
zaLrOavrsu
.pdf4.3.Содержание отчета
1.Цель работы, схемы измерений.
2.Заполненные табл. 4.1 и 4.2.
3.Пример расчета Iстаб.
4.Графики ВАХ стабилитрона и варистора.
5.Выводы (с анализом полученных характеристик).
Лабораторная работа № 5 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК КОНДЕНСАТОРОВ
ПОСТОЯННОЙ ЕМКОСТИ
Цель работы – ознакомление с различными видами конденсаторов по-
стоянной емкости, в том числе электролитическими; исследование темпера-
турной стабильности емкости и тока утечки конденсаторов.
5.1. Основные сведения о конденсаторах
Конденсатор, как следует из его названия, предназначен для «конденси-
рования» (накопления) электрического заряда. Любые два проводника, раз-
деленные диэлектриком, образуют конденсатор. Заряд конденсатора (Q) и
накопленная в нем энергия (W) связаны с напряжением (U) на его электродах и его емкостью (С) выражениями Q = CU и W = CU 22.
При расчетах в СИ емкость конденсатора выражают в фарадах [Ф]. Ре-
альные конденсаторы обычно имеют емкость, составляющую миллиардные,
миллионные или тысячные доли фарада. Поэтому для маркировки их емкости используются производные единицы: пикофарады (1 пФ = 10–12 Ф), нанофарады (1 нФ = 1000 пФ = 10–9 Ф) и микрофарады (1 мкФ = 1000 нФ = 10–6 Ф).
Наиболее часто емкость указывают на корпусе конденсатора в явном виде, например: 510 пФ; 15 нФ; 0,022 мкФ; 100 мкФ. На зарубежных конден-
саторах те же номинальные значения имеют следующую маркировку: 510 pF; 15 nF; 0,022 µF; 100 µF. На микроминиатюрных конденсаторах принято не указывать единицы измерения: их емкость всегда выражают в пикофарадах числовым кодом, в котором первые две цифры являются значащими, а по-
следняя цифра указывает степень N множителя 10N. Например, маркировка
«102» на корпусе конденсатора означает емкость 10 · 102 пФ = 1000 пФ, а «223» означает 22 · 103 пФ = 22 000 пФ = 22 нФ или 0,022 мкФ.
21
Допустимые отклонения емкости конденсатора от номинального значе-
ния обычно связаны с температурными нестабильностями в диапазоне рабо-
чих температур. На пленочных, бумажных и электролитических конденсато-
рах допуск приводится в маркировке и указывается в процентах, например: ±5 %; ±10 %; ±20 %. Здесь принято два вида обозначений допуска. Для кон-
денсаторов с предсказуемой монотонно изменяющейся зависимостью емко-
сти от температуры, т. е. с известным значением температурного коэффици-
ента емкости (ТКЕ), введены группы термостабильности, указываемые на корпусе конденсатора вместе с его номинальной емкостью (табл. 5.1).
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 5.1 |
||
Группы термостабильности конденсаторов с постоянным ТКЕ |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Относительное |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
изменение емкости, |
+100 |
+33 |
0 |
–47 |
–75 |
–150 |
–750 |
|
–1500 |
ppm/°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Отечественное |
П100 |
П33 |
МП0 |
М47 |
М75 |
М150 |
М750 |
|
М1500 |
обозначение |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Зарубежное |
A |
B |
G |
H |
L |
P |
U |
|
– |
обозначение |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Для этой группы конденсаторов во всем диапазоне рабочих температур с определенным допуском, достигающим ±20–100 % от объявленной величи-
ны, ТКЕ может быть задан как постоянная величина, рассчитываемая по формуле
α = ТКЕ = |
1 |
|
dC |
= |
1 |
|
∆C |
. |
(5.1) |
C |
C dT C ∆T |
|
Обозначение группы термостабильности конденсаторов отечественного производства, у которых в пределах рабочих температур изменение емкости не имеет монотонного характера, начинается с русской буквы Н, далее ука-
зывается двухзначное число, обозначающее допуск (в процентах) изменения
емкости (табл. 5.2).
|
|
|
|
|
|
Таблица 5.2 |
|
Группы термостабильности конденсаторов с неопределенным ТКЕ |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Относительное |
|
|
|
|
|
|
|
изменение |
±10 |
±20 |
±30 |
±50 |
±70 |
Более ±70 |
|
емкости (∆С/С), % |
|
|
|
|
|
|
|
Отечественное |
Н10 |
Н20 |
Н30 |
Н50 |
Н70 |
Н90 |
|
обозначение |
|||||||
|
|
|
|
|
|
||
Зарубежное |
2B |
2C |
2D |
2E |
– |
2F |
|
обозначение |
(–30 %+20 %) |
(–55 %+20 %) |
(–80 %+30 %) |
||||
|
|
|
22

Температура оказывает влияние не только на значение емкости конденсатора, но и на его ток утечки, характеризующий электрическую прочность изоляции. Температурное изменение тока утечки особенно велико у электролитических конденсаторов. Для электролитических конденсаторов с алюминиевыми электродами максимальный ток утечки [мкА] в рабочем диапазоне температур (обычно от –40 до +85 ° С) вычисляется по следующей эмпирической формуле:
Iут ≤ 0,01СU (для СU ≤ 1000) или Iут ≤ 0,03СU (для СU > 1000), (5.2)
где С – емкость, мкФ; U – напряжение, В.
Зависимости тока и напряжения на конденсаторе во время переходных процессов в RC-цепях с источниками постоянного напряжения описываются
экспоненциальной функцией. |
|
Общее решение дифференциального уравнения для цепи |
заряд- |
ки/разрядки конденсатора С через резистор R дает следующую зависимость |
|
напряжения на конденсаторе от текущего времени: |
|
U (t) = U∞ – (U∞– U0 )exp –( t τ), |
(5.3) |
где U∞ – напряжение на конденсаторе после окончания переходного процес-
са, т. е. для времени t = ∞; U0 – напряжение на конденсаторе в момент начала переходного процесса, т. е. для t = 0; τ = RC – постоянная времени цепи зарядки/разрядки.
Если конденсатор изначально не заряжен (U0 = 0), а к моменту полной зарядки (при t = ∞) напряжение на нем становится равным напряжению ис-
точника питания (U∞ = Uп ), то формула (5.3) приобретает вид
U (t ) = U |
1 – exp ( – t |
τ) . |
(5.4) |
|
п |
|
|
Напротив, если в начале переходного процесса (t = 0) конденсатор был |
|||
заряжен до напряжения U0 , а к концу переходного процесса он разряжается |
|||
до нуля, т. е. U∞ = 0, то формула (5.3) приводится к виду |
|
||
U (t ) = U0 exp(– t τ). |
(5.5) |
5.2.Порядок выполнения исследований
1.Исследовать температурную зависимость емкости многослойного конденсатора с однонаправленными выводами и керамикой типа Y5V и многослойного планарного конденсатора с керамикой Х7R, для чего собрать схему,
23

|
Мультиметр 2 |
|
Т |
|
C |
|
Схx |
|
|
R2 |
|
R1 |
|
|
0…+28 В |
V |
Сx |
=28 В |
Рис. 5.1. Схема проведения измерений ТКЕ керамических конденсаторов
изображенную на рис. 5.1, и провести измерения, повышая температуру обогревателя до 90 ° С. По результатам измерений заполняется табл. 5.3. Результаты измерений занести в протокол (первые три строки табл. 5.3).
|
|
|
|
Таблица 5.3 |
|
Результаты исследования ТКЕ конденсаторов |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
Температура (t), ° С |
20 |
30 |
… |
|
80 |
Емкость конденсатора с керамикой Y5V, нФ |
|
|
|
|
|
Емкость конденсатора с керамикой Х7R, нФ |
|
|
|
|
|
ТКЕ αС конденсатора с керамикой Y5V, ppm/° С |
|
|
|
|
|
ТКЕ αС конденсатора с керамикой Х7R, ppm/° С |
|
|
|
|
|
Значения αС рассчитываются с помощью (5.1).
2. Для исследования тока утечки алюминиевого электролитического конденсатора с номинальной емкостью 100 мкФ измерить с помощью мультиметра 1 сопротивление балластного резистора ( Rб), результаты измерений занести в протокол.
Мультиметр 2 |
Мультиметр 1 |
|
Т |
|
U |
R2 |
|
|
С |
─ Cx, Rx |
Rб |
+ |
|
|
R1 |
|
|
0…+28 В |
V |
Зарядка |
=28 В |
Общ. |
|
|
+18 В |
Рис. 5.2. Схема измерений температурной зависимости тока утечки алюминиевого электролитического конденсатора
24

3. Собрать схему, представленную на рис. 5.2. При подключении кон-
денсатора С к зажимам «Cx, Rx» следует помнить, что электролитический конденсатор является полярным, и важно, чтобы положительный полюс кон-
денсатора (+) подключался к положительному полюсу источника.
4. После сборки схемы зарядить исследуемый конденсатор до напряже-
ния источника питания, замкнув накоротко балластный резистор при помощи
перемычки на 5…10 с.
5. Ток утечки определяется с помощью мультиметра 1 по падению напря-
жения на Rб. Такой способ измерения тока вызван отсутствием в применяемых мультиметрах пределов измерения токов, рассчитанных на единицы микроам-
пер. Результаты измерений зависимости падения напряжения на балластном ре-
зисторе от температуры занести в протокол (первые две строки табл. 5.4).
|
|
|
|
Таблица 5.4 |
|
Результаты исследования тока утечки электролитического конденсатора |
|||||
|
|
|
|
|
|
Температура (t), ° С |
20 |
30 |
… |
|
80 |
Падение напряжения на Rб, мВ |
|
|
|
|
|
Ток утечки, мкА |
|
|
|
|
|
6. Для исследования процессов зарядки и разрядки электролитического конденсатора с номинальной емкостью 1000 мкФ измерить с помощью муль-
тиметра 1 сопротивление Rб, результаты измерений занести в протокол.
7. Собрать схему, представленную на рис. 5.3, и разрядить конденсатор,
замкнув его выводы накоротко на несколько секунд.
8. Приготовить секундомер, включить стенд и через каждые 15 с за-
писывать в протокол показания вольтметра до тех пор, пока напряжение
(Uз. э) заряжаемого конденсатора не станет равным 15 В. Для исследова-
ния процесса разрядки конденсатора отключить положительный полюс конденсатора от источника напряжения и замкнуть его на общую точку
(пунктирная линия на рис. 5.3).
+18 В |
Зарядка |
|
|
|
+ |
Разрядка |
Cx U Мультиметр 1 |
Общ. |
RC |
|
Рис. 5.3. Схема исследования процессов зарядки и разрядки конденсатора
25
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 5.5 |
|
Результаты исследования зарядки и разрядки конденсатора |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Время, с |
0 |
15 |
30 |
45 |
|
… |
|
|
Uз. э конденсатора (эксперимент), В |
0 |
|
|
|
|
… |
|
15 |
Uр. э конденсатора (эксперимент), В |
15 |
|
|
|
|
… |
|
1 |
Uз. т конденсатора (расчет), В |
0 |
|
|
|
|
… |
|
15 |
Uр. т конденсатора (расчет), В |
15 |
|
|
|
|
… |
|
1 |
Через каждые 15 с записывать в протокол показания вольтметра до тех пор, пока напряжение конденсатора (Uр. э) не станет равным 1 В (первые три строки табл. 5.5).
5.3.Содержание отчета
1.Цель работы, схемы измерений.
2.Заполненные табл. 5.3–5.5.
3.Примеры расчета ТКЕ αС конденсатора и тока утечки.
4.Графики зависимостей емкости и ТКЕ от температуры.
5.Графики экспериментальной и теоретической (по (5.2)) зависимостей тока утечки от температуры.
6.Графики экспериментальной и теоретической (по (5.4) и (5.5)) зависимо-
стей изменения напряжения на конденсаторе при его зарядке и разрядке (для удобства анализа рекомендуется все 4 графика выполнять на одном рисунке).
7. Выводы (с анализом полученных характеристик).
Лабораторная работа № 6 ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ КАТУШЕК ИНДУКТИВНОСТИ
Цель работы – ознакомление с основными параметрами катушек ин-
дуктивности и методами их измерений.
6.1. Основные сведения об индуктивностях
Движущиеся заряды (токи) порождают магнитное поле. Магнитное поле имеет направленный характер и характеризуется векторной величиной В,
называемой электромагнитной индукцией. Было бы логично присвоить вели-
чине В, по аналогии с напряженностью электрического поля Е, название напряженность магнитного поля. Однако по историческим причинам это название носит вспомогательная величина Н, аналогичная вектору электри-
ческого смещения D. Связь между В и Н определяется следующей формулой:
26

В = µ0µН,
где µ0 = 4π×10–7 Гн/м – магнитная проницаемость вакуума (воздуха); µ – от-
носительная магнитная проницаемость вещества по отношению к вакууму. Магнитное поле удается сконцентрировать внутри катушки, образован-
ной множеством близко расположенных витков с током I. Если принять, что все составляющие индукции по сечению катушки S равны некоторому среднему значению В, что справедливо для катушек с сердечником, то отдельные значения В суммируются в полный поток электромагнитной индукции, или
магнитный поток, определяемый как |
|
F = ВS = LI, |
(6.1) |
где L – коэффициент пропорциональности между током и полным магнитным потоком катушки, называемый индуктивностью катушки. Индуктивность зависит от геометрии катушки, от магнитной проницаемости сердечника и от магнитных свойств окружающей среды. Так, для дросселей с замкнутыми тороидальными магнитопроводами индуктивность определяется формулой
L = |
N 2µµ0S |
, |
(6.2) |
|
|||
|
lср |
|
где N – количество витков; S – сечение магнитопровода; lср – средняя длина
окружности, определяемая как полусумма длин окружностей внутреннего и внешнего контуров магнитопровода. В лабораторной работе используется сердечник с µ = 2000, lср = 26 мм, S = 108 мм2.
Единицей индуктивности является генри [Гн]. Одному генри соответствует индуктивность катушки без сердечника, которая развивает поток электромагнитной индукции в 1 Вб (вебер) в результате протекания тока 1 А.
В соответствии с законом Ленца изменение магнитного потока Ф, пронизывающего замкнутый контур, порождает в нем возникновение индуцированной ЭДС (Е):
Е = - |
dФ |
. |
(6.3) |
|
|||
|
dt |
|
С учетом (6.1) из (6.2) получаем выражение для ЭДС катушки индуктивности при изменении протекающего через нее тока:
Е = -L dI . dt
27

Из (6.3) следует, что включение индуктивности последовательно с цепью нагрузки, питаемой от пульсирующего источника тока, снижает его пульсации за счет возникающей ЭДС самоиндукции.
Если предположить, что ток в катушке изменяется от некоторого значения I до нуля, то работа, совершаемая этим током за время dt, будет опреде-
ляться как dA = EI × dt = – LI × dI.
Если индуктивность не зависит от тока и в других элементах цепи никаких изменений не происходит, остается заключить, что магнитное поле является носителем энергии, за счет которой и совершается данная работа. Таким образом, катушка с индуктивностью L, через которую протекает ток I, запа-
сает энергию WL , равную
W = |
LI 2 |
. |
(6.4) |
L |
2 |
|
Катушка не может запасти энергию мгновенно. Ее нужно зарядить аналогично тому, как заряжают конденсатор. Если индуктивность подключается к источнику постоянного напряжения (U), то ее зарядка происходит по экспоненциальному закону:
I (t) = U e− τt ,
R
где R – полное активное сопротивление, ограничивающее ток индуктивности; τ = L/R – постоянная времени зарядки индуктивности.
Цепь, состоящую из катушки индуктивности и параллельно подключенного ей конденсатора, называют колебательным контуром. При работе индуктивности в составе колебательного контура, ее периодическая зарядка и разрядка происходят на резонансной частоте контура:
f = |
|
1 |
|
, |
(6.5) |
|
2π |
|
|
|
|||
|
|
LC |
|
где С – емкость конденсатора, входящего в колебательный контур.
В колебательном контуре происходит периодическое превращение энергии,
запасенной в катушке индуктивности, в энергию заряженного конденсатора: |
|
||||
|
LI 2 |
= |
CU 2 |
. |
(6.6) |
2 |
|
||||
2 |
|
|
Шунтирование конденсаторами позволяет снизить выброс напряжения на индуктивностях схемы. Используя (6.4), можно рассчитать энергию, запасае-
28

мую в катушке индуктивности при известном значении тока, а с помощью ра-
венства (6.6), найти необходимую емкость конденсатора. Основными парамет-
рами катушек индуктивности (дросселей) являются индуктивность L и внут-
реннее сопротивление R. К числу дополнительных параметров относят диапа-
зон рабочих частот, собственную резонансную частоту, температурный коэф-
фициент индуктивности (ТКИ) и добротность (Q = ωL/R). Активное сопротив-
ление катушек индуктивности легко измеряется с помощью омметра. Реактив-
ное сопротивление катушек, обладающих значительной индуктивностью, мо-
жет быть измерено на промышленной частоте f = 50 Гц. Для этого катушку подключают к источнику переменного напряжения и с помощью амперметра измеряют эффективное (действующее) значение тока. Полученный ток обу-
словлен совместным влиянием активного и реактивного сопротивлений цепи:
I = |
U |
(6.7) |
, |
R2 + (ωL)2
где ω = 2πf – угловая частота.
Если индуктивность катушки невелика, то используется резонансный метод, в котором параллельно индуктивности устанавливают конденсатор с известной емкостью и измеряют частоту резонанса образованного колеба-
тельного контура. Далее по (6.5) вычисляют индуктивность L.
6.2.Порядок выполнения исследований
1.Для исследования свойств дросселя L1 с сердечником измерить его сопротивление с помощью мультиметра, результат занести в протокол.
2.Используя в качестве амперметра и вольтметра переменного тока мультиметры 1 и 2 соответственно, собрать схему, изображенную на рис. 6.1.
А |
L1 |
|
T |
Uac1 |
V |
|
|
U1
COM
Uac2
Рис. 6.1. Схема измерения индуктивности низкочастотного дросселя
29

3.Включить питание стенда и измерить переменный ток и переменное напряжение на дросселе при подаче напряжения с выходов СОМ и Uac1 и с выходов Uac1 и Uac2, результаты измерений занести в протокол.
4.Для исследования высокочастотного колебательного контура (катушки переменной индуктивности с тороидальным ферритовым сердечником, соединенной параллельно с конденсатором C = 0,047 мкФ) измерить его сопротивление с помощью мультиметра, результат занести в протокол.
5.Собрать схему, изображенную на рис. 6.2.
0…+28 B |
|
Mod |
|
|
|
L |
C |
R1 |
|
||
|
|
0…+28 B |
|
|
RS3 |
VT |
Mod |
Cx, Rx |
|
|
L |
RS3 |
|
C |
a |
|
б |
Рис. 6.2. Принципиальная схема (a) и монтажная схема (б) исследований высокочастотного дросселя
Короткие импульсы длительностью 20…30 мкс поступают на затвор ключа на полевом n-канальном транзисторе VT. В моменты воздействия импульсов транзистор отпирается (ключ замыкается) и происходит зарядка индуктивности L от регулируемого источника напряжения 0…28 В с постоян-
ной времени L( RL + RS3). После окончания импульса транзистор резко за-
пирается (ключ размыкается) и вся энергия, накопленная в индуктивности, идет на зарядку конденсатора С. В контуре возникает затухающий колебательный процесс, по частоте и амплитуде которого можно вычислить индуктивность дросселя и накопленную в нем энергию.
6. Подключить осциллограф между точками Cx и Rx. Установить по-
тенциометр R1 в положение, обеспечивающее подачу на контур минимального напряжения питания. Включить питание стенда и, увеличивая напряжение на выходе 0…+28 В, убедиться в появлении на входе осциллографа периодических затухающих колебаний. Измерить с помощью осциллографа период и
30