3. Описание стенда.

Работа выполняется на универсальном стенде в лаборатории электроники кафедры Э и Э. Исследуемые цепи собираются на основе одного из блоков стенда (рис. 3) и внешних измерительных приборов: вольтметров, амперметров.

Рис. 3. Блок стенда, на котором выполняется работа.

РАБОЧЕЕ ЗАДАНИЕ.

1. Исследование передаточной характеристики U_вых=f(U_вх) производится по схеме, изображенной на рис. 4.

Измеряются величины входного напряжения на входе микросхемы и на выходе схемы. Передаточная характеристика снимается при различных коэффициентах разветвления N₁=1 и N₂=3 результаты измерения заносятся в таблицу :

N1=1	Uвх
	Uвых
N2=3	Uвх
	Uвых

Рис. 4. Исследование передаточной характеристики U_вых=f(U_вх) ТТЛ схемы.

По данным таблицы 1 построить зависимость на миллиметровке.

2. Исследование входной характеристики проводится по схеме, изображенной на рис.5.

Рис.5. Исследование входной характеристики ТТЛ схемы.

Изменяется величина тока и напряжения на одном из выходов микросхемы. Второй вход микросхемы подключен к источнику напряжения, формирующему потенциал U¹=2,4 В. К выходку исследуемой микросхемы подключается микросхема нагрузки. Входная характеристика снимается для каждого входа микросхемы отдельно и результаты измерения заносятся в таблицу 2.

	Uвх, В
Вход1	Iвх, мА
	Uвх, В
Вход2	Iвх, мА

По данным таблицы 2 построить зависимость на миллиметровке.

3. Измерение статистической потребляемой мощности от источника питания производится по схеме, изображенной на рис.6.

Рис.6 Измерение статистической потребляемой мощности ТТЛ схемы.

Для измерения потребляемой мощности микросхемой миллиамперметр включается последовательно между источником питания и разъемом, на который подается напряжение питания. Измеряется величины тока питания и напряжения питания при изменении напряжение на входе от U⁰ до U¹. Статистическая потребляемая мощность определяется для коэффициентов разветвления по выходу N₁ = 1 и N₂ = 3.

Результаты измерений заносятся в таблицу 3.

	Uвх, В
N1=1	Iпит, мА
	Uлит , В
	pлот ,мВТ
N2=3	Iпит, мА
	Uлит , В
	pлот ,мВт

По данным табл. 3 построить зависимость на миллиметровке.

4. Измерение времени переключения t^0,1, t^1,0 производится по схеме изображенной на рис. 7.

Рис. 7 Измерение времени переключения t^0,1, t^1,0 ТТЛ схемы.

Сигнал от генератора импульсов поступает на один из входов исследуемой микросхемы ,а на второй вход подаётся напряжение U₁=2,4B.Сигнал с выхода исследуемой микросхемы подаётся на нагрузочную ёмкость С_нагр. С помощью осциллографа С1-55 наблюдается сигнал на выходе исследуемой схемы. Времена переключения t_0,1 и t_1,0 измеряются при различных С_нагр и результаты измерения заносятся в таблицу 4.

Таблица 4.

	Cнагр1=	Снагр2=	Снагр3=
t0,1
t1,0

ТРЕБОВАНИЯ К ОТЧЕТУ ПО ВЫПОЛНЯЕМОЙ РАБОТЕ

Отчет по лабораторной работе должен содержать:

- цель лабораторной работы;

- схемы измерений характеристик схемы;

- таблицы экспериментальных данных и графики;

- русунки с экрана осциллографа входных и выходных сигналов схемы;

- описание схемы на входном языке программы PSPICE;

- распечатки графиков передаточной и переходной характеристик, рассчитанных с помощью программы PSPICE;

- величины фронтов переключения схемы по результатам расчетов.