1 Полупроводниковые приборы |
1.2 Электронно-дырочный переход |
Через переход протекает ток неосновных носителей заряда, обусловленных примесями, (обратный ток): ток дырок из n области в p- слой и электронов
из p в n- слой.
Обратный ток значительно меньше прямого тока, поэтому можно говорить об однонаправленности перехода, т.е. о его выпрямляющем
действии.
Обратное включение перехода приводит к расширению запирающего слоя. Переход закрыт
1.2.4. Вольт-амперная характеристка pn - перехода
Uобр
p 
n
|
Eзапир |
Iдиф |
Iдрp Uобр |
Iобр = Iдиф – Iдр = - Iдр
Nакц > Nдон ; pp > pn .
Зависимость тока через переход от приложенного напряжения11.
1 Полупроводниковые приборы |
|
1.2 Электропроводность полупроводников |
|||
При малом прямом напряжении |
Iпр, А |
|
|
||
10 |
|
|
|||
протекает большой прямой ток, при |
|
|
|||
|
|
|
|||
больших обратных напряжениях – малый |
|
|
|||
тепловой ток. |
U , В |
Iобр |
|
|
|
|
|
|
|||
При достижении |
обр |
|
|
|
|
-200 |
0,5 |
Uпр, В |
|||
обратным напряжением |
|||||
некоторого критичес- |
Участок |
2 |
|
|
|
электрического |
|
|
|||
кого значения обратный |
|
|
|
||
пробоя |
|
|
|
||
ток возрастает. Этот |
|
|
|
|
|
режим называется |
Участок |
Iобр, мА |
|
|
|
теплового |
|
|
|||
пробоем р-п-перехода. |
пробоя |
|
|
|
|
С практической точки зрения целесообразно различать два вида пробоя p-n перехода: электрический и тепловой.
При увеличении обратного напряжения энергия электрического поля становится достаточной для генерации носителей заряда. Это приводит к сильному увеличению обратного тока.
Явление сильного увеличения обратного тока при определённом |
|
обратном напряжении называется электрическим пробоем. |
12 |
|
|
Электрический пробой не опасен для pn-перехода: при отключении источника обратного напряжения вентильные свойства электронно-дырочного перехода полностью восстанавливаются.
Тепловой пробой приводит к разрушению кристалла и является аварийным режимом.
13