Мдп (моп)-транзисторы Слайд № 26
В настоящее время широкое распространение получили полевые транзисторы, в которых металлический затвор изолирован от полупроводника слоем диэлектрика. Такие транзисторы называют МДП-транзисторами (металл – диэлектрик – полупроводник), или МОП-транзисторами (металл – оксид – полупроводник), так как в качестве диэлектрика в них используется пленка оксида кремния SiO2.
Преимущество полевого транзистора перед биполярным транзистором заключается в том, что у полевого транзистора очень большое входное сопротивление, порядка 105 Ом, т.е. цепь управления такого прибора практически не потребляет электрической мощности, что повышает экономичность преобразователя.
Принцип работы МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника под воздействием поперечного электрического поля. Они управляются напряжением и имеют очень большое входное сопротивление и в отличие от полевых транзисторов с затвором в виде р-n-перехода сохраняют его большим независимо от величины и полярности входного напряжения. Применяются две конструкции МДП-транзисторов: со встроенным каналом, созданным в процессе изготовления, и с индуцированным каналом, который наводится электрическим полем под действием напряжения на затворе. Канал может быть р-типа и n-типа.
Полевые транзисторы используются в усилителях, а также находят применение в качестве сенсорных датчиков, в устройствах для обнаружения скрытой проводки.