Sb98836
.pdfПредельный ток, соответствующий участку CD, характеризует процесс формирования на аноде пассивной пленки. При этом напряжение возрастает, а ток практически остается постоянным. По достижении напряжения, соответствующего точке перегиба D, на кривой DE начинается новый этап процесса – выделение газообразного кислорода. Сглаживание поверхности анода (в данном случае – это вольфрамовая проволока) происходит на горизонтальном участке кривой и после второго перегиба в точке D.
При электрохимическом полировании катод должен быть химически устойчив, а его поверхность в несколько раз больше анодной поверхности, что облегчает регулирование процесса по напряжению.
Для электрохимического полирования вольфрама в основном используют щелочные электролиты различного состава.
Введение гидроксида аммония в щелочные растворы позволило повысить качество обработки поверхности и значительно интенсифицировать процесс электрополирования вольфрама за счет повышения предельной плотности тока и снижения анодной поляризации вследствие активирующего воздействия NH3 на растворение первичных продуктов окисления вольфрама.
Несмотря на явные преимущества, щелочно-аммиачные растворы по сравнению со щелочными имеют ряд недостатков: высокую летучесть, токсичность и нестабильность состава по содержанию аммиака.
Исследования полированной вольфрамовой проволоки показали повышение ее механической прочности. Кроме того, с нивелированной поверхности проволоки методом электрополирования наблюдалось устойчивое повышение удельной эмиссии.
Особенности изготовления решетки катода. Одной из основных кон-
струкций ВТКК в мощных генераторных лампах является решетчатая – цилиндрическая конструкция, образованная двумя слоями проволок [3]. Места пересечения проволоки фиксируют точечной контактной сваркой. Концы решетки приваривают к чашкам аргонодуговой, электронно-лучевой сваркой или пайкой. К нижней чашке приваривают держатель. Таким образом, решетчатый катод представляет собой цельносварную неразъемную конструкцию.
Перед сваркой детали катода проходят специальную очистку. В качестве дополнительной обработки применяют отжиг проволоки в атмосфере водорода при 1400…1700 К. Молибденовые чашки и держатели травят в расплаве азотно-кислых солей калия и натрия.
11
Сварке решетки предшествует ее формообразование – навивка. Навивку осуществляют, как правило, механическим способом на специальных оправках, являющихся одновременно и инструментом для сварки перекрытий проволок решетки. Сварку проводят на монтажно-сварочных столах. Широкой механизации и автоматизации сварки решеток препятствует ряд конструктивных и технологических особенностей, затрудняющих получение доброкачественных сварных точек.
Технология карбидирования катодов. После формообразования (изго-
товления из проволоки или ленты) катод проходит стадию карбидирования, которая заключается во взаимодействии нагретой до температуры 2000…2300 К поверхности торированного вольфрама с атомарным углеродом, образующимся в результате термической диссоциации паров углеводородов (бензол, нафталин, толуол и др.). Процесс ведется в вакууме (вакуумное карбидирование) или в газе-носителе (чаще всего водородное карбидирование). В результате карбидирования поверхностный слой торированного вольфрама будет представлять собой карбид вольфрама.
Образующийся слой карбида вольфрама должен иметь такие фазовый состав, структуру и толщину, чтобы гарантировать формоустойчивость катода, создание запаса восстановленного тория, диффузию тория к поверхности и равномерное заполнение поверхности торием за счет миграции его атомов. Процесс образования карбидного слоя определяется температурой поверхности катода, концентрацией паров углеводорода, продолжительностью карбидирования, состоянием поверхности катода и структурой исходного материала. В зависимости от сочетания этих факторов возможно образование карбидов вольфрама двух разновидностей: полукарбида W2C с гексагональной плотно упакованной структурой и монокарбида WC с простой гексагональной решеткой. Для предотвращения образования на поверхности и в объеме катода включений свободного углерода С (что понижает эмиссионную способность катода) должно соблюдаться равновесие между скоростью образования атомарного углерода и скоростью диффузии его в вольфрам.
После карбидирования монокарбид WC преобладает в приповерхностном слое и резко уменьшается к центру катода, полукарбид W2C начинает преобладать, наоборот, с удалением в глубь катода. Чистый вольфрам появляется на границе половины толщины карбидного слоя, далее в глубь катода его концентрация возрастает и структура катода становится чисто металлической.
12
Монокарбид WC при температуре выше 1600 К метастабилен и переходит в полукарбид W2C . На этом основан процесс, называемый формированием рабочей структуры карбидного слоя, состоящего из W2C . При прогреве в вакууме ~103 Па при Т > 2100 К WC разлагается на W2C и С, который распространяется в глубь катода, соединяется с W и образует вновь W2C , толщина карбидного слоя при этом возрастает. Таким образом, основной фазой, образующейся в сформированном карбидном слое, является W2C .
С целью уменьшения хрупкости карбидированного катода исходный материал подвергается электрохимическому полированию для снятия дефектного слоя и сглаживания микронеровностей поверхности. Толщина карбидного слоя Δ, как правило, лежит в пределах от 10 до 40 мкм в зависимости от диаметра нити катода D. Это соответствует степени карбидирования по пло-
щади (γ) 10–30 %: SW2C
SW2C SW , где SW2C и SW – площадь поперечного сечения нити катода, занятая карбидом вольфрама и вольфрамом соответственно. Так как
SW D 2 2
4 , а SW2C SW D2
4 , то 1 2
D 2100 .
Наиболее точный контроль степени карбидирования осуществляется разрушающим методом. Из средней части катодной системы извлекается участок нити катода, изготавливается микрошлиф, по которому определяют толщину и структуру слоя. К числу неразрушающих методов контроля относят: контроль изменения электрического сопротивления катода, контроль относительного увеличения диаметра нити катода, контроль уровня излучения при использовании радиоактивного изотопа углеводорода. Из этих методов наиболее простым и часто применяемым является метод измерения электрического сопротивления до карбидирования ( R0 ) и после него ( Rк ). При этом
γ 2
ρ2 ρ1 Rк R0
Rк ,
где ρ1, ρ2 удельные сопротивления W и W2C соответственно. При комнатной температуре 2
2 1 ~ 1.075.
На основе обобщения опыта различных исследований можно утверждать, что основной фазой, обнаруживающейся в сформированном карбидном слое, является -W2C . Также в зависимости от режима карбидирования структура карбидного слоя может быть весьма разнообразной. Наибольшую
13
диффузионную проницаемость для тория вследствие большой развитости границ зерен и фаз имеет ламельная радиальная структура, обеспечивающая наилучшую эмиссионную способность катода.
Факторы, определяющие долговечность катодов. Основными техно-
логическими и эксплуатационными факторами, влияющими на долговечность ВТКК, являются:
–наличие микро- и макротрещин, расслоев и других дефектов в исходном катодном материале, степень шероховатости поверхности;
–энергетическая однородность поверхности;
–толщина, равномерность распределения, химический состав и структура сформированного карбидного слоя;
–температурный режим активирования катода, стабильность рабочей температуры в течение срока службы;
–давление и состав газовой среды внутри прибора;
–характер реакций распыленных с электродов веществ;
–напряженность и степень однородности электромагнитных полей в различных режимах эксплуатации.
Внутренние скрытые дефекты в исходном материале приводят к появлению ненадежных участков конструкции, обладающих пониженными механическими характеристиками, что особенно опасно в условиях жестких механических нагрузок. Прежде всего, это развитые микротрещины, проникающие в глубину до 1/3 радиуса поперечного сечения катода и более, а также неравномерно распределенные по сечению остаточные напряжения, не снятые при отжиге.
Для снижения уровня расслоя и количества дефектов в материал катода добавляется рений, изменяется методика введения оксида тория в сплав, проводится контроль поверхности проволоки на дефектоскопе, применяется электрополировка поверхности катода.
При карбидировании катода указанные ранее дефекты являются каналами для диффузии углеродсодержащих веществ в керн катода, что повышает его хрупкость. Особенно сильно проникает углерод в глубину катода по границам зерен, где остаточные деформации наибольшие. Использование форсированных режимов активирования катодов (Т = 2440…2500 К) для снижения времени изготовления приводит к сильным деградационным изменениям
вструктуре металла: повышению хрупкости катода и уменьшению толщины карбидного слоя (декарбидированию) до 50 % исходной толщины. Помимо
14
этого с поверхности катода интенсивно испаряется торий, что уменьшает ресурс последнего в катоде и запыляет другие электроды прибора. Поэтому надо стремиться к снижению температуры активирования катода, несмотря на увеличение времени термообработки.
Декарбидирование ВТКК обусловлено рядом процессов: взаимодействием карбида с остаточными газами; распылением углерода из-за повышенной температуры; расходом углерода на восстановление тория из оксида; разложением под действием ионной бомбардировки; частичным термическим разложением с образованием монокарбида вольфрама. Зависимость скорости декарбидирования катода от температуры (вблизи 2000 К) может быть пред-
ставлена функцией v h t v |
exp a T |
T |
|
, где v – скорость декарби- |
|
0 |
|
к |
к0 |
|
|
дирования при номинальной температуре; |
h, t – толщина декарбидирован- |
||||
ного слоя и время декарбидирования; а – постоянная декарбидирования, определяемая эмпирически; Тк , Тк0 – температура катода в начале и конце процесса декарбидирования соответственно.
Если считать, что толщина слоя карбида уменьшается из внутреннего объема в сторону наружной поверхности, то изменение радиуса карбидного слоя в зависимости от времени и температуры за время dt будет
dr v |
exp a T T |
dt . |
|
0 |
|
к0 |
|
Так как при декарбидировании катода толщина карбидного слоя h уменьшается, то радиус внутренней части, состоящей из торированного вольфрама rb , увеличивается почти до радиуса наружной карбидированной поверхности rк на величину r , а температура при этом повышается от Тк0 до Тк . Тогда время сокращения карбидного слоя будет
rк
t A exp aT dr .
rb
Сопротивление карбида вольфрама в 2.1 раза больше сопротивления вольфрама, поэтому в результате декарбидирования нитей накала сопротивление катода уменьшается, ток накала, мощность и температура катода увеличиваются. Так как зависимость между r и Тк в узком интервале температур 2000…2100 К почти линейна, а удельное сопротивление провода можно считать постоянным, то время декарбидирования катода определяется следующим образом:
15
t |
д |
B r T |
exp aT |
exp aT |
|
, |
|
|
к |
|
к0 |
к |
|
|
|
где а и В – постоянные, зависящие от степени вакуума и состава остаточных газов, которые определяются экспериментально; r – толщина декарбидированного слоя, мкм; Тк Тк Тк0 .
2. Сеточные электроды электронных приборов
Сеточные электроды мощных генераторных ламп с ВТКК работают в условиях интенсивных тепловых нагрузок, формируемых излучением с катода, имеющего температуру 1900…2100 К, и за счет электронной нагрузки – эмиссионным током катода.
Обеспечение высоких усилительных параметров современных мощных генераторных ламп (МГЛ) основано на минимизации межэлектродных зазоров: «катод управляющая сетка» и в случае тетродов – «сетка сетка». Сетка имеет сложную решетчатую конструкцию с определенной степенью прозрачности и изготовляется из молибденовой или вольфрамовой проволоки диа-
метром 0.1…0.5 мм (рис. 2.1).
|
Для мощных генераторных ламп норма |
|
паразитной термоэлектронной эмиссии состав- |
|
ляет 10–5 А/см2. Уменьшение термоэлектронной |
|
эмиссии может быть обеспечено максимальным |
|
снижением их температуры во время работы или |
|
достижением возможно большей работы выхода |
|
с поверхности. Конструктивные решения, сни- |
Рис. 2.1. Сеточный электрод |
жающие температуру сеток, такие как, напри- |
|
|
генераторной лампы |
мер, увеличение их рабочей поверхности, увели- |
|
чение расстояния между сеткой и катодом, как |
правило, неприемлемы, потому что они приводят к снижению таких технических характеристик ламп, как крутизна, увеличению межэлектродных емкостей, габаритов и массы.
Сложная и пространственно-развитая структура сеточных электродов должна обладать высокой формоустойчивостью и обеспечивать достаточный экранирующий поле эффект, допуская незначительный уровень обратных связей, ограничивающих устойчивую работу усилителей высокочастотной мощности. Чем ближе к катоду и конструктивно более развита структура
16
сетки, тем большей лучевой нагрузке она подвергается. Так, доля мощности накала катода, воспринимаемая управляющим сеточным электродом, достигает 70 %.
Указанные условия являются определяющими при выборе материала для изготовления сеток мощных генераторных ламп. Количество материалов с учетом использования сплавов и комбинаций конструкции сеток невелико и представлено наиболее тугоплавкими металлами – вольфрамом и молибденом, а также современным материалом – пиролитическим графитом, имеющим температуру плавления порядка 3500 К.
Тепловой режим работы сеточных электродов. Тепловой режим се-
точного узла определяет надежность работы прибора в целом. Чрезмерный нагрев сетки вызывает увеличение термотока сетки, потерю термоустойчивости сетки и межэлектродные короткие замыкания, падение эмиссии катода, уменьшение электрической прочности и другие отрицательные явления. Нагрев сетки обусловлен мощностью электронной бомбардировки сетки (электронной мощностью) при Uс > 0 и излучением на сетку других электродов прибора, главным образом катода. Тепловой отвод сетки осуществляется излучением проводников сетки и теплопередачей за счет теплопроводности по проводникам сетки к ее выводам.
По условиям теплового отвода все существующие типы сеток делятся на три группы:
1)сетки типа «беличье колесо», отличающиеся малой теплопередачей ввиду большого теплового сопротивления тонких и длинных проводников конструкции, поэтому тепловой режим таких сеток почти полностью определяется излучением сетки (относятся стержневые сетки с малым диаметром сеточных проводников);
2)сетки с большим поперечным сечением проводников и системой принудительного водяного охлаждения (рассчитываются без учета излучения);
3)сетки стержневые, спиральные, решетчатые и т. д. (рассчитываются с учетом и излучения, и теплопроводности).
Тепловой режим сетки в общем случае определяется соотношением PcΣ Ec Q , где PcΣ Pc Qc – суммарная тепловая мощность, выделяю-
щаяся на сетке (Рс – электронная мощность сетки; Qс – поток теплового излучения с других электродов на сетку); Ес – тепловой поток излучения сетки; Qλ – тепловой поток теплопроводности по сеточным проводникам.
17
При тепловом расчете сеточного узла с охлаждением за счет излучения влиянием теплопроводности пренебрегают и тепловой режим сетки записывают в виде PcΣ Ec . Так как температура поверхности сетки в этом случае во всех точках примерно одинакова, то
Ec Sc Tc4 0.5 c.к с.а , |
(2.1) |
где Sc – площадь поверхности сеточного узла; Тс – температура сетки; |
с.к – |
коэффициент излучения поверхности сетки, обращенной к катоду; с.а |
– ко- |
эффициент излучения внешней стороны поверхности сетки. |
|
Коэффициенты излучения наружной и внутренней сторон сетки могут быть различными из-за напыления на сетку продуктов испарения оксидного катода. Расчет излучения с других электродов прибора на сетку с учетом многократных отражений довольно сложен. Приемлемую для практических целей точность дает анализ, ограниченный теплообменом между сеткой и катодом.
Теплообмен в системе «сетка–катод» определяется формулой Христиан-
сена Q S |
T 4 |
T 4 |
1 |
S S 1 |
1 1 |
, где Q – результирующий тепло- |
1 |
1 |
2 |
|
1 2 |
|
|
вой поток. При этом учитывается, что сеточный узел воспринимает не весь тепловой поток, излучаемый и отражаемый поверхностью катода, а только его часть, падающую на поверхность сетки. Это можно приближенно учесть, введя в расчетное выражение вместо полной площади поверхности катода Sк ее часть, равную Sк , где φ – угловой коэффициент облученности проводников сетки плоской поверхностью катода. Угловой коэффициент облученности для системы «плоскость – траверсы диаметром dс» при расстоянии между травер-
сами а можно рассчитать по формуле 0.5dca1 dca1 .
В теплообмене с катодом участвует только внутренняя сторона сетки, поэтому в расчетном выражении для результирующего теплового потока учитывают только половину поверхности сетки:
4 |
4 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
Qк.с Sк Tк |
Tс |
к |
2 SкSс |
1 с.к |
, |
(2.2) |
где Тк – температура катода; εк – коэффициент излучения катода. Результирующий тепловой поток излучения с сетки на анод при услови-
ях Тс >> Та и Ec.а 0.5 с.а ScTc4 можно представить в виде
18
|
4 |
|
4 |
4 |
1 |
|
1 |
1 |
1 |
|
|
|
|
||||||
|
0.5 с.а Sc Tc |
Pc Sк Tк Tс |
к |
2 SкSс |
1 с.к |
, |
|||
откуда определяется температура сетки: |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
, |
|
|
||
|
|
T 4 |
P AT 4 |
A B 1 |
|
(2.3) |
|||
|
|
c |
c |
к |
|
|
|
|
|
|
1 |
1 |
1 |
1 |
|
|
|
|
|
|
; B 0.5 с.а Sc . |
|
|
||||||
где |
A Sк к 2 SкSс 1 с.к |
|
|
||||||
При расчете температуры второй (экранирующей) сетки в лучевом тетроде или пентоде необходимо учесть дополнительное ослабление теплового потока излучения с катода на экранную сетку проводниками первой сетки. Угловой коэффициент облученности проводников второй сетки поверхностью катода можно рассчитать по формуле 2 1 1 , где 1 и 2 – угловые коэффициенты облученности первой и второй сеток при раздельном анализе излучения между соответствующей сеткой и катодом.
Температура сетки должна быть предельно допустимой (Тдоп ) для вы-
бранного материала сетки. Значение Тдоп определяется уровнем термоэлек-
тронной эмиссии и скоростью испарения материала сетки. Для увеличения коэффициента излучения ε и повышения излучательной способности сетки применяют различные антиэмиссионные покрытия.
В ряде случаев для быстрой оценки тепловых свойств сетки не рассчитывают температуру, а определяют удельную мощность рассеяния тепла сеткой ( Рс. уд ) и сравнивают ее с допустимой ( Рдоп ), которая зависит от материала
сетки и ее покрытия. При этом для расчета части мощности излучения катода, попадающей на сетку, используют (2.1) или (2.2).
В этом случае суммарная тепловая мощность на сетке вычисляется по формуле PcΣ Pc SPн . Рассчитывается площадь излучающей поверхности
сетки Sс, определяется удельная мощность рассеяния на сетке Pс. уд PcΣPc1 и
осуществляется сравнение с допустимой для выбранного материала сетки и ее покрытия Рдоп . Если Pс. уд Pc.доп , то это означает Тдоп и принимаются дополнительные меры, направленные на снижение температуры сеточного узла: уменьшается мощность рассеяния на сетке ( Рс ) или мощность накала ( Рн ); снижается плотность тока катода за счет увеличения его поверхности; для сетки используется материал с большим коэффициентом излучения.
19
При разработке сеточных узлов третьей группы, в которых для охлаждения используется не только излучение, но и теплопроводность, описанная методика является оценочной и при Tдоп Tс тепловой режим
сетки определяется с учетом теплопроводности.
Тепловой расчет сетки с учетом излучения и теплопроводности производится либо численным решением (2.3), либо с помощью теории подобия решением критериального уравнения K 1.02 0.52K2 0.55K1K2, где K , K1, K2 –
критерии подобия; KΣ – критерий, характеризующий перепад температуры по длине сеточного проводника. В качестве сеточного проводника стержневой сетки рассматривается стержень, у которого температура Т1 соответствует точке крепления к держателю сетки, а Tmax – противоположному концу стержня. Сеточный проводник спиральной сетки представляет собой отрезок витка между соседними траверзами. Тогда Tmax определяется в центре этого отрезка, а Т1 – в месте крепления витка к траверзе.
Критерий K1 определяет отношение мощности q, подводимой к единице длины проводника, к мощности qизл, отводимой в наиболее разогретой части
посредством излучения: K1 q
qизл ; q PcΣa D0H0 1, qизл
где ε – коэффициент излучения поверхности сетки, зависящий от материала сетки и ее покрытия; σ – постоянная Стефана–Больцмана; 2πR – периметр сечения сеточного проводника.
Критерий K2 определяет отношение мощности, отводимой в наиболее разогретой части за счет излучения, к мощности qтеп, отводимой там же по-
средством теплопроводности: K2 qизл
qтеп , где qтеп STmax
l2 – расстояние по проводнику сетки (стержню или отрезку витка) между точками с температурами Tmax и Т1 (λ – коэффициент теплопроводности материала сетки; S – площадь поперечного сечения проводника сетки).
Пределы применимости критериального уравнения определяются усло-
виями 0.3 < K < 0.95 и 1.1 < K1 < 10. При 0.95 < S1 < 1.0 распределение тем-
пературы по длине проводника близко к равномерному, поэтому в данном случае исходят из предположения о равномерном излучении проводника и решают критериальное уравнение в виде K 1 0.5K2(K1 1) .
20
