лр3 / ЛР3 Лобазев 9494
.docx
По данным таблицы построим график спектральной зависимости фотопроводимости для образцов № 1 и № 2:
Т.к. экспериментальная характеристика имеет размытую длинноволновую область, принимаем пор1 = 0,608 мкм, пор2 = 0,684 мкм.
Энергии активации фотопроводимости равны:
Рассчитаем проводимость и фотопроводимость для каждого значения ширины щели и запишем полученные значения в таблицу:
Для первого образца1
Остальные значения рассчитываются аналогично (автоматизировано с помощью таблицы Excel)
-
d, мкм
RC, МОм
, мкСм
, мкСм
d/dmax
0,01
5,18
0,19305
0,08705
0,0025
0,02
1,842
0,542888
0,436888
0,005
0,03
0,9126
1,09577
0,98977
0,0075
0,05
0,2353
4,249894
4,143894
0,0125
0,1
0,0472
21,18644
21,08044
0,025
0,2
0,0146
68,49315
68,38715
0,05
0,3
0,00808
123,7624
123,6564
0,075
0,5
0,00428
233,6449
233,5389
0,125
1
0,00204
490,1961
490,0901
0,25
2
0,00125
800
799,894
0,5
4
0,00119
840,3361
840,2301
1
Для второго образца
Остальные значения рассчитываются аналогично (автоматизировано с помощью таблицы Excel)
-
d, мкм
RC, МОм
, мкСм
, мкСм
d/dmax
0,01
8,6
0,116279
0,011779
0,0025
0,02
6,31
0,158479
0,053979
0,005
0,03
3,46
0,289017
0,184517
0,0075
0,05
0,9701
1,030822
0,926322
0,0125
0,1
0,1956
5,112474
5,007974
0,025
0,2
0,0572
17,48252
17,37802
0,05
0,3
0,0315
31,74603
31,64153
0,075
0,5
0,01537
65,06181
64,95731
0,125
1
0,00706
141,6431
141,5386
0,25
2
0,00404
247,5248
247,4203
0,5
4
0,0038
263,1579
263,0534
1
Вывод: в ходе лаб. работы были выяснены спектральные зависимости фотопроводимости и зависимости фотопроводимости от уровня оптического облучения двух образцов полупроводниковых материалов - сульфида кадмия (CdS) и селенида кадмия (CdSe). По графических отображениях зависимостей прослеживается следующая закономерность – при увеличении длины волны растет фотопроводимость полупроводника, но до определенного значения ( = 884,9558 мкСм для CdS; = 273,224 мкСм для CdSe), после которого оно снова уменьшается до значения, близкого к первоначальному, так как возрастает интенсивность оптических переходов и показатель оптического поглощения и уменьшается глубина проникновения света в полупроводник. При увеличении уровня облучения растет и фотопроводимость полупроводника, а на графике видно, что при слабых световых потоках фотопроводимость имеет относительно линейный характер, но с повышением интенсивности света рост фотопроводимости замедляется за счет усиления процесса рекомбинации.