Карта .Model

.MODEL MNAME TYPE (Pname1=Pval1 Pname2=Pval2 ...)

Эта карта определяет параметры модели, которые будут использованы для одного или более п/п-приборов.

MNAME - имя модели

TYPE - один из следующих семи типов :

NPN - биполярный транзистор типа n-p-n

PNP - биполярный транзистор типа p-n-p

D - диод

NJF - полевой транзистор с управляющим p/n-переходом и каналом n-типа

PJF - полевой транзистор с управляющим p/n-переходом и каналом p-типа

NMOS - полевой транзистор с каналом n-типа

PMOS - полевой транзистор с каналом p-типа

Конкретные параметры задаются включением в карту имени параметра (как они определены ниже для каждого типа модели), следующим за ним знаком равенст-ва и величиной параметра. Параметры модели, которые не определены явно, полу-чают значение по умолчанию (их величины также описаны ниже).

Модель диода

Характеристики диода на постоянном токе определяются параметрами IS и N. Программа позволяет задать омическое сопротивление базы диода RS. Эффект зарядовой памяти моделируется заданием среднего времени жизни неосновных носителей в базе TT; нелинейная барьерная ёмкость описывается параметрами CJO, VJ и M. Температурная зависимость тока насыщения определяется заданием EG (ширины запрещённой зоны) и XTI (значение экспоненты в формуле для тока насыщения. Обратный пробой моделируется экспоненциальным увеличением обратного тока и определяется параметрами BV и IBV (оба - положительные числа).

NN	имя	параметр	размер-ность	умолч.	*
1	IS	ток насыщения	А	1E-14	*
2	RS	омическое сопротивление баз	Ом	0	*
3	N	коэффициент эмиссии	--	1
4	ТТ	среднее время жизни не основных носителей	сек	0
5	CJO	ёмкость p/n-перехода при нулевом смещении	Ф	0	*
6	VJ	потенциал p/n-перехода	В	1
7	M	grading coefficient	--	0.5
8	EG	ширина запрещённой зоны	эВ	1.11
9	XTI	температурная экспонента тока насыщения	--	3.0
10	KF	коэффициент фликкер-шума	--	0
11	AF	экспонента фликкер-шума	--	1
12	FC	коэффициент в формуле для диффузионной ёмкости	--	0.5
13	BV	напряжение обратного пробоя	В	неопр.
14	IBV	ток обратного пробоя	А	1E-3

Модели биполярных транзисторов (n-p-nиp-n-p)

Модели биполярных транзисторов в SPICE являются адаптацией известной интегральной модели Гуммеля-Пуна. Эта модификация позволяет моделировать некоторые эффекты, проявляющиеся при больших смещениях. Когда требуемые параметры не заданы, программа будет автоматически упрощать задачу, сводя её к модели Эберса-Молла. Имена параметров, используемые в данной реализации, подобраны так, чтобы облегчить пользователю работу с системой : это, как правило, аббревиатуры известных понятии.

Модель по постоянному току определяется параметрами IS, BF, NF, ISE, IKF и NE, которые определяют прямой участок характеристики ; IS, BR, NR, ISC, IKR и NC, определяющие её обратный участок ; VAF и VAR, которые задают выходную проводимость на прямом и обратном участках, соответственно. Возможно задание трёх омических сопротивлении (базы, коллектора и эмиттера) -- RB, RC, RE, причём при больших базовых токах, сопротивление базы может зависеть от него. “Зарядовая память” базы моделируется прямым и обратным временем жизни не основных зарядов TF и TR (причём, если требуется, можно задать зависимость TF от смещения), а также нелинейной барьерной емкостью, которая определяется величинами CJE, VJE и MJE для перехода база-эмиттер, CJC, VJC и MJC для перехода база-коллектор, CJS, VJS и MJS для перехода коллектор-подложка. Температурная зависимость тока насыщения IS определяется энергией запрещённой зоны EG и температурной экспонентой XTI. Температурная зависимость тока базы моделируется в новой модели бетта-температурной экспонентой XTB.

Параметры биполярных транзисторов используются в модифицированной модели Гуммеля-Пуна, приведённой ниже. Имена параметров, используемых в ранних версиях SPICE-2 не изменялись.

NN	имя	п а р а м е т р	размер-ность	умолч.	*
1	IS	ток отсечки	А	1Е-16	*
2	BF	максимальный идеальный коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ	--	100
3	NF	идеальный максимальный коэффициент усиления по току в схеме с ОБ	--	1.0
4	VAF	напряжение Эрли при прямом включении транзистора	В	--
5	IKF		А	--	*
6	ISE		А	0.0	*
7	NE		--	1.5
8	BR		--	1
9	NR		--	1
10	VAR		В	--
11	IKR		А	--	*
12	ISC		А	0	*
13	NC		--	2
14	RB	сопротивление базы при прямом смещении	Ом	0	*
15	IRB		А	--	*
16	RBM	минимальное сопротивление базы на высоких токах	Ом	RB	*
NN	имя	п а р а м е т р	размер-ность	умолч.	*
17	RE	сопротивление эмиттера	Ом	0	*
18	RC	сопротивление коллектора	Ом	0	*
	19	ёмкость перехода база-эмиттер при нулевом смещении	Ф	0	*
20	VJE		В	0.75
21	MJE		--	0.33
22	TF	время пролёта не основных носителей через базу при прямом включении транзистора	сек	0
23	XTF		--	0
24	VTF		В	--
25	ITF		А	0	*
26	PTF	сдвиг фазы на частоте freq= =1.0/(TF2pi) Гц	град	0
27	CJC	ёмкость перехода база-коллектор при нулевом смещении	Ф	0	*
28	VJC	напряжение отсечки	В	0.75
29	MJC		--	0.33
30	XCJC	часть ёмкости перехода база-коллектор, относящаяся к внутреннему базовому выводу	--	1
31	TR	время пролёта неосновных носителей через базу при обратном включении транзистора	сек	0
32	CJS	ёмкость коллектор-подложка при нулевом смещении	Ф	0	*
33	VJS		В	0.75
34	MJS		--	0
35	XTB	температурная экспонента прямого и обратного коэффициентов усиления по току в схеме с ОБ	--	0
36	EG	ширина запрещённой зоны	эВ	1.11
37	XTI	температурная экспонента тока отсечки	--	3
38	KF	коэффициент фликкер-шума	--	0
39	AF	экспонента фликкер-шума	--	1
40	FC	коэффициент в формуле для диффузионной ёмкости	--	0.5

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 89 / 219 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 > Следующая >>>

Соседние файлы в папке SPICE_DO

#
07.02.2015180.22 Кб33PRIL_ALM.DOC
#
07.02.20155.45 Mб23PSpice complete.doc
#
07.02.2015857.58 Кб21SPICE.ARJ
#
07.02.2015102.27 Кб24SPICE.TXT
#
07.02.2015318.98 Кб24TEXT.DOC