Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

лр3 / ЛР3 Лобазев 9494

.docx
Скачиваний:
17
Добавлен:
26.05.2021
Размер:
81.24 Кб
Скачать

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра МНЭ

отчет

по лабораторной работе №3

по дисциплине «Электротехническое материаловедение»

Тема: Исследование фотоэлектрических свойств

полупроводниковых материалов

Студент гр. 9494

Лобазев Н. А.

Преподаватель

Никонов В. А.

Санкт-Петербург

2021

Цель работы

Исследование спектральных зависимостей фотопроводимости полупроводников СdS и СdSе и зависимостей фотопроводимости от уровня оптического облучения.

Основные понятия и определения

Фотоэлектрические свойства полупроводника описывают изменение электрических характеристик материала при воздействии электромагнитного излучения оптического диапазона. Возникающие при этом процессы называют фотоэлектрическими эффектами (фотоэффектами). В однородных полупроводниках наиболее важным является фоторезистивный эффект (ФРЭ), который состоит в уменьшении сопротивления полупроводника под воздействием света. Для возникновения ФРЭ полупроводник необходимо облучать потоком фотонов с энергиями, достаточными для ионизации собственных или примесных атомов. При этом происходит увеличение концентрации свободных носителей заряда и возрастает удельная проводимость полупроводника. Добавочную проводимость, возникающую при фотоактивном поглощении, называют фотопроводимостью γф. Фотопроводимость равна разности проводимостей полупроводника на свету γс и в темноте γт:

Различают собственную и примесную фотопроводимость. Собственная фотопроводимость обусловлена оптическими переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Примесная фотопроводимость связана с оптическими переходами электронов с примесных уровней в зону проводимости или же с захватом электронов валентной зоны на примесные уровни (образованием дырок в валентной зоне).

Важнейшим свойством ФРЭ является зависимость фотопроводимости от энергии (длины волны) падающего фотона, описываемой спектральной характеристикой. Для возбуждения собственной фотопроводимости энергия фотонов должна превышать пороговое значение, определяемое шириной запрещенной зоны полупроводника:

где h = 4,14*10–15 эВ*с – постоянная Планка; c = 3*108 м/с – скорость света;

– ширина запрещенной зоны.

Пороговое значение длины волны λпор, соответствующее , называют красной границей фотоэффекта. При уменьшении длины волны излучения от λпор интенсивность оптических переходов возрастает, что приводит к увеличению концентрации неравновесных носителей заряда и соответствующему росту фотопроводимости.

С другой стороны, при больших энергиях фотонов (малых λ) существенно возрастает коэффициент оптического поглощения, что сопровождается уменьшением глубины проникновения света в полупроводник.

При этом неравновесные носители заряда, возбуждаемые в тонком поверхностном слое, быстро рекомбинируют через уровни поверхностных дефектов. Это приводит к спаду фотопроводимости после некоторого максимума на спектральной характеристике ФРЭ.

Важное значение имеет фоточувствительность материалов. При фотооблучении возникают неравновесные носители заряда, которые при снятии облучения исчезают вследствие рекомбинации.

Основной принцип повышения фоточувствительности материала заключается в увеличении времени жизни неравновесных носителей заряда.

Для этого в материал вводятся примеси, создающие в запрещенной зоне уровни, называемые «ловушками захвата». В отличие от рекомбинационных уровней, на них могут захватываться носители заряда только одного знака, а вероятность захвата носителей другого знака крайне мала.

Вследствие этого время жизни носителей другого знака значительно увеличивается и, соответственно, возрастает их концентрация, что обуславливает высокую фотопроводимость (фоточувствительность).

Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения называется световой характеристикой. При увеличении уровня облучения полупроводника возрастает интенсивность оптических переходов и, следовательно, растет фотопроводимость.

В области слабых световых потоков характеристика обычно имеет линейный характер. Однако с повышением интенсивности света линейность нарушается, что объясняется усилением роли процесса рекомбинации вследствие того, что часть ловушек захвата начнет превращаться в рекомбинационные центры. Это служит причиной замедления роста фотопроводимости.

Описание установки

В настоящей работе на установке, схема которой представлена на рис. 3.1, исследуются фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов, которые широко используются для производства промышленных фоторезисторов – сульфида кадмия (CdS) и селенида кадмия (CdSe), обладающих высокой чувствительностью к излучению видимого диапазона спектра.

Основной частью установки для исследования фотоэлектрических свойств полупроводников является монохроматор (см. рис. 3.1). Световой поток от лампы E, питаемой от источника G, через входную щель монохроматора F1, ширина которой регулируется микрометрическим винтом, поступает на диспергирующее устройство П.

Рис. 3.1. Схема для исследования

фотоэлектрических свойств полупроводников

На выходе монохроматора (щель F2) установлены исследуемые образцы R полупроводниковых материалов. Изменение проводимости фиксируется с помощью цифрового омметра PR.

Протокол к ЛР №3

«Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов»

Для первого образца

Rт1 = 9,445 Мом – темновое сопротивление 1

Деление по барабану

RC, МОм

, мкм

Э, усл. ед.

600

8,33

0,476

0,141

700

8,05

0,477

0,143

800

7,71

0,478

0,145

900

7,27

0,479

0,147

1000

6,67

0,48

0,15

1100

5,94

0,481

0,153

1200

5,15

0,482

0,153

1300

4,31

0,484

0,163

1400

3,2

0,487

0,172

1500

2,25

0,49

0,182

1600

1,45

0,494

0,195

1700

0,87

0,499

0,21

1800

0,46

0,505

0,228

1900

0,22

0,512

0,248

2000

0,098

0,52

0,27

2100

0,0419

0,528

0,295

2200

0,0202

0,536

0,323

2300

0,0108

0,545

0,353

2400

0,00605

0,555

0,385

2500

0,00234

0,566

0,42

2600

0,00114

0,579

0,46

2700

0,00113

0,594

0,505

2800

0,00219

0,611

0,56

2900

0,00852

0,629

0,63

3000

0,074

0,649

0,71

3100

1,4

0,672

0,83

3200

7,4

0,697

0,99

3300

9,03

0,725

1,17

3400

9,16

0,758

1,37

3500

9,19

0,8

1,6

Для второго образца

Rт2 = 9,568 Мом – темновое сопротивление 2

Деление по барабану

RC, МОм

, мкм

Э, усл. ед.

600

9,32

0,476

0,141

700

9,28

0,477

0,143

800

9,23

0,478

0,145

900

9,16

0,479

0,147

1000

9,07

0,48

0,15

1100

8,97

0,481

0,153

1200

8,84

0,482

0,157

1300

8,67

0,484

0,163

1400

8,44

0,487

0,172

1500

8,09

0,49

0,182

1600

7,56

0,494

0,195

1700

6,88

0,499

0,21

1800

5,99

0,505

0,228

1900

0,62

0,512

0,248

2000

3,25

0,52

0,27

2100

2,08

0,528

0,295

2200

1,18

0,536

0,323

2300

0,639

0,545

0,353

2400

0,29

0,555

0,385

2500

0,138

0,566

0,42

2600

0,073

0,579

0,46

2700

0,0442

0,594

0,505

2800

0,0275

0,611

0,56

2900

0,011

0,629

0,63

3000

0,004

0,649

0,71

3100

0,00366

0,672

0,83

3200

0,0594

0,697

0,99

3300

0,0217

0,725

1,17

3400

2,7

0,758

1,37

3500

7,46

0,8

1,6

Исследование зависимости фотопроводимости от интенсивности облучения

CdS

d, мм

RC, МОм

0,01

5,18

0,02

1,842

0,03

0,9126

0,05

0,2353

0,1

0,0472

0,2

0,0146

0,3

0,00808

0,5

0,00428

1

0,00204

2

0,00125

4

0,00119

CdSe

d, мм

RC, МОм

0,01

8,6

0,02

6,31

0,03

3,46

0,05

0,9701

0,1

0,1956

0,2

0,0572

0,3

0,0315

0,5

0,01537

1

0,00706

2

0,00404

4

0,0038

Обработка результатов измерений

  1. Вычислим проводимость на свету, фотопроводимость и приведенную проводимость для всех длин волн по практическим данным и запишем полученные значения в таблицу.

Для первого образца

Деление по барабану

RC, МОм

, мкм

Э, усл. ед.

, мкСм

, мкСм

, мкСм/усл.ед.

600

8,33

0,476

0,141

0,120048

0,014048

0,099631

0,0000523

700

8,05

0,477

0,143

0,124224

0,018224

0,127438

0,0000668

800

7,71

0,478

0,145

0,129702

0,023702

0,16346

0,0000857

900

7,27

0,479

0,147

0,137552

0,031552

0,214637

0,000113

1000

6,67

0,48

0,15

0,149925

0,043925

0,292834

0,000154

1100

5,94

0,481

0,153

0,16835

0,06235

0,407517

0,000214

1200

5,15

0,482

0,153

0,194175

0,088175

0,576306

0,000302

1300

4,31

0,484

0,163

0,232019

0,126019

0,77312

0,000405

1400

3,2

0,487

0,172

0,3125

0,2065

1,200581

0,00063

1500

2,25

0,49

0,182

0,444444

0,338444

1,859585

0,000975

1600

1,45

0,494

0,195

0,689655

0,583655

2,993103

0,00157

1700

0,87

0,499

0,21

1,149425

1,043425

4,968692

0,002606

1800

0,46

0,505

0,228

2,173913

2,067913

9,069794

0,004757

1900

0,22

0,512

0,248

4,545455

4,439455

17,90103

0,009388

2000

0,098

0,52

0,27

10,20408

10,09808

37,4003

0,019614

2100

0,0419

0,528

0,295

23,86635

23,76035

80,54355

0,042241

2200

0,0202

0,536

0,323

49,50495

49,39895

152,9379

0,080208

2300

0,0108

0,545

0,353

92,59259

92,48659

262,0017

0,137406

2400

0,00605

0,555

0,385

165,2893

165,1833

429,0474

0,225013

2500

0,00234

0,566

0,42

427,3504

427,2444

1017,249

0,533493

2600

0,00114

0,579

0,46

877,193

877,087

1906,711

1

2700

0,00113

0,594

0,505

884,9558

884,8498

1752,178

0,918924

2800

0,00219

0,611

0,56

456,621

456,515

815,2054

0,427532

2900

0,00852

0,629

0,63

117,3709

117,2649

186,1347

0,097618

3000

0,074

0,649

0,71

13,51351

13,40751

18,88382

0,009904

3100

1,4

0,672

0,83

0,714286

0,608286

0,732874

0,000384

3200

7,4

0,697

0,99

0,135135

0,029135

0,029429

0,0000154

3300

9,03

0,725

1,17

0,110742

0,004742

0,004053

0,00000213

3400

9,16

0,758

1,37

0,10917

0,00317

0,002314

0,00000121

3500

9,19

0,8

1,6

0,108814

0,002814

0,001759

0,000000922

Для второго образца

Остальные значения рассчитываются аналогично (автоматизировано с помощью таблицы Excel)

Деление по барабану

RC, МОм

, мкм

Э, усл. ед.

, мкСм

, мкСм

, мкСм/усл.ед.

600

9,32

0,476

0,141

0,107296

0,002796

0,019831

0,0000563429

700

9,28

0,477

0,143

0,107759

0,003259

0,022788

0,0000647437

800

9,23

0,478

0,145

0,108342

0,003842

0,026499

0,0000752888

900

9,16

0,479

0,147

0,10917

0,00467

0,031771

0,0000902668

1000

9,07

0,48

0,15

0,110254

0,005754

0,038357

0,00010898

1100

8,97

0,481

0,153

0,111483

0,006983

0,045639

0,000129668

1200

8,84

0,482

0,157

0,113122

0,008622

0,054918

0,000156033

1300

8,67

0,484

0,163

0,11534

0,01084

0,066505

0,000188952

1400

8,44

0,487

0,172

0,118483

0,013983

0,081299

0,000230985

1500

8,09

0,49

0,182

0,123609

0,019109

0,104997

0,000298315

1600

7,56

0,494

0,195

0,132275

0,027775

0,142437

0,000404689

1700

6,88

0,499

0,21

0,145349

0,040849

0,194518

0,000552663

1800

5,99

0,505

0,228

0,166945

0,062445

0,273881

0,000778148

1900

0,62

0,512

0,248

1,612903

1,508403

6,082271

0,017280873

2000

3,25

0,52

0,27

0,307692

0,203192

0,752564

0,002138176

2100

2,08

0,528

0,295

0,480769

0,376269

1,275489

0,003623903

2200

1,18

0,536

0,323

0,847458

0,742958

2,300178

0,006535238

2300

0,639

0,545

0,353

1,564945

1,460445

4,137239

0,011754671

2400

0,29

0,555

0,385

3,448276

3,343776

8,685132

0,024676089

2500

0,138

0,566

0,42

7,246377

7,141877

17,00447

0,048312885

2600

0,073

0,579

0,46

13,69863

13,59413

29,55246

0,083964073

2700

0,0442

0,594

0,505

22,62443

22,51993

44,59393

0,126699718

2800

0,0275

0,611

0,56

36,36364

36,25914

64,74846

0,183962513

2900

0,011

0,629

0,63

90,90909

90,80459

144,1343

0,409512498

3000

0,004

0,649

0,71

250

249,8955

351,9655

0,99999998

3100

0,00366

0,672

0,83

273,224

273,1195

329,0597

0,934920301

3200

0,0594

0,697

0,99

16,83502

16,73052

16,89951

0,048014683

3300

0,0217

0,725

1,17

46,08295

45,97845

39,29782

0,111652477

3400

2,7

0,758

1,37

0,37037

0,26587

0,194066

0,000551378

3500

7,46

0,8

1,6

0,134048

0,029548

0,018468

0,0000524701

Соседние файлы в папке лр3