56. Статические характеристики биполярных транзисторов (входные, выходные).

Статическими характеристиками называются зависимости между входными и выходными токами и напряжениями транзистора при отсутствии нагрузки. Каждая из схем включения транзистора характеризуется четырьмя семействами статических характеристик:

Входные характеристики – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянстве напряжения на выходе: 

Выходные характеристики – это зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированном значении входного тока: 

БИЛЕТ 17.

17. Обозначение ф. Б. На структурных и функциональных схемах.

37. Переменные и подстроечные резисторы конструкция, применения.

Переменный резистор (реостат) – резистор с возможностью изменять его сопротивление в процессе использования. То есть крутим ручку, сопротивление меняется. 1_ Проволочный реостат. Состоит из проволоки из материала с высоким удельным сопротивлением, натянутой на раму. Проволока проходит через несколько контактов. Соединяя с нужным контактом, можно получить нужное сопротивление.

2_ Ползунковый реостат. Состоит из проволоки из материала с высоким удельным сопротивлением, виток к витку натянутой на стержень из изолирующего материала. Проволока покрыта слоем окалины, который специально получается при производстве. При перемещении ползунка с присоединённым к нему контактом слой окалины соскабливается, и электрический ток протекает из проволоки на ползунок. Чем больше витков от одного контакта до другого, тем больше сопротивление.

3_ Жидкостный реостат, представляющий собой бак с электролитом, в который погружаются металлические пластины. Обеспечивается плавное регулирование. Величина сопротивления реостата пропорциональна расстоянию между пластинами, и обратно пропорциональна площади части поверхности пластин, погруженной в электролит.

4_ Ламповый реостат. Состоит из набора параллельно включённых ламп накаливания. Изменением количества включённых ламп изменялось сопротивление реостата. Недостатком лампового реостата является зависимость его сопротивления от степени разогрева нитей ламп.

Подстроечный резистор — переменный резистор, предназначенный для тонкой настройки радиоэлектронного устройства в процессе его монтажа или ремонта. Эти компоненты устанавливаются внутри корпуса устройства и недоступны для пользователя при нормальной эксплуатации.

57. Транзисторы полевые (устройство, параметры, обозначение, конструкции, применения).

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, и предназначенный для усиления мощности электрических колебаний.

Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление током в полевых транзисторах осуществляется изменением проводимости канала, через который протекает ток транзистора под воздействием электрического поля. Вследствие этого транзисторы называют полевыми.

Основные параметры

- Максимальный ток стока Iс max (при Uзи = 0); - Максимальное напряжение сток-исток Uси max; - Напряжение отсечки Uзи отс; - Внутреннее (выходное) сопротивление r_i − представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала); - Для переменного тока:- Крутизна стоко-затворной характеристики:; - Отображает влияние напряжение затвора на выходной ток транзистора; - Входное сопротивлениепри Uси=const транзистора определяется сопротивлением р-n-переходов, смещенных в обратном направлении. Входное сопротивление полевых транзисторов с р-n-переходом довольно велико (достигает единиц и десятков мегаом), (10⁷-10⁹Ом) что выгодно отличает их от биполярных транзисторов.

Применение

Значительная часть производимых в настоящий момент полевых транзисторов входит в состав КМОП-структур, которые строятся из полевых транзисторов с каналами разного (p- и n-) типа проводимости и широко используются в цифровых и аналоговых интегральных схемах.

За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затвору), а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии, что особенно актуально в схемах ждущих и следящих устройств, а также в схемах малого потребления и энергосбережения (реализация спящих режимов).

Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах, — наручные кварцевые часы и пульт дистанционного управления для телевизора. За счёт применения КМОП-структур эти устройства могут работать до нескольких лет, потому что практически не потребляют энергии.

Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор) – это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

 

Основные параметры: Параметры МДП-транзисторов аналогичны параметрам полевых транзисторов с р-n-переходом.. Что касается входного сопротивления то МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с р-n-переходом. Входное сопротивление у них составляет r_вх =10¹²...10¹⁴ Ом.

БИЛЕТ 18.