Sb95845

Лекции

В лекциях в сжатой, последовательной и доступной форме излагаются основные положения теоретической части дисциплины. Лекции в значительной части создают фундамент для самостоятельной работы.

Невозможно механически записывать все, что говорит лектор. В стремлении записать дословно студент не успевает следить за смыслом. Активный творческий процесс состоит в том, чтобы понять излагаемый материал и записать основные положения, задавая при необходимости вопросы или обращаясь с просьбой о дополнительной консультации. Пропуск или непонимание какого-либо раздела могут привести к непониманию всего последующего материала.

Работу по усвоению лекционного материала следует продолжать и после окончания лекции, прорабатывая совместно конспект и соответствующие главы учебников. Тем самым создаются условия для эффективного усвоения пройденного и, что очень важно, понимания последующих лекций.

Курсовое проектирование

Курсовая работа по дисциплине «Специальные вопросы технологии производства интегральных микросхем» имеет целью закрепление и углубление знаний, полученных в лекционном курсе по этой дисциплине, развития у студентов навыков самостоятельного решения инженерных задач, связанных с расчетом, проектированием и изготовлением интегральных микросхем, работой с научно-технической и справочной литературой, оформлением графического материала.

Практические занятия

Как указывалось выше, на практических занятиях студенты знакомятся с основными темами рабочей программы дисциплины и с методикой решения задач под руководством преподавателя.

Решение задач в процессе самостоятельного изучения дисциплины прививает навыки практического применения теоретических знаний, помогает уяснить физический смысл явлений, закрепляет в памяти основные формулы, и т. п.

21

При решении задач необходимо выполнить следующие действия:

1.Указать основные законы и формулы или методы, на которых базируется решение задачи, дать словесную формулировку этих законов, пояснить буквенные обозначения, употребляемые при написании формул, обосновать выбранные параметры. Если при решении задачи применяется формула, полученная для частного случая, ее надо вывести самостоятельно.

2.Дать рисунок, поясняющий содержание задачи (когда это возможно).

3.Сопроводить решение задачи кратким, но исчерпывающим поясне-

нием.

4.Подставить в окончательную формулу, полученную в результате решения задачи в общем виде, числовые значения и произвести необходимые вычисления. Записать в ответе числовое значение и единицы измерения полученной физической величины. Расчет должен быть проведен на основе изучения как рекомендованной литературы, так и самостоятельно подобранной студентом, включая использование Интернета.

Лабораторные работы

На лабораторных занятиях создаются условия для максимально самостоятельного выполнения лабораторных работ. Необходимо изучить по конспекту, учебным и методическим пособиям теоретический материал по темам лабораторных работ, перед занятием внимательно прочитать описание текущей лабораторной работы, ответить на контрольные вопросы и задания.

Перед началом занятия преподаватель производит экспресс-опрос по теоретическому материалу, необходимому для выполнения работы, определяет степень готовности студента и возможность допуска его к проведению исследований. Далее работа проводится самостоятельно под контролем преподавателя.

МЕТОДИКА ОЦЕНКИ ЗНАНИЙ СТУДЕНТОВ

Оценка знаний по теоретической подготовке

Знания студентов по теоретической подготовке оцениваются дважды в течение семестра проведением письменного опроса. Первая контрольная охватывает вопросы с 1 по 25 (темы 1–4) из списка, приведенного ниже. Вторая контрольная содержит материал по вопросам с 26 по 40 (темы 4–8). На

22

опрос выносятся три вопроса, которые оцениваются по пятибалльной системе.

Оценка каждого опроса формируется по следующей шкале: 5 баллов – ответы на вопросы точные и полные; 4 балла – ответы на вопросы правильные, но неполные;

3 балла – ответы на вопросы неточные и неполные; 2 балла – ответ хотя бы на один вопрос неправильный.

Студенты заочной формы обучения в течение семестра готовятся самостоятельно. Письменные опросы проводятся в ходе лабораторноэкзаменационной сессии. Опросы оцениваются преподавателем по методике, изложенной выше.

Примерный перечень вопросов к дифференцированному зачету

1.Тенденции развития ИМС.

2.Моделирование при разработке ИМС.

3.Типовая эпитаксиально-планарная технология n–p–n-транзисторов.

4.Типовая эпитаксиально-планарная технология биполярных ИМС.

5.Изопланарная технология биполярных ИМС.

6.Структуры КСДИ.

7.Структуры со сращиванием и щелевой изоляцией.

8.Типовая технология n-канальных МОП ИМС.

9.Самосовмещенная технология МОП ИМС.

10.LOCOS-технология МОП ИМС.

11.КМОП-технология.

12.ДМОП-технология.

13.Диэлектрические пленки в технологии ИМС. Их назначение и

свойства.

14.Способы получения диэлектрических пленок.

15.Модель термического окисления Дила–Гроува.

23

16.Влияние температуры, среды и давления паров окислителя на скорость термического окисления.

17.Влияние ориентации подложки и на скорость термического окисления.

18.Влияние уровня легирования подложки на скорость термического окисления.

19.Сегрегация примесей на границе SiO2–Si. Равновесный коэффициент сегрегации.

20.Влияние термического окисления на скорость диффузии легирующих примесей.

21.Дуальный механизм диффузии легирующих примесей в кремнии.

22.Ионная имплантация (ИИ) в технологии ИМС. Достоинства, недостатки ИИ.

23.Распределение энергетических потерь и ионов при ИИ в теории

ЛШШ.

24.Каналирование ионов. Меры по предотвращению каналирования.

25.Двумерное распределение примеси при локальной ИИ в окно.

26.Радиационные дефекты и аморфизация при ИИ.

27.Активация примеси бора. Отрицательный отжиг.

28.Активация примеси фосфора при аморфизации.

29.Диффузия примеси из ИИ слоев.

30.Качество ИИ p–n-переходов и транзисторов.

31.Диффузия в технологии ИМС. Достоинства, недостатки.

32.Технологические методы проведения диффузии.

33.Характеристики основных легирующих примесей в Si и GaAs.

34.Уравнение диффузии (УД) и его общие решения при D = const.

35. Решение УД при диффузии из неограниченного источника

(СS = const).

24

38.Концентрационная зависимость коэффициента диффузии.

39.Влияние дислокаций на диффузию легирующих примесей.

40.Диффузия фосфора и бора при высоких поверхностных концент-

рациях.

Оценка знаний по лабораторным работам

Оценка знаний по лабораторным работам производится дважды. Вначале перед каждой лабораторной работой производится опрос, в ходе которого оцениваются знания по теоретической части дисциплины по контрольным вопросам и заданиям, приведенным в описании к каждой лабораторной работе и знания порядка выполнения работы. Итоговая аттестация включает в себя оценку умения анализировать полученные экспериментальные данные на основе теоретических представлений. При положительном ответе по каждой из лабораторных работ студент получает зачет.

Оценка знаний по практическим занятиям

Знания студентов по практическим занятиям оцениваются дважды в течение семестра проведением контрольных работ. Первая контрольная работа охватывает темы практических занятий с 1 по 5. Вторая контрольная работа проводится по темам с 6 по 10. На контрольную работу выносятся две задачи, каждая из которых оценивается по пятибалльной системе.

Оценка каждого опроса формируется по следующей шкале: 5 баллов – ответы на вопросы точные и полные; 4 балла – ответы на вопросы правильные, но неполные;

3 балла – ответы на вопросы неточные и неполные; 2 балла – ответ хотя бы на один вопрос неправильный.

Студенты заочной формы обучения в течение семестра готовятся самостоятельно и делают контрольную работу, включающую в себя 4 задачи по темам с 1 по 10. Контрольную работу студенты заочной формы обучения

25

сдают преподавателю лично или по электронной почте по утвержденному деканатом ОФ графику. Контрольная работа оценивается преподавателем по методике, изложенной выше.

Методика формирования предварительной оценки по дисциплине

Оценка по дисциплине определяется как средний балл из двух оценок за теоретическую подготовку и двух оценок за практические занятия. При получении студентом неудовлетворительной оценки по одной из четырех перечисленных выше аттестаций или незачета по лабораторным работам, а также при пропуске промежуточных аттестаций по уважительной причине указанные разделы программы подлежат пересдаче в установленные сроки для получения итоговой аттестации по дисциплине.

Список литературы

1.Александров О. В. Технологические процессы изготовления СБИМС: учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2015.

2.Технология интегральных микросхем: метод. указания к лаб. работам по дисциплине «Специальные вопросы технологии производства ИМС» / сост. О. В. Александров. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013.

3.Технологическое моделирование фрагмента ИМС: метод. указания к курсовой работе по дисциплине «Специальные вопросы технологии интегральных микросхем» / сост. О. В. Александров. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ

«ЛЭТИ», 2014.

4.Барыбин А. А. Электроника и микроэлектроника: физико-техноло- гические основы. М.: Физматлит, 2008.

5.Коледов Л. А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок. М.: Радио и связь, 2008.

6.МОП-СБИМС. Моделирование элементов и технологических процессов / под ред. П. Антонетти. М.: Радио и связь, 1988.

7.Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. М.: Высш. шк., 1986.

8.Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М.: Радио и связь, 1987.

26

9.Красников Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: в 2 т. М.: Техносфера, 2004.

10.Технология СБИМС: в 2 кн. / под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986.

27