Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Otchyot_po_9-oy_lab-oy_rabote

.docx
Скачиваний:
13
Добавлен:
06.07.2021
Размер:
145.02 Кб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

федеральное государственное АВТОНОМНОЕ образовательное учреждение высшего образования

«Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Озерский технологический институт

филиал федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего

образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

(ОТИ НИЯУ МИФИ)

Кафедра «Электроника и Автоматика»

ОТЧЁТ

ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №9

по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»

Выполнил:

студент группы 1ИВТ-29Д

М.И. Баранин

(подпись)

Проверила:

зав. кафедрой ЭиА

Е.Г. Изарова

(подпись)

2021

Исследование характеристик полевого транзистора

Цель работы: получение передаточной характеристики, зависимости сопротивления канала сопротивления полевого транзистора от напряжения затвор-исток и семейства выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком.

Оборудование: базовый лабораторный стенд NI ELVIS II, лабораторный модуль М6.

Схема лабораторного стенда:

Ход работы:

Задание 1 (получение передаточной характеристики):

4.1.2:

Рисунок 1 - Зависимость выходного тока транзистора от входного напряжения.

Uпор = 1,29B;

4.1.4:

Uзи1 = 1,81B;

Uзи2 = 1,95B;

4.1.5:

S = 1,5/0,14 = 0,0107

4.1.6:

b = 0,01813;

Задание 2 (получение зависимости сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток):

4.2.2:

Рисунок 2 - Зависимость сопротивления канала полевого транзистора от напряжения затвор-исток

4.2.3:

Rк.max = 1727 Ом;

4.2.4:

Rк.min = 0,0283 Ом;

Задание 3 (получение семейства выходных характеристик):

4.3.3:

4.3.4:

Выходные характеристики (снизу вверх):

Темно-синий: Ic = 0,05мА;

Красный: Ic = 0,16мА;

Зеленый: Ic = 0,45мА;

Голубой: Ic = 1,05мА;

Золотой: Ic = 2,23мА;

4.3.5:

Sтс = 1,6

Sкр = 2,8

Sзе = 4,6

Sго = 6,8

Sзо = 9,8

Вывод: в лабораторной работе был исследован полевой транзистор. Для полевых транзисторов характерно: значительное сопротивление канала до тех пор, пока напряжение затвор-исток меньше порогового значения, а также крутизна выходных характеристик тем выше, чем больше напряжение затвор-исток.