- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
- •13 Полупроводниковые приборы
13 Полупроводниковые приборы |
13.4 Тиристоры |
Когда потенциал электрода 2 выше потенциала 1, симистор может быть переведен в проводящее состояние подачей импульса на управляющий электрод УЭ.
Когда потенциал электрода 1 положителен по отношению к 2, симистор может быть включен (в обратном направлении) подачей сигнала на УЭ. Симистор включается как положительным, так и отрицательным импульсами тока управления.
1
13 Полупроводниковые приборы |
13.4 Тиристоры |
Силовые фототиристоры или оптотиристоры (LASCR — Activated Silicon Controlled Thyristor, LTT — Light Triggered Thyristor).
Фототиристор включается при подаче света на кремниевую пластину. Пары электрон–дырка, которые образуются падающим светом, включают тиристор при наличии электрического поля.
2
13 Полупроводниковые приборы |
13.4 Тиристоры |
Оптроны - это оптоэлектронные приборы, содержащие источник и приемник светового излучения с тем или иным видом оптической связи между ними, представляющие единое конструктивное решение.
3
13 Полупроводниковые приборы |
13.4 Тиристоры |
4
13 Полупроводниковые приборы |
13.4 Тиристоры |
Силовые тиристоры с полевым управлением (МSТ).
Тиристоры данного класса сочетают в себе характеристики обычного 4-х слойного тиристора и структуры затвора полевой технологии.
Эквивалентная электрическая схема и условное обозначение тиристора типа МСТ показаны на рис.
Основные особенности и функциональные характерис- тики силовых тиристоров с полевым управлением:
–низкое прямое падение напря- жения в проводящем состоянии;
–высокое быстродействие благодаря малым временам включения и выключения;
5
13 Полупроводниковые приборы |
13.4 Тиристоры |
Потери в тиристоре.
В тиристоре существуют следующие виды потерь:
—потери от прямого тока в открытом состоянии;
—потери от прямого тока в закрытом состоянии;
—потери от обратного тока;
—коммутационные потери;
—потери в цепи управления.
Механические конструкции корпусов силовых тиристоров
Таблеточные (дисковые) корпуса. Модульные корпуса.
Штыревая конструкция корпусов.
6
13 Полупроводниковые приборы |
13.4 Тиристоры |
7
13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
Транзисторы |
|
1.5 Транзисторы
Транзисторы
|
Биполярные |
|
|
Полевые |
||
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
p-n-p |
|
n-p-n |
|
Биполярные |
|
|
|
|
транзисторы с |
|
|
|
||
|
|
|
|
изолированным |
|
|
|
|
затвором (IGBT) |
8
13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
Транзисторы |
|
Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами проводимости, предназначенный для усиления мощности сигнала или его переключения.
Название транзистор получил от английских слов «transfer of resistor» - преобразователь сопротивления.
Ток в биполярном транзисторе определяется движением зарядов обоих знаков (электронов и дырок) – отсюда и пошло его название.
9
13 Полупроводниковые приборы |
|
13.5 |
|
Транзисторы |
К |
|
К |
|
Б |
||
Б |
p-n-p – прямая |
n-p-n – обратная |
|
|
|
||
|
|
проводимость |
|
|
проводимость |
|
|
|
|
|
|
|
Э |
|
Э |
Эмиттер – источник (инжекция) носителей заряда в базу. Коллектор – приемник (экстракция) носителей заряда из базы.
База – средняя область
10