sb000001

ОГЛАВЛЕНИЕ

1. ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ И ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

2

2. ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ И СОДЕРЖАНИЮ. ЗАЩИТА КУРСОВОЙ

РАБОТЫ

2

3. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ВЫПОЛНЕНИЯ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

3

3.1. Выбор электрической схемы фрагмента ИС

3

3.2. Топологический чертеж и поперечное сечение кристалла

3

3.3. Разработка технологического маршрута

3

3.4. Расчет режимов и параметров операций технологического маршрута

4

3.5. Моделирование заданного технологического процесса/операции

4

3.6. Заключение

4

4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ТЕХНОЛОГИИ ИС

4

4.1. Ионная имплантация

5

4.2. И6онная и0мплантация через пленку

6

4.3. Концентрация носителей заряда в сильнолегированных слоях

7

4.4. Термическое окисление легированных слоев

8

4.5. Перераспределение примесей при термическом окислении

10

4.6. Решения уравнения диффузии при D=const

11

4.7. Диффузия примеси с низкой концентрацией. Решение методом конечных

разностей

13

4.8. Диффузия примеси с высокой концентрацией (D=D(C))

14

4.9. Диффузионная загонка бора и фосфора в кремний (D=D(Cпов))

15

4.10. Диффузионная разгонка бора и фосфора в кремнии (D=D(t))

16

4.11. Совместная диффузия легирующих примесей (D2=D2(C1))

16

4.12. Расчет положения p–n–перехода и слоевого сопротивления

17

Список литературы

18

ПРИЛОЖЕНИЯ

20