Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Sil_elektronika_5.pptx
Скачиваний:
20
Добавлен:
02.01.2021
Размер:
2.62 Mб
Скачать

13 Полупроводниковые приборы

13.4 Тиристоры

Когда потенциал электрода 2 выше потенциала 1, симистор может быть переведен в проводящее состояние подачей импульса на управляющий электрод УЭ.

Когда потенциал электрода 1 положителен по отношению к 2, симистор может быть включен (в обратном направлении) подачей сигнала на УЭ. Симистор включается как положительным, так и отрицательным импульсами тока управления.

1

13 Полупроводниковые приборы

13.4 Тиристоры

Силовые фототиристоры или оптотиристоры (LASCR — Activated Silicon Controlled Thyristor, LTT — Light Triggered Thyristor).

Фототиристор включается при подаче света на кремниевую пластину. Пары электрон–дырка, которые образуются падающим светом, включают тиристор при наличии электрического поля.

2

13 Полупроводниковые приборы

13.4 Тиристоры

Оптроны - это оптоэлектронные приборы, содержащие источник и приемник светового излучения с тем или иным видом оптической связи между ними, представляющие единое конструктивное решение.

3

13 Полупроводниковые приборы

13.4 Тиристоры

4

13 Полупроводниковые приборы

13.4 Тиристоры

Силовые тиристоры с полевым управлением (МSТ).

Тиристоры данного класса сочетают в себе характеристики обычного 4-х слойного тиристора и структуры затвора полевой технологии.

Эквивалентная электрическая схема и условное обозначение тиристора типа МСТ показаны на рис.

Основные особенности и функциональные характерис- тики силовых тиристоров с полевым управлением:

низкое прямое падение напря- жения в проводящем состоянии;

высокое быстродействие благодаря малым временам включения и выключения;

5

13 Полупроводниковые приборы

13.4 Тиристоры

Потери в тиристоре.

В тиристоре существуют следующие виды потерь:

потери от прямого тока в открытом состоянии;

потери от прямого тока в закрытом состоянии;

потери от обратного тока;

коммутационные потери;

потери в цепи управления.

Механические конструкции корпусов силовых тиристоров

Таблеточные (дисковые) корпуса. Модульные корпуса.

Штыревая конструкция корпусов.

6

13 Полупроводниковые приборы

13.4 Тиристоры

7

13 Полупроводниковые приборы

13.5

Транзисторы

 

1.5 Транзисторы

Транзисторы

 

Биполярные

 

 

Полевые

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p-n-p

 

n-p-n

 

Биполярные

 

 

 

 

транзисторы с

 

 

 

 

 

 

 

изолированным

 

 

 

 

затвором (IGBT)

8

13 Полупроводниковые приборы

13.5

Транзисторы

 

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами проводимости, предназначенный для усиления мощности сигнала или его переключения.

Название транзистор получил от английских слов «transfer of resistor» - преобразователь сопротивления.

Ток в биполярном транзисторе определяется движением зарядов обоих знаков (электронов и дырок) – отсюда и пошло его название.

9

13 Полупроводниковые приборы

 

13.5

Транзисторы

К

 

К

 

Б

Б

p-n-p – прямая

n-p-n – обратная

 

 

 

 

проводимость

 

проводимость

 

 

 

 

 

Э

 

Э

Эмиттер – источник (инжекция) носителей заряда в базу. Коллектор – приемник (экстракция) носителей заряда из базы.

База – средняя область

10

Соседние файлы в предмете Силовая электроника