13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
Транзисторы1.5.4 Динамические характеристики БТ
Два режима:
* ключевой (время включения и выключения) * активный (частотные свойства)
Инерционность
определяется
1. Носителями зарядов (процессы инжекции и экстракции)
tрасс – 0,1...0,5 мкс
2. Зарядом и разрядом емкости коллекторного перехода
11
13 Полупроводниковые приборы |
13.5 |
|
Транзисторы |
|
|
При подаче включающего импульса базового тока IБ1 |
||
начинается заряд емкости эмиттерного перехода. Время заряда и время, в течение которого носители достигают коллектора, являются составляющими времени
задержки включения tз.
Время, в течение которого ток IК достигает 90 % от
своего максимального значения, называется временем
нарастания – tнр.
Когда базовый ток меняет свой знак (IБ1),
коллекторный ток продолжает протекать в течение некоторого времени рассасывания (tрас) за счет наличия
накопленного заряда.
По мере рассасывания этого заряда коллекторный ток падает. Время, в течение которого ток спадает до 1012%
максимального тока, нормируется как время спада (t ).