного стенда:

Ход работы:

Задание 1 (получение передаточной характеристики):

4.1.2:

Рисунок 1 - Зависимость выходного тока транзистора от входного напряжения.

Uпор = 1,29B;

4.1.4:

Uзи1 = 1,81B;

Uзи2 = 1,95B;

4.1.5:

S = 1,5/0,14 = 0,0107

4.1.6:

b = 0,01813;

Задание 2 (получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток):

4.2.2:

Рисунок 2 - Зависимость сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток

4.2.3:

Rк.max = 1727 Ом;

4.2.4:

Rк.min = 0,0283 Ом;

Задание 3 (получение семейства выходных характеристик):

4.3.3:

4.3.4:

Выходные характеристики (снизу вверх):

Темно-синий: Ic = 0,05мА;

Красный: Ic = 0,16мА;

Зеленый: Ic = 0,45мА;

Голубой: Ic = 1,05мА;

Золотой: Ic = 2,23мА;

4.3.5:

Sтс = 1,6

Sкр = 2,8

Sзе = 4,6

Sго = 6,8

Sзо = 9,8

Вывод: в лабораторной работе был исследован полевой транзистор. Для полевых транзисторов характерно: значительное сопротивление канала до тех пор, пока напряжение затвор-исток меньше порогового значения, а также крутизна выходных характеристик тем выше, чем больше напряжение затвор-исток.