Краевое государственное образовательное автономное учреждение среднего профессионального образования

«Промышленный колледж энергетики и связи»

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

контрольные задания

для студентов заочной формы обучения образовательных учреждений среднего профессионального образования

по специальности

140408 – «Релейная защита и автоматизация электроэнергетических систем»

г. Владивосток

2012г.

Указания к выполнению контрольной работы:

1. По курсу «Теория электрических цепей» необходимо выполнить две контрольные работы.

2. Вариант контрольного задания определяется последней цифрой шифра.

3. Контрольные задание 1 и 2 студенты выполняют, как домашнее и высылают в колледж на проверку в сроки, предусмотренные учебным графиком.

4. Контрольная работа выполняется в отдельной тетради в клетку, на каждой странице должны быть оставлены поля размером 30-40мм для пометок преподавателя.

5. Условия задачи переписывается полностью, цифровые данные выписываются в конце условия с указанием единицы измерения в системе СИ.

6. В конце каждой работы следует ставить дату её выполнения, подпись и приводить список литературы используемой при решении задач.

Контрольное задание № 1

Контрольное задание состоит из решения задачи определения h – параметров биполярных транзисторов по их входным и выходным характеристикам включенных по схеме с общим эмиттерам и ответов на два вопроса.

Примеры решения задач приводятся в методических указаниях. Данные для своего варианта необходимо взять из таблицы № 1.

Таблица № 1

Вариант	Рисунок	Точка А
1	4	15	8 мА
2	5	25	150 мкА
3	6	20	900 мкА
4	7	10	10 мА
5	8	4	200 мкА
6	9	0	1 мА
7	10	10	0,3 мА
8	11	10	25 мА
9	12	0	20 мА
10	13	0	24 мА

Вариант 1-4

Задача

По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером определить коэффициент усиления по току β (параметр h₂₁) для точки А, характеризующейся напряжением коллектора U_КЭ и током базы I_б.

Пересчитать коэффициент усиления по току α этого транзистора при его включении по схеме с общей базой.

Вариант 5

Задача

По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером определить выходную проводимость транзистора h₂₂ для точки А.

Вариант 6-8

Задача

По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить графическим путем входное сопротивление транзистора h₁₁ для точки А, характеризующейся напряжением коллектора U_КЭ и током базы I_б.

Вариант 9-10

Задача

По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером определить коэффициент обратной связи h₁₂ для точки А, характеризующейся напряжением коллектора U_КЭ и током базы I_б.

Методические указания к контрольной работе № 1

Примеры решения задач

Задача 1. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), определить коэффициент усиления по току β (параметр h₂₁) для точки А, характеризующейся напряжением коллектор-эмиттер U_КЭ=25 В и током базы I_б=500 мкА. Пересчитать коэффициент усиления по току этого транзистора при его включении по схеме с общей базой.

Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 1).

2. Опускаем перпендикуляр из точки А на горизонтальную ось до пересечения с ближней кривой и обозначаем точку пересечения В.

3. Из построения видно, что отрезок АВ представляет собой разность двух значений токов коллектора ∆ I_К и тока базы ∆ I_К

определяем их значение:

∆ I_К=АВ=38-32=6 мА=6000 мкА;

∆ I_б=АВ=500-400-100 мкА

коэффициент усиления по току при U_КЭ=25 В

4. Определяем коэффициент усиления этого транзистора по току при его включении по схеме с общей базой. Так как ; то

Рис. 1

Задача 2. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), для точки М, характеризующейся U_КЭ=15 В и током I_б =300 мкА. Определить выходную проводимость h₂₂.

Решение. 1. Находим заднюю точку М на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 9).

2. Строим треугольник абс таким образом, чтобы точка М была на середине гипотенузы этого треугольника. Из треугольника абс находим аб= ∆U_КЭ=20-10=10 В; бс=∆I_К=24-21=3 мА

Используя формулу при

Находим (Сименс) См.

Задача 3. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 2) определить графическим путем входное сопротивление транзистора h₁₁ для точки А, характеризующейся напряжением U_КЭ=0 и током базы I_б=0,12 мА.

Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 2).

2. Строим прямоугольный треугольник абс каким образом, чтобы точка А оказалась на середине гипотенузы этого треугольника, а прямой угол оказался на соседней входной характеристике.

3. Из построения видно, что отрезок , а отрезок

Рис. 2 Рис. 3

Входное сопротивление при U_ЭК=const

Задача 4. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 3) определить графическим путем коэффициент обратной связи h₁₂ для точки А, характеризующейся напряжением U_КЭ =0 и током базы I_б =4мА.

Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 3).

2. Через точку А проводим линию, параллельную оси абсцисс, до пересечения с соседней характеристикой.

3. Из построения можно определить:

∆U_КЭ=5-0=5 В; ∆ U_бэ=0,85-0,76=0,09 В

при I_б=const