
- •Электроника
- •Основные понятия электроники
- •1.1. Электронная цепь (схема)
- •1.2. Классификация электронных схем
- •Элементная база электроники
- •2.1. Полупроводниковые материалы
- •2.2. Электронно-дырочный переход
- •2.3. Полупроводниковый диод
- •2.4. Биполярный транзистор
- •2.5. Полевой транзистор.
- •2.6. Тиристоры и динисторы
- •2.7. Фотоэлектронные элементы
- •2.8. Светоиспускающие элементы
- •2.9. Терморезисторы
- •2.10. Варисторы
- •2.11. Электронные лампы
- •Фильтры
- •3.1. Пассивная дифференцирующая цепь
- •3.2. Пассивная интегрирующая цепь
- •3.3. Полосовой фильтр
- •3.4. Режекторный фильтр
- •3.5. Кварцевый фильтр
- •4. Линии задержки
- •4.1. Цепочечные линии задержки
- •4.2. Коаксиальные линии задержки
- •4.3. Ультразвуковые линии задержки
- •5. Усилители на транзисторах
- •5.1. Схема с общим эмиттером
- •5.2. Схема с общим коллектором
- •5.3. Схема с общей базой
- •5.4. Сравнение схем включения транзисторов и их применение
- •5.5. Дифференциальный усилитель
- •5.6. Иные схемы усилителей на биполярных транзисторах
- •6. Операционные усилители
- •6.1. Основные свойства оу
- •6.2. Инвертирующий усилитель на оу
- •6.3. Неинвертирующий усилитель на оу
- •6.4. Повторитель на операционном усилителе
- •6.5. Инвертирующий сумматор
- •6.6. Активная дифференцирующая цепь
- •6.7. Активная интегрирующая цепь
- •6.8. Логарифмический преобразователь
- •6.9. Антилогарифмический преобразователь
- •7. Компараторы
- •7.1. Двухвходовый компаратор
- •7.2. Одновходовый компаратор
- •7.3. Регенеративный компаратор
- •7.4. Нуль-детектор
- •8. Электронные ключи
- •9. Генераторы гармонических сигналов
- •9.4. Трехточечные генераторы
- •10. Генераторы импульсов
- •10.1. Ждущий мультивибратор (одновибратор) на оу
- •10.2. Автоколебательный мультивибратор на оу
- •10.3. Мультивибратор в режимах деления частоты и синхронизации
- •10.4. Транзисторный ждущий мультивибратор (одновибратор)
- •10.5. Транзисторный автоколебательный мультивибратор
- •10.6. Мультивибратор на динисторе
- •10.7. Блокинг-генератор
- •10.8. Формирователь импульсов на основе длинной линии
- •10.9. Генератор ударного возбуждения
- •10.10. Генераторы линейно изменяющегося напряжения
- •10.11. Генератор качающейся частоты
- •11. Основные цифровые схемы
- •11.1. Логические элементы
- •11.4. Счетный триггер
- •11.5. Синхронный триггер
- •11.6. Триггер задержки
- •11.7. Параметры цифровых микросхем различных серий («логик»)
- •11.8. Двоичный счетчик
- •11.9. Регистр
- •11.10. Мультиплексор и демультиплексор, кóдер
- •11.11. Цифроаналоговый преобразователь
- •11.12. Гсин на базе цап
- •11.13. Параллельный ацп
- •11.14. Последовательный ацп
- •12. Усилитель класса d
- •Список рекомендуемой литературы
- •Оглавление
- •Электроника
- •197376, С.-Петербург, ул. Проф. Попова, 5
10.4. Транзисторный ждущий мультивибратор (одновибратор)
Схема ЖМВ на транзисторах (рис. 10.9) отличается от схемы ЖМВ на ОУ как по принципу действия, так и топологически и, кроме того, по виду формируемых сигналов. Если генератор на ОУ формирует двухполярные сигналы, то его аналог на транзисторах – однополярные импульсы. Принцип действия транзисторного ЖМВ поясняет рис. 10.10.
Во
время паузы между импульсами схема
находится в устойчивом состоянии:
транзистор VT1
закрыт, на его коллекторе потенциал
практически равен ЕК.
Транзистор VT2
открыт, потенциал на его коллекторе, а
значит и выходной сигнал практически
равен нулю (точнее, равен ΔUКЭ
нас
–
напряжению между эмиттером и коллектором
насыщенного транзистора). Делитель из
сопротивлений
и
включен между точкой с нулевым потенциалом
и источником отрицательного напряжения
−ЕБ.
Средняя точка делителя, соединенная с
базой транзистора VT1,
поэтому также имеет отрицательный
потенциал д,
что способствует поддержанию VT1
в режиме отсечки. Левая обкладка
конденсатора С
соединена с коллектором VT1,
правая – с базой открытого транзистора
VT2,
имеющей нулевой потенциал, поэтому
напряжение на конденсаторе С
практически равно ЕК.
|
Рис. 10.9 |
|
Рис. 10.10 |


По окончании импульса процессы в ЖМВ продолжаются. Конденсатор был разряжен, и его заряд происходит по трассе RК1–С–открытый VT2 за время 2,3RК1С. Тот факт, что потенциал коллектора VT1 не сразу после закрытия транзистора принимает значение ≈ ЕК, в ЖМВ не является недостатком, так как выходной сигнал снимается с коллектора другого транзистора.