Добавил:
Assassins_Creed_Origins
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Sil_elektronika_8.pptx
Транзисторы |
5.6 Силовые полевые транзисторы |
IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor) транзистор
Биполярный транзистор с изолированным затвором. В качестве подложки используется полупроводниковая
пластина с дырочной электропроводностью.
11
Транзисторы |
5.6 Силовые полевые транзисторы |
Процесс запирания IGBT транзистора
Заряд, накопленный в базе биполярного транзистора, вызывает характерный «хвост» при выключении.
12
Транзисторы |
5.6 Силовые полевые транзисторы |