Добавил:
schmuglevski@mail.ru Получил среднее специальное образование в Минском государственном политехническом колледже по специальности: монтаж и эксплуатация электрооборудования , затем получил высшее заочное образование в Белорусском государственном университете информатики и радиоэлектроники по специальности: инженер по радиотехнике. Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

БГУИР ФиГСвЦР КР 1 Вариант 17

.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
28.03.2021
Размер:
20.16 Кб
Скачать

Учреждение образования

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

Кафедра информационных радиотехнологий

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

по дисциплине «Формирование и генерирование сигналов в цифровой

радиосвязи»

Вариант №17

Выполнил:

                                                                                 студент группы 

                                                                           

Минск 2020

Вопрос № 1.2

Обобщенная структурная схема РПдУ, назначение ее отдельных элементов.

Обобщенная структурная схема РПДУ представлена на рис. 1. Возбудитель служит для

Рис. 1. Обобщенная структурная схема РПДУ

При большом числе частот возбудитель представляет

Вопрос 2.2.3

Порядок расчета ГВВ, работающего в перенапряженном режиме. Пояснить, как на основе справочных данных определяются основные параметры транзистора для расчета.

Если ГВВ работает в слабо перенапряженном режиме, близком к КР,

Для расчета режима работы транзисторов необходимо знат следующие параметры:

Вопрос № 2.6.3

Двухтактная схема транзисторного УЧ. Рекомендации по выбору режима работы и угла отсечки.

В широкодиапазонных передатчиках для облегчения настройки часто применяют двухтактные транзисторные

а б

Рис. 2 Схема двухтактного удвоителя частоты (а)

и эпюры, поясняющие его работу (б).

На рис. 2, б, приведены эпюры входного напряжения, коллекторных токов и

Вопрос № 3.2.3

Принципиальная схема транзисторного АГ с автотрансформаторной обратной связью. Основные параметры и сравнительные характеристики.

На рис. 3 представлена схема АГ, построенная по классической

Рис. 3. Принципиальные схемы АГ на ПТ с общим истоком и автотрансформаторной ОС.

Вопрос № 4.1.4

Примеры конструкций и эквивалентные схемы замещения узкополосных и широкополосных транзисторных усилителей мощности СВЧ.

Рисунок 4 – Пример конструкции трехкаскадного СВЧ импульсного усилителя на частоту 1,25 ГГц мощностью 40 Вт.

Рисунок 5 – Пример конструкции усилителя мощности на частоту 175 МГц мощностью 140 Вт.

Рисунок 6 – Схемы усилителей мощности с общим эмиттером (а) и с общей базой (б).

На рисунке 6 (а) представлена упрощенная эквивалентная схема узкополосного транзисторного

За полным содержанием данной работы обращайтесь по следующим адресам:

https://vk.com/orororr

schmuglevski@mail.ru