13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
|
Транзисторы |
(ЭП) – p-n переход между |
|
Эмиттерный переход |
||
базой и эмиттером.
Коллекторный переход (КП) – p-n между базой и коллектором.
В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам транзистора, каждый их переходов может быть смещен в прямом или в обратном направлении.
Исходя из этого возможны четыре режима работы транзистора:
11
13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
|
|
|
|
Если на ЭП напряжение прямое, и он инжектирует носители в базу, а на коллекторном переходе напряжение обратное, и он собирает носители из базы, то транзистор работает в активном (усилительном режиме).
Режимы насыщения и отсечки характерны для работы транзистора как электронного ключа.
Инверсный режим не используется на практике, поскольку параметры транзистора значительно ухудшаются.
12
13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
ТранзисторыПринцип действия биполярного транзистора
Концентрация основных носителей заряда
Э Б К
В биполярных транзисторах переход Э→Б включается в прямом направлении, а переход К→Б – в обратном.
При E1=0, IЭ=0. Транзистор закрыт, протекает малый ток Iкб0 (закрытого КП), обусловленный неосновными носителями
заряда. |
13 |
|
13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
Транзисторы |
|
При вкл. E1 электроны из эмиттера переходят в базу,
частично рекомбинируют с дырками базы, образуя небольшой ток базы (Iб), и втягиваются коллекторным
переходом (Iк) под действием E2.
Не все носители, инжектированные из эмиттера в базу, достигают коллекторного перехода. Часть из них рекомбинирует в базе по пути движения от ЭП к КП – Iб рек.
Поэтому ток коллектора меньше тока эмиттера.
Для такой схемы с общей базой коэффициент передачи тока:
= IК/ IЭ, при UКБ=const. =0,9-0,95;
IК= IЭ - IБ= Iкб0 + αIэр.
14